检索结果-内蒙古大学图书馆

海军工程大学学报 2021年第5期33卷 85-91页

作者：邓波刘小虎海军工程大学外训大队武汉430033 海军工程大学电气工程学院武汉430033

传统的电机损耗控制策略主要基于稳态条件下进行分析,但电磁发射是一个动态的过程,包括加加速、恒加速等多阶段推力控制。研究电磁发射中的直线感应电机损耗控制必须兼顾考虑直线感应电机的动态性能指标。首先,以动态边端效应下的直线... 详细信息

传统的电机损耗控制策略主要基于稳态条件下进行分析,但电磁发射是一个动态的过程,包括加加速、恒加速等多阶段推力控制。研究电磁发射中的直线感应电机损耗控制必须兼顾考虑直线感应电机的动态性能指标。首先,以动态边端效应下的直线感应电机数学模型为基础,分别推导该新型模型下的最大推力电流比控制策略(MTPA)、引入逆变器损耗的损耗模型控制(LMC)策略;然后,在电磁发射工况下,提出MTPA结合LMC的控制策略,并将其与传统的间接磁场定向控制结合LMC的策略进行了对比。仿真结果表明:该策略可在动态性能和损耗间取得较好平衡。

关键词：直线感应电机最大推力电流比损耗模型动态边端效应

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高频变流器直流侧的去耦电容优化选型研究

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电源学报 2023年

作者：陈文思宫金武查晓明陈佳洛潘尚智武汉大学电气与自动化学院

变流器的开关速度和开关频率越来越高，对直流侧去耦电容也提出了更高的要求。本文针对开关管关断过程中电压电流振荡带来的过电压尖峰和去耦电容损耗问题，建立了考虑系统杂散参数的瞬态电路模型，分析了开关管关断过程中过电压和去耦... 详细信息

变流器的开关速度和开关频率越来越高，对直流侧去耦电容也提出了更高的要求。本文针对开关管关断过程中电压电流振荡带来的过电压尖峰和去耦电容损耗问题，建立了考虑系统杂散参数的瞬态电路模型，分析了开关管关断过程中过电压和去耦电容电流振荡的演变过程；在此基础上提出了考虑主电路寄生参数和去耦电容等效串联电阻(equivalent series resistance，ESR)的损耗模型，量化分析了实际工程中去耦电容选型所受的限制因素，得出了去耦电容容值、损耗限制条件的优化选型方法。最后通过仿真和实验验证了所提出模型和分析方法的正确性。

关键词：开关过程杂散参数去耦电容损耗模型

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基于反激式AC/DC变换器的高效率高精度快速充电系统集成芯片关键技术研究

基于反激式AC/DC变换器的高效率高精度快速充电系统集成芯片关键...

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作者：王泽宇西安电子科技大学

学位级别：博士

随着信息科技快速发展和基于大数据物联网的快速建立,人们在一台个人终端上即可完成信息获取和对实物设备智能控制。手机作为普及率最高、最具代表性的便携式个人终端,从1993年第一部智能手机IBM Simon诞生之日起,经过二十余年发展,目... 详细信息

