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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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448 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 成果

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450 篇 电子文献
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学科分类号

2 篇 工学
- 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 探测器芯片
1 篇 工作寿命
1 篇 p电极区
1 篇 p-inp微台面
1 篇 失效
1 篇 ingaas外延片

机构

31 篇 中国电子科技集团...
23 篇 中国科学院上海技...
19 篇 中国科学院半导体...
16 篇 武汉高芯科技有限...
13 篇 昆明物理研究所
12 篇 武汉电信器件有限...
11 篇 中国电子科技集团...
9 篇 核芯光电科技有限...
8 篇 浙江大学
8 篇 北京智创芯源科技...
7 篇 南京大学
7 篇 中国科学院高能物...
7 篇 武汉光迅科技股份...
7 篇 四川光恒通信技术...
6 篇 中国科学院苏州纳...
6 篇 北京空间机电研究...
6 篇 西安中科立德红外...
6 篇 中国科学院紫金山...
5 篇 华中科技大学
5 篇 桂林芯飞光电子科...

作者

10 篇 黄立
9 篇 王成刚
9 篇 黄祥恩
9 篇 胡百泉
9 篇 刘鹏
9 篇 沈星
8 篇 祝宁华
8 篇 龚海梅
8 篇 李雪
8 篇 洪晓麦
8 篇 王鹏
7 篇 黄晓峰
7 篇 史欣
7 篇 莫镜辉
7 篇 刘宇
7 篇 刘成刚
7 篇 陈春明
7 篇 王欣
7 篇 刘伟
7 篇 王聪聪

语言

450 篇 中文

检索条件"主题词=探测器芯片"

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探测器芯片及其制作方法、封装结构和封装方法

探测器芯片及其制作方法、封装结构和封装方法

引用

作者：朱斌青卢建娅谷飞黄寓洋 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室

本发明公开了一种探测器芯片及其制作方法、封装结构和封装方法，探测器芯片包括外延结构，外延结构包括n型半导体层，有源层、p型半导体层以及p型接触层，p型接触层覆盖部分p型半导体层，p型半导体层和p型接触层内形成有扩散区；钝化... 详细信息

标准号: CN117936618A

本发明公开了一种探测器芯片及其制作方法、封装结构和封装方法，探测器芯片包括外延结构，外延结构包括n型半导体层，有源层、p型半导体层以及p型接触层，p型接触层覆盖部分p型半导体层，p型半导体层和p型接触层内形成有扩散区；钝化层，形成于p型半导体层上，钝化层上形成有窗口，窗口暴露出p型半导体层和p型接触层，扩散区位于窗口覆盖范围内；光学膜层，形成于钝化层上以及形成于窗口内的p型半导体层上；p型电极，形成于p型接触层上；以及n型电极，形成于n型半导体层上。本发明的探测器芯片，具有低暗电流，高响应度，高带宽的特点。

关键词：探测器芯片钝化层外延结构扩散区封装结构光学膜层暗电流高带宽高响应覆盖源层封装暴露制作

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InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片

InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片

引用

作者：汪洋中国科学院上海技术物理研究所

本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片,包括：在 p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP 微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区,在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层... 详细信息

标准号: gkls075104

本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片,包括：在 p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP 微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区,在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外,整个外延片上,包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互连的电极互连区,该电极互连区覆盖部分微台面,并从微台面延伸至平面。本发明的优点是：保留的InGaAs层可使台面降低,InGaAs层的侧面得到有效保护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用,可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu,可与p-InP 形成很好的欧姆接触,并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散,提高器件可靠性。

关键词：探测器芯片 InGaAs外延片 p-InP微台面 P电极区

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一种成像系统探测器芯片精密装调设备及装调方法

一种成像系统探测器芯片精密装调设备及装调方法

引用

作者：汪凯巍李雄风白剑 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

本发明公开了一种成像系统探测器芯片精密装调设备及装调方法，该装调设备包括运动控制系统、检测系统、附属结构和计算机，其中，运动控制系统由平移台、旋转台和倾斜台组成，负责调整待测器件和检测系统的空间位置，检测系统由自准直... 详细信息

