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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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15 篇 专利

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15 篇 电子文献
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2 篇 上海天马微电子有...
2 篇 深圳大学
2 篇 上海华力集成电路...
1 篇 上海芯刻微材料技...
1 篇 艾斯尔光电有限公...
1 篇 南京大学
1 篇 北京德瑞工贸有限...
1 篇 京东方科技集团股...
1 篇 上海新阳半导体材...
1 篇 泰州市西陵纺机工...
1 篇 南京工业大学
1 篇 上海中航光电子有...

作者

3 篇 曹兆铿
2 篇 王艳云
2 篇 陈成
2 篇 许箭
2 篇 王佳伟
2 篇 路璇
2 篇 邹彦双
2 篇 刁东风
1 篇 张锋
1 篇 程欣宇
1 篇 耿志月
1 篇 孙雷
1 篇 曹占锋
1 篇 李旸
1 篇 姚琪
1 篇 李冠宇
1 篇 姜校顺
1 篇 张斌
1 篇 陈宏渊
1 篇 顾佳新

语言

15 篇 中文

检索条件"主题词=掩模板图案"

共 15 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种便于表面清理的掩模板图案测量用工作台

一种便于表面清理的掩模板图案测量用工作台

引用

作者：陈宏渊 226300 江苏省南通市高新区康富路北侧、希望路东侧

本发明公开了一种便于表面清理的掩模板图案测量用工作台，包括底座、电机、出料口以及工作台本体；其中，所述底座的内部位置设置有蜗杆，且所述蜗杆内部的左侧开设有出料口；还包括：所述电机的输出端连接有蜗杆，且所述蜗杆的左侧外... 详细信息

标准号: CN114434399A

本发明公开了一种便于表面清理的掩模板图案测量用工作台，包括底座、电机、出料口以及工作台本体；其中，所述底座的内部位置设置有蜗杆，且所述蜗杆内部的左侧开设有出料口；还包括：所述电机的输出端连接有蜗杆，且所述蜗杆的左侧外壁设置有蜗轮盘，且所述蜗轮盘的轴端位置固定在转盘的后侧，所述转动盘设置在弹性过滤网的下方位置。该便于表面清理的掩模板图案测量用工作台，设置有蜗杆，通过电机带动蜗杆进行旋转的过程中，蜗杆的顶端将会带动转动盘进行旋转，故而使得转动盘顶端1将会挤压弹性过滤网，并且转盘的外表面边缘处活动连接的推板将会在出料口的内部进行来回移动，故而方便对灰尘进行集中收集。

关键词：蜗杆出料口转动盘弹性过滤网掩模板图案表面清理蜗轮盘工作台转盘底座电机测量电机带动蜗杆工作台本体输出端连接外表面边缘活动连接集中收集内部位置下方位置轴端位置左侧外壁推板挤压移动

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一种掩模板图案的测量方法

一种掩模板图案的测量方法

引用

作者：邹彦双 225300 江苏省泰州市西锋路18号

本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状... 详细信息

标准号: CN107329365B

本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

关键词：掩膜标记掩模板光探测器检测尺寸变化掩模标记图案化小区域晶片孔洞图案图案化工艺掩模板图案刻蚀工艺外延工艺形状变化标记层列方向衬底对准探测测量

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一种掩模板图案的测量方法

一种掩模板图案的测量方法

引用

作者：邹彦双 450000 河南省郑州市金水区红专路北街6号院5号楼

标准号: CN107329365A

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一种图案化石墨烯的制备方法

一种图案化石墨烯的制备方法

引用

作者：陈成王佳伟刁东风 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

本发明公开一种图案化石墨烯的制备方法，包括步骤：提供表面上设置有聚合物薄膜的基片；将表面上设置有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面上覆盖具有预设图案的掩模板，进行... 详细信息

标准号: CN114890409A

本发明公开一种图案化石墨烯的制备方法，包括步骤：提供表面上设置有聚合物薄膜的基片；将表面上设置有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面上覆盖具有预设图案的掩模板，进行电子照射后，得到图案化石墨烯。本发明利用电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统进行低能电子照射，暴露在掩模板图案中的聚合物薄膜经电子照射直接转化为石墨烯纳晶结构；同时在电子照射过程中当基片温度超过聚合物的热分解温度时，会使得被掩模板遮挡部分的聚合物薄膜完全分解气化，得到图案化石墨烯。本发明提供的方法可一步制备得到图案化石墨烯，制备周期短且可有效避免使用有机物清洗对石墨烯的破环与污染。

关键词：石墨烯聚合物薄膜图案化电子照射电子回旋共振等离子体加工系统纳米表面掩模板聚合物薄膜表面掩模板图案有机物清洗低能电子分解气化温度超过一步制备预设图案真空腔室直接转化制备周期聚合物热分解纳晶遮挡制备照射暴露覆盖污染

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一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

引用

作者：姜校顺顾佳新程欣宇李冠宇肖敏 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光... 详细信息

标准号: CN109870769A

本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF₂蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。

关键词：二氧化硅光刻胶层微盘制备二氧化硅层二氧化硅层表面蚀刻半导体工艺沉积隔离层隔离层表面硅基底表面掩模板图案干法蚀刻品质因子热氧化法硅基刻蚀去胶涂覆显影兼容曝光