随着信息科技快速发展和基于大数据物联网的快速建立,人们在一台个人终端上即可完成信息获取和对实物设备智能控制。手机作为普及率最高、最具代表性的便携式个人终端,从1993年第一部智能手机IBM Simon诞生之日起,经过二十余年发展,目前已具备处理多种日常事务的能力,成为不可或缺的个人物品之一。然而,随着功能的逐渐增多,屏幕尺寸的逐渐增大,手机电池续航问题也越来突出,但受限于目前锂离子电池的研发水平和制造技术,手机电池难以在维持小体积的同时持续增大容量。而当前由恒流恒压型AC-DC系统构成手机适配器,其恒流精度通常在±5%左右,最大输出功率5W（5V/1A）时的转换效率低于73%,较低的恒流精度、转换效率以及较小的输出功率导致电池损耗大,充电时间长,适配器发热严重等诸多问题。在这种情况下,研究恒流精度在±2%以内、转换效率高于80%、输出功率大于5W的快速充电技术,对于提升电池等效续航能力具有重大意义,本文对此做重点研究。本文基于原边反馈型反激式AC-DC变换器系统,研究输出电压动态可调的快速充电系统集成芯片,并将其工作状态分成四个阶段,分别是启动阶段,恒流输出阶段,恒压阶段和动态调压阶段。针对目前变换器系统存在的启动阶段静态工作电流大,恒流阶段的输出电流精度低,恒压阶段传输效率不高以及动态调压阶段快充协议不易识别等问题,进行深入研究并提出相应解决方案。主要研究成果如下。1.提出了一种高精度输出电流控制方法。当前便携式电子产品充电以及LED驱动等应用环境对输出电流均有较高的精度要求,不稳定的电流不仅会影响到便携式产品的充电安全性,而且会严重降低产品的使用寿命。针对当前现有的恒流机制对工艺变动较为敏感且控制精度不高的问题,本文提出了一种新颖的膝点检测策略,该检测方式采用开关电容放大器对辅助侧电压纹波进行放大,并根据输出电流大小设置相应的比较阈值,当输出纹波持续一段时间小于设定阈值后,检测电路输出一个脉冲信号,标志膝点被识别。通过该方式可以抑制工艺偏差对膝点检测的影响,并使得输出电流精度达到±0.8%。2.基于状态空间平均法建立了整个反激变换器系统的功率级模型。为了达到最新DoE.6能效标准,降低反激变换器系统的能量传输损耗,本文通过研究反激变换器系统各个组成部分在一个开关周期内的功率损耗机制,建立了功率级损耗模型,该模型克服了传统建模不全面,或过度抽象复杂从而不利于工程应用等缺点。所提出的模型包括系统开关频率、初级侧采样电阻、初级侧峰值电流、变压器匝比、次级侧校正二极管正向压降及等效电阻等损耗因子,涵盖静态和动态损耗,可以全面反映实际工程应用时的系统损耗机制,从而为低功耗、高效率设计提供充分的理论依据。3.提出一种优化设计的恒压控制策略以提升转换效率。依据建立的反激变换器系统级功率损耗模型,分析和仿真不同因子在一定范围取值时系统能耗绝对值及变化趋势,得出轻重负载下不同损耗因子占总损耗的权重,据此确定各参数的控制曲线。经过仿真和实测系统在0.5A,1A,1.5A,2A时的四点平均效率,结果表明经过优化后的恒压控制策略使得反激变换器系统在典型5V/1A输出条件下的最高转换效率可达84.7%。4.设计了一种针对电流型充电协议的增益可调高精度负载电流检测电路。该检测电路采用具有完全对称结构的共模负反馈以及差模正反馈检测架构,实现了对制造工艺变动所引起失调的良好抑制,同时在0V到电源电压范围内对低至5mV量级的微小输入信号具有极其稳定且任意可调的放大倍数。该电路采用0.35μm/30V/BCD工艺实现,仿真及投片后实测结果证明在各工艺角下,-40°125°温度范围内检测误差均小于±3%。5.提出一种高精度超低功耗欠压检测电路,用于减小AC-DC变换器系统启动阶段的静态损耗。该电路基于亚阈值和带隙结构设计,克服了传统欠压检测模块滞后带隙基准模块工作的问题,因此极大减小了工作时所需电流。经验证,在实现开启电压检测误差在1V范围内的同时,其工作电流降至1uA以内,解决了启动阶段静态损耗的问题。

关键词：恒流损耗模型恒压高转换效率快速充电

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Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

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作者：李宗鉴湖南大学

学位级别：博士

近年来,日益复杂的工况和应用环境对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求,研发具有高频、高可靠性、大电流容量的新型高压电力电子器件技术对发展我国自主创新器件技术和产业有着至关重要的... 详细信息

