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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

15 篇 专利

馆藏范围

15 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

10 篇 中芯国际集成电路...
2 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 国民油井华高有限...
1 篇 谢默斯皮福特公司
1 篇 德淮半导体有限公...

作者

2 篇 张浩
2 篇 荆学珍
2 篇 张海洋
2 篇 王卉
2 篇 张城龙
2 篇 高燕
2 篇 张田田
1 篇 王文博
1 篇 于海龙
1 篇 李广宁
1 篇 柯天麒
1 篇 郭厚林
1 篇 王阳阳
1 篇 刘喜林
1 篇 克里斯·阿蒙德
1 篇 孟晋辉
1 篇 曹启鹏
1 篇 苏迪尔·k·库尔卡尼...
1 篇 陈宏
1 篇 付博

语言

15 篇 中文

检索条件"主题词=插塞表面"

共 15 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

具有单独的静态密封和动态密封的扭矩减小阀

具有单独的静态密封和动态密封的扭矩减小阀

引用

作者：阿兰·福奥科克里斯·阿蒙德彼得·杰弗里·莱尔苏迪尔·K·库尔卡尼美国俄亥俄州

一种阀门组件(10)包括插塞(123)，插塞(123)沿中心轴线(C)延伸且包括具有外部插塞表面(129)的塞体(127)。所述外部插塞表面沿所述中心轴线在第一方向上径向向外锥化。所述阀门组件还包括套筒(101)，套筒(101)具有限定内部腔体(111)的内... 详细信息

标准号: CN116635655A

一种阀门组件(10)包括插塞(123)，插塞(123)沿中心轴线(C)延伸且包括具有外部插塞表面(129)的塞体(127)。所述外部插塞表面沿所述中心轴线在第一方向上径向向外锥化。所述阀门组件还包括套筒(101)，套筒(101)具有限定内部腔体(111)的内部套筒表面(109)。所述内部套筒表面在所述第一方向上径向向外锥化。所述塞体定位在所述套筒的内部腔体内。所述插塞可围绕所述中心轴线相对于所述套筒旋转，且所述插塞还可沿所述中心轴线相对于所述套筒平移。

关键词：套筒中心轴线插塞插塞表面阀门组件径向向外内部套筒塞体锥化平移内部腔体内部腔外部体内延伸

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：张浩荆学珍谭晶晶张田田许增升郭雯 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口内形成初始第一插塞；回刻蚀所述初始第一插塞，在所述第... 详细信息

标准号: CN112349651A

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口内形成初始第一插塞；回刻蚀所述初始第一插塞，在所述第一介质层内形成凹槽和位于凹槽底部的第一插塞；在所述凹槽内形成第二插塞，且所述第一插塞的材料和第二插塞的材料不同；在所述第二插塞和第一介质层表面形成第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出第二插塞的顶部表面；在所述第二开口内形成第三插塞，且所述第三插塞底部和第二插塞表面相接触。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

关键词：插塞介质层开口半导体结构基底表面介质层表面插塞表面顶部表面回刻蚀暴露基底刻蚀

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：赵炳贵 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一介质层、栅极结构以及源漏插塞表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成连接插塞，且所述连接插塞位于相邻的栅极结构和源漏插塞顶部表面；在所述第二介质层和连接插塞表面形... 详细信息

标准号: CN114141751A

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一介质层、栅极结构以及源漏插塞表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成连接插塞，且所述连接插塞位于相邻的栅极结构和源漏插塞顶部表面；在所述第二介质层和连接插塞表面形成第三介质层；在所述第三介质层内形成第一插塞，所述第一插塞顶部表面高于所述连接插塞的顶部表面，且所述第一插塞与所述连接插塞电连接。通过所述第三介质层将连接插塞隔离，并且通过所述第一插塞选择了需要外连的连接插塞，由于所述第一插塞占据的面积较小，有利于降低后续的导电层的布线难度。

关键词：连接插塞介质层插塞顶部表面栅极结构源漏半导体结构表面形成布线难度插塞表面导电层电连接隔离占据

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半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法

半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法

引用

作者：曹启鹏付博王卉 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法。由于该测试结构中，将沿X方向和/或Y方向上的同一行或同一列中的共享金属插塞表面上的第三子金属线串接，然后，在将串接后的多行或多列第一子金属线的末端串接作为... 详细信息

标准号: CN116027176A

本发明提供了一种半导体器件的测试结构、测试结构版图及其测试方法。由于该测试结构中，将沿X方向和/或Y方向上的同一行或同一列中的共享金属插塞表面上的第三子金属线串接，然后，在将串接后的多行或多列第一子金属线的末端串接作为第一测试链(假设为奇数行或奇数列的M2)，之后，利用同样的方法，将沿X方向或Y方向上的同一行或同一列中的与所述第三子金属线间隔开的第四子金属线串接(相对于第一测试链，则是偶数行或偶数列的M2)，以形成第二测试链，之后通过测试第一测试链和第二测试链，即奇数行的第二层金属线和偶数行的第二层金属线之间是否存在电流的方式，便可确定出共享金属插塞与其临近的正常金属插塞表面上的金属层M1是否短接。