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阵列基板及其制造方法、液晶显示面板

阵列基板及其制造方法、液晶显示面板

引用

作者：曹兆铿徐之际王征 201108 上海市闵行区华宁路3388号

本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。制造方法包括：在像素区域、数据线上形成绝缘层；通过半透膜掩模板图案化绝缘层，使像素区域中透光区域绝缘层厚度小于数据线上绝缘层厚度；在绝缘层上形成透明导电层，图案化透明... 详细信息

标准号: CN103295959B

本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。制造方法包括：在像素区域、数据线上形成绝缘层；通过半透膜掩模板图案化绝缘层，使像素区域中透光区域绝缘层厚度小于数据线上绝缘层厚度；在绝缘层上形成透明导电层，图案化透明导电层形成公共电极和像素电极，至少部分公共电极与数据线交叠。阵列基板包括：形成于数据线和像素区域上的绝缘层，像素区域中透光区域的绝缘层的厚度小于数据线上绝缘层的厚度；阵列基板还包括位于绝缘层上、与数据线至少部分交叠的公共电极，以及与薄膜晶体管的漏极相连的像素电极。本发明还提供一种包括阵列基板的液晶显示面板，本发明在提高像素区域光透过率的同时减小了耦合电容。

关键词：绝缘层数据线像素区域阵列基板公共电极液晶显示面板上绝缘层透光区域像素电极一种小于图案化透明导电层薄膜晶体管绝缘层厚度透明导电层掩模板图案部分交叠光透过率漏极相连耦合电容半透膜减小交叠

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一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法

一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法

引用

作者：李旸陆春华倪亚茹 210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号

本发明涉及一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法，具体步骤为：在衬底表面蒸镀硅层，于表面旋涂光刻胶并固化，利用光刻工艺将掩模板图案传递至光刻胶，经过显影后，以图案化的光刻胶为刻蚀掩模，再利用深硅刻蚀工艺将光刻胶... 详细信息

标准号: CN112624032A

本发明涉及一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法，具体步骤为：在衬底表面蒸镀硅层，于表面旋涂光刻胶并固化，利用光刻工艺将掩模板图案传递至光刻胶，经过显影后，以图案化的光刻胶为刻蚀掩模，再利用深硅刻蚀工艺将光刻胶微米结构传递至硅基底，利用深硅刻蚀工艺特性及其对光刻胶与硅的选择性横向刻蚀，获得T型多层沟槽微米复合结构，在表面修饰1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷单分子层后，即实现稳定的超疏水超疏油性能。所制得的纯微米复合凹角结构，具有优秀的超双疏性能和良好的耐磨性，制备方法简单适合批量生产，可应用于工业生产以及日常生活等领域的自清洁表面，应用前景广阔。

关键词：光刻胶硅刻蚀工艺微米结构制备复合应用前景广阔超双疏性能掩模板图案耐磨性凹角结构表面修饰超双疏性衬底表面单分子层复合结构光刻工艺横向刻蚀刻蚀掩模三氯硅烷超疏水疏油性图案化再利用自清洁传递凹角多层硅层硅基癸基全氟显影旋涂蒸镀固化应用生产

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KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法

KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法

引用

作者：方书农王溯耿志月 201616 上海市松江区思贤路3600号

本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法。具体地，本发明公开了一种以如式Ⅰ所示的化合物作为光产酸剂的KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法，主要包含涂覆、预烘烤、掩模板图案复制、再烘烤和显影等步骤。经本公开的KrF... 详细信息

标准号: CN116203796A

本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法。具体地，本发明公开了一种以如式Ⅰ所示的化合物作为光产酸剂的KrF光源厚膜光刻胶组合物的使用方法，主要包含涂覆、预烘烤、掩模板图案复制、再烘烤和显影等步骤。经本公开的KrF厚膜光刻胶组合物的使用方法，得到的胶膜矩形性佳。

关键词：厚膜光刻胶组合物光源掩模板图案光产酸剂矩形性预烘烤烘烤胶膜涂覆显影复制

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一种图案化石墨烯的制备方法

一种图案化石墨烯的制备方法

引用

作者：陈成王佳伟刁东风 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

标准号: CN114890409B

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阵列基板及其制作方法、显示面板

阵列基板及其制作方法、显示面板

引用

作者：路璇曹兆铿 201201 上海市浦东新区汇庆路888、889号

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板的制作方法包括：利用第一掩模板形成晶体管栅极；在晶体管栅极上形成栅极绝缘层；利用第二掩模板，在半导体层形成有源层，在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极；利用第... 详细信息

标准号: CN106847830B

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板的制作方法包括：利用第一掩模板形成晶体管栅极；在晶体管栅极上形成栅极绝缘层；利用第二掩模板，在半导体层形成有源层，在源漏极层形成晶体管源极和晶体管漏极；利用第三掩模板，在像素电极层形成像素电极，在有机绝缘材料层形成有机绝缘层，像素电极层和有机绝缘材料层形成有贯通的第一通孔；利用第四掩模板图案化第一钝化层和第二钝化层以暴露晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层；利用第五掩模板形成公共电极和辅助电极，辅助电极与第一通孔暴露出的晶体管漏极和第一通孔边缘处的像素电极层电连接。上述制作方法可以利用五次掩模板完成阵列基板的制作，降低了生产成本。

关键词：掩模板像素电极层晶体管漏极阵列基板有机绝缘材料层晶体管栅极辅助电极通孔边缘钝化层制作通孔晶体管源极掩模板图案有机绝缘层栅极绝缘层半导体层公共电极显示面板像素电极电连接源漏极暴露源层生产成本贯通申请

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