近年来,日益复杂的工况和应用环境对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求,研发具有高频、高可靠性、大电流容量的新型高压电力电子器件技术对发展我国自主创新器件技术和产业有着至关重要的作用。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,对实现更高电流容量、较低成本的高性能电力电子器件,打破单一Si IGBT和SiC MOSFET功率器件技术瓶颈,满足高性能电力电子设备对高频、高可靠性、大电流容量和低成本高压电力电子器件的迫切需求具有重要意义。本文紧密围绕Si IGBT/SiC MOSFET混合器件,以国家自然科学基金为依托,深入研究了混合器件的门极优化控制策略,热电耦合损耗模型、芯片尺寸优化配比和其在变换器中的应用性能等,为高性能的功率器件的设计制造与变换器应用提供了新思路,为高频、高可靠性、大电流容量和低成本的新型Si IGBT/SiC MOSFET混合电力电子器件的工程化和实用化提供了理论基础和技术支撑。研究重点和取得的成果主要体现在以下几个方面:(一)提出了适用于Si IGBT/SiC MOSFET混合器件的四种非同步特殊门极驱动时序,建立了与混合器件门极驱动延时相关的热电耦合损耗模型。针对混合器件特殊门极驱动时序,提出了适用于混合器件的高性价比集成驱动方案,分析了其工作原理,研制了驱动样机,并通过实验验证了集成驱动的可行性和有效性。最后,针对混合器件特殊门极驱动时序,建立了与混合器件门极驱动延时相关的热电耦合损耗模型,并搭建混合器件变换器验证了模型的准确性与有效性。(二)提出了基于动态延时调节的Si IGBT/SiC MOSFET混合器件的最小损耗控制,器件结温平衡控制和多目标优化控制策略。混合器件的最小损耗控制,可以有效降低器件损耗,提升变换器效率。混合器件的结温平衡控制,可以显著降低混合器件最高结温,提升变换器最大输出功率容量和改善混合器件过载能力。最后,考虑变换器在宽负载范围变化工况,提出混合器件的多目标优化控制方法,依据负载波动综合优化混合器件的效率和热特性。在9k W DC/DC Buck混合器件变换器应用中,相比于传统固定延时控制,在相同负载工况,所提优化控制策略显著提升了混合器件变换器效率,降低了器件最高结温和增大了变换器最大输出功率容量。(三)建立了考虑混合器件内部SiC MOSFET芯片面积的损耗模型,基于损耗模型提出了Si/SiC混合器件优化配比选择方法。首先,分析了混合器件配比对混合器件特性的影响,实验结果表明,混合器件的导通损耗和开关损耗均随着配比的增大而减小,而混合器件的短路耐受能力不受器件配比的影响。然后,建立了考虑混合器件内部SiC MOSFET芯片面积的损耗模型,并基于损耗模型提出了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件优化配比选择方法。该优化方法能在选择合理的最小SiC MOSFET芯片面积的同时,优化混合器件的总损耗,并确保在基于混合器件的变换器在额定负载运行时,混合器件的最高结温低于其内部两器件连续运行的限制结温,保证混合器件安全可靠运行。所提损耗模型和优化方法为高频、高可靠性、大电流容量和低成本的新型Si IGBT/SiC MOSFET混合电力电子器件的工程化和实用化提供理论基础和技术支撑。(四)对比分析了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(HyS)与传统Si IGBT/SiC Diode混合器件(HyP)在器件端口特性,器件总成本和变换器应用的差异,建立了适用于电压型逆变器的HyS混合器件和HyP混合器件的改进损耗模型。结果表明,HyS混合器件峰值效率比HyP混合器件峰值效率高约0.9%,在5k W负载下,HyS混合器件最高结温比HyP混合器件结温低了约60℃,HyS混合器件的最大输出功率比HyP混合器件提升了约40%,当基于两种混合器件的输出功率都在2k W时,基于HyS混合器件单相逆变器的开关频率是HyP混合器件方案的1.5倍。仿真和实验证明在变换器应用中,HyS混合器件能以相近的成本,实现比传统HyP混合器件更高的效率,更低的器件结温,更大的输出功率容量和更高的开关频率,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。

