检索结果-内蒙古大学图书馆

实验技术与管理 2022年第4期39卷 104-110页

作者：李曼杨可萌郭宇锋顾世浦姚佳飞张珺张茂林南京邮电大学集成电路科学与工程学院信息电子技术国家级虚拟仿真实验教学中心电子科学与技术国家级实验教学中心江苏南京210023

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软... 详细信息

为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软件和版图设计软件进行二次开发,包含掩模板设计、虚拟制造、虚拟测试、版图设计4部分。该虚拟仿真实验具备自主开发、理念先进、综合性、创新性和工程性强等优点,为复杂理论实践教学提供了典型案例。

关键词：任意横向掺杂半导体功率器件掩模版设计虚拟制造虚拟测试版图设计

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InP基微环谐振器的理论分析及工艺研究

InP基微环谐振器的理论分析及工艺研究

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作者：张强华中科技大学

学位级别：博士

21世纪的社会是一个高度信息化的社会,其目标是实现3T:Tbit的单片存储器存储容量,Tbit/s的信息传输速率,T次/s的单个计算机处理速度,传统的电子技术很难实现这一目标。光子技术能很好的突破传统电子行业的瓶颈。InP材料作为光子技术的... 详细信息

21世纪的社会是一个高度信息化的社会,其目标是实现3T:Tbit的单片存储器存储容量,Tbit/s的信息传输速率,T次/s的单个计算机处理速度,传统的电子技术很难实现这一目标。光子技术能很好的突破传统电子行业的瓶颈。InP材料作为光子技术的一种基本材料,其材料带隙为直接带隙,在有源方面具有天然的优势。基于InP材料的微环谐振器,具有端面无须镀膜,以及半导体光放大器(SOA)的高非线性的特点,是实现全光信号处理,光计算,光集成的理想基元器件。国外对本器件开展了广泛的研究,而国内研究少之又少。本论文作者基于分岔理论,延拓法对耦合型InP基微环谐振器的核心物理机制-多双稳态,以及多稳态进行了深入研究,并设计制作了各种拓扑结构的InP基微环谐振器,另外构建有源器件测试平台,对部分器件进行了相关测试。本论文取得的研究成果如下： (1)分析了并联型InP基有源微环的稳态特性。本论文作者基于分岔理论及延拓法,对该器件的多稳态及多双稳态特性进行了分析,发现了各种新颖的稳态种类,并进行了命名。其中发现的新颖多双稳态包括帽型,刀型,S型蝴蝶,反相双S型多双稳态,而多稳态方面则包括反相双S型三稳态,啄木鸟型三稳态,蚱蜢型三稳态,鸭子型三稳态,伪四稳态。另外还发现这些稳态的种类以及跳变阈值等,可以通过改变注入电流以或者上载段偏置的连续光光功率来实现调节。该调节功能有助于提高实际制作器件时的工艺容忍度。 (2)分析了InP基串联型有源微环的稳态特性。对于该结构,发现改变不同耦合区的耦合系数,在该结构的下载端,只能观察到由多个逆时针磁滞环级联而成的多双稳态。当改变输入信号的波长时,伪四稳态会出现在该器件中,而当我们改变偏置的连续光光功率或者注入的电流时,发现只有磁滞环的个数及阈值发生变化。 (3)设计了各种各种耦合系数的40GHz单环,并联型微环,串联型InP基微环谐振器,以及二阶积分器。 (4)制作了设计的各种拓扑结构的InP基微环谐振器。完成了从晶圆清洗到N型电极蒸镀的整个流程。对于基于磁增强型反应离子刻蚀(MERIE)的二氧化硅掩模刻蚀,本论文作者进行了工艺摸索,发现在CHF3,以及02配比为70sccm, lsccm情况下,射频(RF)功率80W下,能实现81度的垂直侧壁；并采用ICP进行后续的刻蚀,验证了该参数的有效性；本论文作者制作了各种缝隙宽度的40GHz单环,并联型微环,串联型微环,以及二阶积分器,不同宽度的直波导。 (5)简单封装管芯,并构建有源器件测试平台,实验测试了2.5,2.0μm的直波导,以及FSR为40GHz,波导宽度为2.0μm的上下载型微环的光学以及电学特性。在2.5μm波导中成功观测到了激射。对于宽度为2.0μm的直波导,由于损耗高于2.5μm的直波导,在同等注入电流下,只观测到了放大性白发辐射(ASE)噪声输出。由于湿法腐蚀的侧向腐蚀,InP基微环谐振器的部分区域形成了切齿,从而导致后续的电极溅射,金属无法溅射到,剥离时该区域波导电极被剥离掉,因此微环损耗比较大,在散热允许的注入电流下,只观测到了自发辐射输出。