标准号: CN104406541A

本发明公开了一种成像系统探测器芯片精密装调设备及装调方法，该装调设备包括运动控制系统、检测系统、附属结构和计算机，其中，运动控制系统由平移台、旋转台和倾斜台组成，负责调整待测器件和检测系统的空间位置，检测系统由自准直仪和远心数字显微成像系统组成，负责测量待测器件的角度和位置偏差，计算机能控制平移台的运动并记录其位置坐标，也能从远心数字显微成像系统获取待测器件的图像并进行分析计算；该装调方法涉及基准镜的装调、探测器芯片的角度和位置信息传递以及探测器芯片的装调，在装调过程中对角度和位置的测量精度分别达到秒级和微米量级，在装调完成后能保证探测器芯片的角度和位置偏差分别小于1′和0.02mm。

关键词：探测器芯片成像系统检测系统运动控制系统平移数字显微位置偏差测量精度分析计算附属结构空间位置微米量级位置坐标信息传递自准直仪倾斜台旋转台计算机秒级精密小于图像

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背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺

背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺

引用

作者：唐恒敬张可锋吴小利朱慧李永富宁锦华李淘汪洋李雪龚海梅 200083 上海市玉田路500号

本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×1016cm-3，硫化+SiNx钝化... 详细信息

标准号: CN100541831C

本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×10¹⁶cm^-3，硫化+SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p-InGaAs电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p-InGaAs接触是很好的欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会被p型电极引出层p-InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。

关键词：电极台面响应率电子束界面态密度探测器芯片掺杂浓度低温淀积厚度设计接触电阻量子效率欧姆接触退火工艺照射方式制备工艺钝化膜过渡层均匀性外延片吸收层增透膜铟镓砷生长硫化探测器刻蚀背面照射蒸发探测复合侧面接触

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基于石墨烯-CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法及系统

基于石墨烯-CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法及系统

引用

作者：黄北举陈润程传同张恒杰张欢黄宇龙陈弘达 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯... 详细信息

标准号: CN113782640B

本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。

关键词：石墨烯探测器芯片单片集成红外成像金属镍层多光谱隔离层制备腐蚀去除金属红外成像系统化学气相淀积表面等离子隔离层表面表面沉积技术难点填充金属电极低成本有效地溅射刻蚀镍层通孔引入

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超晶格中长波双波段红外探测器芯片及其制备方法

超晶格中长波双波段红外探测器芯片及其制备方法

引用

作者：陈意桥孙维国颜全 215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号

本发明公开了一种超晶格中长波双波段红外探测器芯片制备方法，包括提供衬底，在衬底上生长双波段叠层锑化物超晶格材料，对双波段叠层探测器芯片的高台面进行复合钝化工艺，钝化时，包括提供阳极硫化电解液，阳极硫化电解液包括混合的... 详细信息

标准号: CN114300585B

本发明公开了一种超晶格中长波双波段红外探测器芯片制备方法，包括提供衬底，在衬底上生长双波段叠层锑化物超晶格材料，对双波段叠层探测器芯片的高台面进行复合钝化工艺，钝化时，包括提供阳极硫化电解液，阳极硫化电解液包括混合的无水硫化钠和二甲基亚砜溶液；利用阳极硫化电解液进行阳极硫化处理，在双波段叠层高台面上生长硫化物薄膜，硫化物薄膜覆盖高台面，并从高台面上沿伸至高台面的侧壁向下；在硫化物薄膜上沉积Al₂O₃薄膜形成复合钝化薄膜。本发明通过生长硫化物薄膜和Al₂O₃薄膜形成复合钝化薄膜，在解决界面态问题的同时，降低了器件的暗电流，显著提高了探测器的量子效率和探测率，取得了良好的钝化效果。

关键词：硫化物薄膜阳极硫化复合钝化电解液双波段薄膜形成高台面衬底叠层高台薄膜生长双波段红外探测器二甲基亚砜溶液超晶格材料探测器芯片无水硫化钠钝化效果量子效率芯片制备暗电流超晶格界面态探测率锑化物中长波台面探测器侧壁钝化沉积覆盖