关键词：电力电子器件 Si IGBT SiC MOSFET 混合器件损耗模型结温单相逆变器

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大区域网络化应急短波通信中的频率管理方法

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电讯技术 2013年第4期53卷 470-475页

作者：杨青彬余毅敏郭马坤余奇张涛国防信息学院武汉430010

频率选择问题一直是制约短波通信效能提升的瓶颈问题,网络化短波通信对优质频率选择的适用性和时效性提出了更高的要求。针对大区域网络化短波通信的频率管理和使用需求,提出融合利用损耗模型、Chirp探测数据、Modem探测数据进行区域覆... 详细信息

频率选择问题一直是制约短波通信效能提升的瓶颈问题,网络化短波通信对优质频率选择的适用性和时效性提出了更高的要求。针对大区域网络化短波通信的频率管理和使用需求,提出融合利用损耗模型、Chirp探测数据、Modem探测数据进行区域覆盖计算的方法,并基于计算结果实现对区域中心站导频和业务频率的指配和动态调整功能,实现了优质频率统管共用目的,提升了大区域网络化应急短波通信的质量和效能。

关键词：大区域网络应急短波通信频率管理损耗模型 Chirp探测 Modem探测

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基于离线策略的感应电机驱动效率优化设计

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电气传动 2017年第12期47卷 9-16页

作者：王艳辉崔丽萍李芳芳国网内蒙古东部电力有限公司内蒙古呼和浩特010020 内蒙古建筑职业技术学院机电与暖通工程学院内蒙古呼和浩特010070 内蒙古呼和浩特市水利勘测设计院内蒙古呼和浩特010030

传统提供感应电机传动系统效率的方案多集中在元件级,如电机效率优化等,难以保证全局性的效率最优。针对该问题,提出一种基于离线策略的系统级感应电机驱动系统效率优化方案。首先,对驱动系统各个单元进行损耗模型分析,并建立了综合考... 详细信息

传统提供感应电机传动系统效率的方案多集中在元件级,如电机效率优化等,难以保证全局性的效率最优。针对该问题,提出一种基于离线策略的系统级感应电机驱动系统效率优化方案。首先,对驱动系统各个单元进行损耗模型分析,并建立了综合考虑电机损耗、直流链路损耗和变频器损耗等的系统级复合损耗模型。然后,基于复合损耗模型和离线求解,使得在线可以快速地获取最优控制量。最后,通过对比试验对系统级效率优化方案的效果进行了分析。试验结果表明,在典型应用工况下,相对于传统元件级效率优化,采用新型方案后系统效率可明显提高,验证了其有效性。

关键词：感应电机离线策略效率优化损耗模型

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宽带圆极化天线与太赫兹关键技术的研究

宽带圆极化天线与太赫兹关键技术的研究

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作者：庄建兴东南大学

学位级别：博士

随着太赫兹源和探测技术的持续进步,太赫兹频段（0.1THz-10THz）近年来逐渐成为新的研究热点。该频段电磁波在材料检测、生物医疗、安全检查、成像等领域都具有良好的应用前景。然而目前很多太赫兹频段器件所用材料的介质参数,尤其是损... 详细信息

