检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：和琨牛志元陈健杜德川 102399 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101

本申请涉及半导体制造的光刻技术领域，公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质，主节点和不同的从节点可以独立并行地根据元素组合中的元素以及自身存储的掩模图案，分别确定一个新的成像图案与目标图案之间的差异度，以... 详细信息

标准号: CN116841135B

本申请涉及半导体制造的光刻技术领域，公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质，主节点和不同的从节点可以独立并行地根据元素组合中的元素以及自身存储的掩模图案，分别确定一个新的成像图案与目标图案之间的差异度，以便后续根据所有节点分别确定的差异度以及初始差异度确定在当前迭代周期内预设掩模图案的优化结果，以确定是否停止优化操作。不再需要像传统的直接搜索算法那样一次又一次地计算掩模图案中某个像素点所处位置的状态变化后，掩模图案对应成像图案与目标图案之间的差异度，大大加快差异度的计算效率，从而加快了掩模图案的优化效率。

关键词：掩模图案差异度成像图案目标图案光刻技术领域半导体制造存储介质迭代周期计算效率计算掩模曝光设备搜索算法所处位置优化操作优化结果状态变化传统的像素点主节点预设优化并行存储图案申请

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掩模图案形成方法、存储介质和基片处理装置

掩模图案形成方法、存储介质和基片处理装置

作者：山内刚川上真一路榎本正志日本东京都

本发明提供一种在使用含金属抗蚀剂膜来形成掩模图案时，抑制金属成分在图案底部残留的技术。预先在抗蚀剂膜(104)的下层形成可显影的防反射膜(103)。进而，在对晶片(W)进行了曝光、显影处理之后，对晶片(W)供给TMAH，去除与抗蚀剂膜(1... 详细信息

标准号: CN111226303B

本发明提供一种在使用含金属抗蚀剂膜来形成掩模图案时，抑制金属成分在图案底部残留的技术。预先在抗蚀剂膜(104)的下层形成可显影的防反射膜(103)。进而，在对晶片(W)进行了曝光、显影处理之后，对晶片(W)供给TMAH，去除与抗蚀剂膜(104)的凹部图案(110)的底部相对的防反射膜(103)的表面。因此，能够抑制金属成分(105)残留在凹部图案(110)的底部。因此，在接着使用抗蚀剂膜(104)的图案来对SiO₂膜(102)进行蚀刻时，蚀刻不会被阻碍，所以能够抑制电桥等缺陷。

关键词：抗蚀剂膜蚀刻凹部图案防反射膜晶片残留金属图案金属抗蚀剂显影处理掩模图案电桥显影去除下层曝光阻碍

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掩模图案光学转移的最适化方法

掩模图案光学转移的最适化方法

作者：张君毅黄文良中国台湾新竹市

本发明公开一种掩模图案光学转移的最适化方法，包括下述步骤：首先，进行投影光学模拟，以获取对应于一虚拟掩模图案的较佳光瞳配置方案。接着，进行位置扫描，变更较佳光瞳配置方案，产生多个调整光瞳配置方案。进行掩模图案转移模拟... 详细信息

标准号: CN117784526A

本发明公开一种掩模图案光学转移的最适化方法，包括下述步骤：首先，进行投影光学模拟，以获取对应于一虚拟掩模图案的较佳光瞳配置方案。接着，进行位置扫描，变更较佳光瞳配置方案，产生多个调整光瞳配置方案。进行掩模图案转移模拟，以获取对应于虚拟掩模图案的多个光瞳配置方案‑关键尺寸关系数据。后续，根据多个掩模图案‑光瞳配置方案‑关键尺寸关系数据，选择一个适于一实作掩模图案的实作光瞳配置方案，由此进行实际掩模图案转移。

关键词：光瞳掩模图案配置尺寸关系虚拟掩模图案投影光学位置扫描变更

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作者：和琨牛志元陈健杜德川 102399 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101

本申请涉及半导体制造的光刻技术领域，公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质，本申请在每次迭代中主节点都会将目标像素点的像素值分别分发给不同的从节点，从而实现主节点和至少一个从节点一起并行地计算自身存储的局... 详细信息