关键词： InP基微环谐振器多稳态多双稳态掩模版设计工艺制造有源器件测试平台自发辐射激射

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光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备

光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备

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作者：曹楠王谨恒王浩陈洁朱斌张剑 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩模版设计图形；对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割；在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上，按照预设的目... 详细信息

标准号: CN117666272A

本发明涉及一种光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩模版设计图形；对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割；在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上，按照预设的目标点间距放置多个目标点；所述掩模版设计图形包括与所述第一长边的距离不大于第一距离的图形；根据OPC模型对所述掩模版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩模版设计图形的边缘放置误差；根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整，得到掩模版制版图形。本发明能够有效地提高OPC修正精度，避免出现pinch。

关键词：掩模版设计边缘放置误差模拟曝光图形掩模版光学临近修正可读存储介质计算机设备多个目标间距放置目标点外边缘有效地长边预设制版解析线条分割

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用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法

用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法

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作者：王辉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图... 详细信息

标准号: CN110501871A

本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌；步骤四、进行后烘。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。

关键词：光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

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一种上转换荧光防伪标签的连续制备系统

一种上转换荧光防伪标签的连续制备系统

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作者：李岳彬王成柳维端赵倩茹黄浩胡永明顾豪爽 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

本实用新型提供了一种上转换荧光防伪标签的连续制备系统，系统是由防伪信息编码及掩模版设计、恒温电化学沉积和废液处理回收三个模块构成。防伪信息编码及掩模版设计模块完成了上转换荧光薄膜的图案化设计，恒温电化学沉积模块实现了... 详细信息

标准号: CN210287572U

本实用新型提供了一种上转换荧光防伪标签的连续制备系统，系统是由防伪信息编码及掩模版设计、恒温电化学沉积和废液处理回收三个模块构成。防伪信息编码及掩模版设计模块完成了上转换荧光薄膜的图案化设计，恒温电化学沉积模块实现了上转换荧光薄膜的制备，碱液处理回收模块完成了对废电解液的处理与回收。结合三个模块，能够实现一种上转换荧光防伪标签的连续制备系统。

关键词：上转换连续制备系统电化学沉积掩模版设计防伪信息荧光薄膜荧光防伪回收标签本实用新型废电解液废液处理碱液处理模块实现图案化制备

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一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具

一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具

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作者：梁红伟韩中元张克雄柳阳张振中张贺秋张赫之马浩然夏晓川 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细... 详细信息

标准号: CN218779008U

本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准的对准圆孔。本实用新型的用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，通过抽屉式多层可抽动的掩模版设计，和不同图案掩模的嵌套组合，有效解决了实验用碳化硅样品，多层电极尺寸对准精度不高，频繁更换样品引入沾污，多个分立掩模成本过高，不易保存等问题。本掩模夹具制备节约成本，可用于实验用多层复杂的电极结构制备。

关键词：掩模夹具制备本实用新型碳化硅电极对准抽拉式抽屉式实验用多层掩模嵌套图形化电极图形化掩模掩模版设计电极结构多层电极图案掩模有效解决镂空滑轨镂空可抽动可调整碳化硅方孔分立可用圆孔沾污精细保存节约引入

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一种聚合物实心微针的制作方法

一种聚合物实心微针的制作方法

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作者：韦献艺 541700 广西壮族自治区桂林市龙胜各族自治县龙胜镇古龙街3号

本发明公开了一种聚合物实心微针的制作方法，这种方法具有工艺简单、加工周期短、成本低、能在人体治疗时使用，以及能实现微针批量生产的特点，微针的数量、截面尺寸和长度可以通过掩模版设计和甩SU8胶的厚度改变，因而该方法具有很... 详细信息

标准号: CN107538652A

本发明公开了一种聚合物实心微针的制作方法，这种方法具有工艺简单、加工周期短、成本低、能在人体治疗时使用，以及能实现微针批量生产的特点，微针的数量、截面尺寸和长度可以通过掩模版设计和甩SU8胶的厚度改变，因而该方法具有很高的灵活性，可以用于模压工艺中，并且使用寿命更长。

关键词：微针掩模版设计加工周期模压工艺人体治疗实心微针使用寿命聚合物制作生产

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