随着太赫兹源和探测技术的持续进步,太赫兹频段（0.1THz-10THz）近年来逐渐成为新的研究热点。该频段电磁波在材料检测、生物医疗、安全检查、成像等领域都具有良好的应用前景。然而目前很多太赫兹频段器件所用材料的介质参数,尤其是损耗特性,仍然未知;同时该频段无源器件的设计、加工、测试以及损耗分析均与微波毫米波频段有很大差异。因此,研究太赫兹频段的材料特性和无源器件的加工、设计有着非常重要的理论和现实意义。微波频段相比太赫兹频段虽然频率较低但发展更为成熟,其应用范围覆盖通信、雷达、医疗等诸多领域。天线作为微波频段各领域的常用器件,根据其结构的不同,可辐射线极化波、圆极化波或椭圆极化波。相比线极化波,圆极化波可有效减少多径反射和其他干扰,简化收发天线间的对准,并具有更强的雨雾穿透能力;贴片天线则具有低剖面、重量轻、加工简单、且便于安装和集成等优点。基于这些优点,圆极化贴片天线广泛应用于无线通讯、卫星通讯、导航和雷达等领域,但是其固有的窄带特性限制了其应用范围。因此,研究高性能的宽带圆极化天线及阵列具有重要的理论及实用价值。本文围绕着太赫兹频段材料特性、无源元件与宽带圆极化微波天线两个方向开展研究,主要工作如下:第一章主要研究太赫兹时域光谱（THz-TDS）系统及其在介质参数测量方面的应用。文中介绍了 THz-TDS系统的工作原理,实现了具体的测试光路,测试和分析了环境中水分子的影响和多次测量的可重复性。基于透射测试方案,得出了介质参数的提取公式,并据其提取了 Rogers RT/Duroid 5880、FR4epoxy、高低阻硅及砷化镓等不同材料在太赫兹频段的介质参数,并首次以损耗角正切的形式给出了各材料在太赫兹频段的损耗。实验结果表明高阻硅及砷化镓因其极低的损耗适合在太赫兹频段器件加工中作为衬底或基底使用;RogersRT/Duroid5880板材则只适合应用于太赫兹低频段的简单结构加工;而低阻硅和FR4epoxy板材则由于较高的损耗限制了其在太赫兹频段器件加工上的应用。本章部分研究成果已在国家中文核心期刊微波学报和全国微波毫米波会议上发表。第二章基于硅基微机械加工（MEMS）工艺,研究了太赫兹波导类器件的设计、加工、测试和损耗分析方法。文中对比了多种常用波导加工层次结构,并给出了详细的加工步骤。以MEMS直通波导为例,分析了太赫兹波导类器件的损耗来源并建立了完整的损耗分析模型。设计和实现了零点连续可调的椭圆腔体带通滤波器和具有高选择性的矩形腔体带通滤波器,实验结果与基于损耗模型拟合出的仿真结果一致。此外,还设计了太赫兹频率扫描天线,其方向图扫面范围超过±45°。本章部分研究成果已在国际核心期刊 IEEE *** Terahertz Science and Technology 上发表。第三章基于精密机械加工工艺,研究了太赫兹波导类器件的加工、设计及测试。文中利用该工艺设计加工了直通波导和带通滤波器,并通过实验验证了该工艺在太赫兹频段进行精密加工的可行性。基于该工艺,本章设计了金属平面偏馈反射面天线,分析了天线尺寸与口径效率和增益之间的关系。并且,以此平面偏馈反射面天线为基础,提出了两种提高天线增益的结构。第一种采用端接喇叭的方法,可使天线增益从20.8dBi提升至31.1dBi@300GHz;另一种采用金属块侧壁开槽的方法,可使天线增益从21.3dBi提升至28.5dBi@310GHz。两种结构在增益提升上均取得很好的效果,且加工简单,满足在太赫兹频段的应用需求。本章部分研究成果已在国际会议IEEEIWS2015上发表,并投稿至国际核心期刊IEEE Antennas Wireless ***。第四章研究了具有宽带轴比特性的圆极化贴片天线。针对影响圆极化天线轴比因素中的极化误差,本章设计了可以改善交叉极化,提高轴比特性的圆极化贴片天线。该天线采用宽带移相巴伦作为馈电网络,能量通过馈电网络经金属通孔和双L型探针馈入贴片天线。通过在两个L型探针之间加载矩形金属贴片,可以有效降低该贴片天线的交叉极化,达到改善轴比的作用。测试结果表明,该天线轴比带宽达到61.7%,实现了其他文献四馈电点才能达到的轴比带宽。该天线性能优异且设计优化方法简单。本章研究成果已在国际核心期刊IEEE Antennas Wireless ***上发表,并已申请国家发明专利和实用新型专利。第五章研究了车载卫星通信阵列天线。提出了一种双层棱台型天线阵列,该阵列天线可在1.98GHz-2.20GHz频段内满足对上半空间超过9dBi的增益覆盖。选用缝隙耦合天线作为圆极化子单元,两耦合缝隙呈90°偏置放置,并引入寄生贴片以改善匹配、提高增益。子单元在所需频段内增益超过8.95dBi。再由2×2子单元组成子阵,以满足阵列天线对覆盖增