标准号: CN116819911B

本申请涉及半导体制造的光刻技术领域，公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质，本申请在每次迭代中主节点都会将目标像素点的像素值分别分发给不同的从节点，从而实现主节点和至少一个从节点一起并行地计算自身存储的局部图案与其对应的子成像图案之间的相似度，进而确定预设掩模图案的优化结果，不再需要传统的基于直接搜索算法优化掩模图案的方法中，对掩模图案对应的整个成像图案与整个目标图案之间相似度的计算，将计算时间缩短为原来的1/N，加速比为原来的N倍，N为曝光设备中所有节点的个数，实现了直接搜索算法的并行执行，从而提高了掩模图案的优化效率。

关键词：掩模图案成像图案曝光设备搜索算法相似度主节点光刻技术领域半导体制造并行执行存储介质局部图案目标图案目标像素时间缩短优化结果优化掩模传统的迭代像素预设申请优化并行分发存储图案

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掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质

掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质

作者：林东龙 201807 上海市嘉定区娄陆公路497号

本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，点接触角对角图形分别与原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据点接触角对角图形位置，... 详细信息

标准号: CN115829998A

本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，点接触角对角图形分别与原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；将待裁剪区域从原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。该技术方案中，通过对原始掩模图案进行裁剪，在不需要额外的空间进行图形外扩的基础上，可以解决原始掩模图案中点接触角对角图形结构违反MRC的问题，同时有效减弱OPC时出现的转角圆化现象，改善对掩模图案的处理效果，提高产品良率。

关键词：原始掩模图案对角掩模图案点接触裁剪半导体技术领域转角产品良率存储介质获取目标图形结构图形位置接触角外扩圆化剔除相交申请违反

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作者：和琨牛志元陈健杜德川 102399 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101

标准号: CN116819911A

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掩模图案形成方法、存储介质和基片处理装置

掩模图案形成方法、存储介质和基片处理装置

作者：山内刚川上真一路榎本正志日本东京都

标准号: CN111226303A

关键词：抗蚀剂膜蚀刻凹部图案防反射膜晶片残留金属图案金属抗蚀剂显影处理掩模图案电桥显影去除下层曝光阻碍

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作者：和琨牛志元陈健杜德川 102399 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101

标准号: CN116841135A

利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法

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利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法

作者：罗志勋李东根金熙范韩国京畿道水原市

提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系... 详细信息

标准号: CN110109322A

提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。

关键词：图像信号反射第一级零级光掩模图案检测器图像信号产生光检测区域计算器检测区域波带片反射极光传输掩模测量

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用于确定掩模图案和训练机器学习模型的方法

用于确定掩模图案和训练机器学习模型的方法

作者：陶峻曹宇克里斯多夫·艾伦·斯彭斯荷兰维德霍温

本文中描述一种用于确定掩模图案的方法和一种用于训练机器学习模型的方法。用于产生用于与图案化过程相关联的掩模图案的数据的所述方法包括：获得(i)与设计图案相关联的第一掩模图像(例如，CTM)；(ii)基于所述第一掩模图像的轮廓(例... 详细信息

标准号: CN116648672A

本文中描述一种用于确定掩模图案的方法和一种用于训练机器学习模型的方法。用于产生用于与图案化过程相关联的掩模图案的数据的所述方法包括：获得(i)与设计图案相关联的第一掩模图像(例如，CTM)；(ii)基于所述第一掩模图像的轮廓(例如，抗蚀剂轮廓)；(iii)基于所述设计图案的参考轮廓(例如，理想抗蚀剂轮廓)；和(iv)所述轮廓与所述参考轮廓之间的轮廓差。将所述轮廓差和所述第一掩模图像输入至模型以产生掩模图像修改数据。基于所述第一掩模图像和所述掩模图像修改数据，产生用于确定待用于所述图案化过程中的掩模图案的第二掩模图像。

关键词：掩模图像掩模图案图案化过程设计图案抗蚀剂关联训练机器参考学习