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一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法

一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法

引用

作者：廖世容万远涛叶瑾琳 312000 浙江省绍兴市越城区群贤路与中兴大道东南角一楼107室

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽... 详细信息

标准号: CN115911156A

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽层中，通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层，P型层为光敏区；P型层连接有P型电极，衬底连接有N型电极。本发明增大光敏区相对于芯片的面积，提高了占空比，减少探测过程中的盲区。

关键词：盖帽层雪崩光电二极管芯片光敏区衬底半导体技术领域探测器芯片探测过程向下扩散电荷层光敏面缓冲层上表面吸收层占空比堆叠源区制备盲区

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一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片

一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片

引用

作者：曹高奇仇志军丛春晓邵秀梅李雪胡来归龚海梅 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极... 详细信息

标准号: CN108899389A

本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO₂）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本发明一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。

关键词：石墨烯芯片光电二极管光学透过性上金属电极探测器芯片下金属电极石墨烯层石墨烯基紫外波段半金属光探测光吸收接触层介质层宽光谱磷化铟吸收层肖特基氧化硅衬底探测吸收

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一种红外探测器芯片及其制作方法与应用

一种红外探测器芯片及其制作方法与应用

引用

作者：李明阳李超崔恒刘建庆杨文奕 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

本发明公开了一种红外探测器芯片及其制作方法与应用，该红外探测器芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层表面设有读出电路层，所述读出电路层表面部分区域设有In电极，所述读出电路表面剩余部分区域设有绝缘层；所述In电极表面设... 详细信息

标准号: CN114497244B

本发明公开了一种红外探测器芯片及其制作方法与应用，该红外探测器芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层表面设有读出电路层，所述读出电路层表面部分区域设有In电极，所述读出电路表面剩余部分区域设有绝缘层；所述In电极表面设有外延层；所述外延层表面部分区域设有绝缘层；所述外延层表面剩余部分区域设有N型电极。本发明提出了一种红外探测器的制作方法，将相关技术中的探测器芯片制作和ROIC高精度倒装共晶焊接合二为一，提出一种新的工艺路线，避免了高精度倒装共晶焊接设备及其技术，简化组件的制作路线并降低其成本。

关键词：读出电路绝缘层红外探测器芯片外延层表面衬底层制作倒装共晶焊接设备红外探测器探测器芯片电极表面工艺路线共晶焊接简化组件外延层电极应用

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一种二维材料优化的低增益雪崩倍增抗辐照碳化硅探测器芯片及其制备和应用

一种二维材料优化的低增益雪崩倍增抗辐照碳化硅探测器芯片及其制...

引用

作者：王聪聪史欣杨涛张希媛 100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院

本发明属于探测器技术领域，提供一种二维材料优化的低增益雪崩倍增抗辐照碳化硅探测器芯片及其制备和应用，该芯片包括：第一电极和第二电极，第一电极和/或第二电极在靠近碳化硅衬底的一侧设置由二维材料构成的插入层，且该插入层与... 详细信息

标准号: CN116154020A

本发明属于探测器技术领域，提供一种二维材料优化的低增益雪崩倍增抗辐照碳化硅探测器芯片及其制备和应用，该芯片包括：第一电极和第二电极，第一电极和/或第二电极在靠近碳化硅衬底的一侧设置由二维材料构成的插入层，且该插入层与相应电极之间的接触为欧姆接触。该芯片的制备方法包括：在碳化硅外延片上依次制作由二维材料构成的插入层和第一电极；和/或，在碳化硅外延片的背面依次制作由二维材料构成的插入层和第二电极；制作第一电极和/或第二电极时采用的退火温度为400℃～600℃。本发明的碳化硅探测器芯片可以增加探测器的响应信号且提高信噪比，还具有较快的响应速度，使其可以在高能粒子探测中得到广泛应用。

关键词：第二电极第一电极二维材料插入层碳化硅碳化硅外延探测器芯片制作芯片探测器技术领域退火高能粒子探测制备和应用辐照欧姆接触响应信号电极低增益信噪比探测器衬底雪崩制备背面倍增响应应用优化

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