关键词：太赫兹介质参数 MEMS 直通波导带通滤波器损耗模型精密机械加工工艺平面偏馈反射面天线宽带圆极化天线轴比增益

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双向耦合电感DC-DC开关变换器与优化设计分析

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电工电能新技术 2010年第3期29卷 12-15,34页

作者：徐玉珍郭晓君林维明福州大学电气工程与自动化学院福建福州350108

本文详细分析了双向耦合电感DC-DC开关变换器电路拓扑的工作原理及其电路特性;建立了该电路拓扑的损耗模型,并对其中的耦合电感匝比λ进行了优化设计。通过MATHCAD仿真软件的分析和实验样机的结果验证,证明了文中所提出的双向耦合电感DC... 详细信息

本文详细分析了双向耦合电感DC-DC开关变换器电路拓扑的工作原理及其电路特性;建立了该电路拓扑的损耗模型,并对其中的耦合电感匝比λ进行了优化设计。通过MATHCAD仿真软件的分析和实验样机的结果验证,证明了文中所提出的双向耦合电感DC-DC开关变换器电路拓扑的可行性和耦合电感匝比λ优化的正确性;该电路拓扑克服了传统双向BUCK/BOOST电路拓扑变换率较小的局限性,具有的更优越的效率特性;合理选择抽头电感的匝比λ对抽头电感双向BUCK/BOOST具有重要意义。

关键词：耦合电感双向直流开关变换器损耗模型高效率匝比优化

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基于PLECS的车载SiC单相逆变器损耗研究

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电力电子技术 2019年第8期53卷 118-120页

作者：刘博如北京纵横机电科技有限公司

近年来,碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关速度快、频率高等优点,因此,当其应用在车载单相逆变器中时,可以通过提高开关频率来有效地减小磁性元件的... 详细信息

近年来,碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在电力电子领域的应用日益成熟。由于其具有损耗低、导通电阻小、开关速度快、频率高等优点,因此,当其应用在车载单相逆变器中时,可以通过提高开关频率来有效地减小磁性元件的体积,从而提高逆变器的功率密度,减轻重量。但随着开关频率的提高,逆变器的开关损耗也随之增加,因此SiC MOSFET单相逆变器的损耗分析在设计过程中至关重要。对车载SiC单相逆变器在单极性正弦脉宽调制(SPWM)下的开关器件损耗进行详细分析;在PLECS仿真软件中搭建SiCMOSFET单相逆变器的电路模型和器件损耗模型;最后搭建SiC MOSFET单相逆变器的实验平台,测试开关器件的损耗,验证损耗理论计算的正确性及损耗模型的有效性。

关键词：单相逆变器金属-氧化物半导体场效应晶体管损耗模型

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基于遗传算法的感应电机效率优化控制研究

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微电机 2013年第10期46卷 36-40页

作者：马秀娟刘金凤李宏宇张华强哈尔滨工业大学(威海)自动化研究所威海264209

运行在额定工况下的感应电机效率较高,但在轻载运行时效率会显著下降,此时具有较大的效率优化空间。在考虑铁损的感应电机稳态数学模型的基础上建立损耗模型,将遗传算法应用于感应电机的效率优化控制,保证电机在输出功率不变的情况下,... 详细信息

运行在额定工况下的感应电机效率较高,但在轻载运行时效率会显著下降,此时具有较大的效率优化空间。在考虑铁损的感应电机稳态数学模型的基础上建立损耗模型,将遗传算法应用于感应电机的效率优化控制,保证电机在输出功率不变的情况下,使电机始终运行在最小损耗状态,达到效率最大目的。仿真结果验证了基于遗传算法的效率优化控制的有效性和正确性。

关键词：感应电机损耗模型遗传算法效率优化

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