关键词：测试链串接金属线测试结构金属插塞子金属线偶数行奇数行同一列测试结构版图半导体器件金属线间隔测试插塞表面正常金属共享金属层偶数列奇数列短接多列多行

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电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品

电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品

引用

作者：高燕 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品。其中，电容式指纹传感器的形成方法包括：提供前端器件层；在前端器件层上形成金属互连结构；形成金属互连结构至少包括：形成次顶层金属互连层；在次顶层金属互连层上形成第一绝缘层；在... 详细信息

标准号: CN106865486A

一种电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品。其中，电容式指纹传感器的形成方法包括：提供前端器件层；在前端器件层上形成金属互连结构；形成金属互连结构至少包括：形成次顶层金属互连层；在次顶层金属互连层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成第一通孔，第一通孔暴露至少部分次顶层金属互连层；在第一通孔内形成第一插塞；在第一绝缘层和第一插塞上形成第一刻蚀停止层；在第一刻蚀停止层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层和第一刻蚀停止层中形成第二通孔，第二通孔暴露至少部分第一插塞表面；在第二通孔内形成第二插塞；在第二绝缘层和第二插塞上方形成顶层金属互连层。所述形成方法形成的电容式指纹传感器中，指纹识别灵敏度提高。

关键词：绝缘层通孔互连层电容式指纹传感器次顶层金属刻蚀停止层金属互连结构前端器件层插塞插塞表面顶层金属指纹识别灵敏度暴露电子产品

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一种测试结构及测试方法

一种测试结构及测试方法

引用

作者：杨梅 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种测试结构，包括衬底层及若干分立的第一层间金属层，所述第一层间金属层与所述衬底层之间通过若干第一接触插塞电连接；所述测试结构还包括一连续分布的第二层间金属层，所述第二层间金属层通过若干第二接触插塞与所述第... 详细信息

标准号: CN105304614A

本发明提供一种测试结构，包括衬底层及若干分立的第一层间金属层，所述第一层间金属层与所述衬底层之间通过若干第一接触插塞电连接；所述测试结构还包括一连续分布的第二层间金属层，所述第二层间金属层通过若干第二接触插塞与所述第一层间金属层电连接。本发明将第一层间金属层通过第二接触插塞连接到一个大的第二层间金属层上，达到接地的效果，增强金属断线连接后，第一接触插塞表面的电势差；利用扫描电子显微镜电压对比原理，可以从晶圆背面观察第一接触插塞的明暗程度来反映第一接触插塞是否与第一层间金属层接触好，可以快速定位缺陷位置，反映制程缺陷，并实现早期缺陷监测的目的。

关键词：金属层第一层第一接触第二层插塞测试结构接触插塞衬底层扫描电子显微镜插塞表面电连接。电压对比断线连接晶圆背面快速定位连续分布明暗程度缺陷监测缺陷位置增强金属制程缺陷接地电连接电势差分立一种反映连接观察接触

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电阻结构及其形成方法

电阻结构及其形成方法

引用

作者：刘少东柯天麒王阳阳汤茂亮 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

一种电阻结构及其形成方法，其中，电阻结构包括：基底，所述基底包括第一区；位于所述基底第一区表面的第一电阻层，所述第一电阻层包括第一端部区；位于所述第一端部区表面的第一插塞，所述第一插塞与第一端部区接触；位于所述第一电... 详细信息

标准号: CN109860154A

一种电阻结构及其形成方法，其中，电阻结构包括：基底，所述基底包括第一区；位于所述基底第一区表面的第一电阻层，所述第一电阻层包括第一端部区；位于所述第一端部区表面的第一插塞，所述第一插塞与第一端部区接触；位于所述第一电阻层表面的第二电阻层，所述第二电阻层包括第二端部区，所述第二电阻层暴露出部分第一插塞；位于所述第一插塞表面的第二插塞，所述第二插塞与第一插塞接触，且所述第二插塞与第二端部区接触。所述电阻结构的电阻较大，且制造面积不额外增大。

关键词：插塞电阻层第一端部电阻结构基底第二端部第一区电阻层表面插塞表面插塞接触区表面电阻暴露制造

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电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品

电容式指纹传感器及其形成方法和电子产品

引用

作者：高燕 201203 上海市浦东新区张江路18号

标准号: CN106865486B

关键词：绝缘层通孔互连层电容式指纹传感器次顶层金属刻蚀停止层金属互连结构前端器件层插塞插塞表面顶层金属指纹识别灵敏度暴露电子产品

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半导体器件的形成方法

半导体器件的形成方法

引用

作者：张城龙张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件的形成方法。包括：在半导体衬底上的第一介质层内形成第一插塞后，在第一介质层上形成覆盖第一插塞的保护层；在保护层上形成第二介质层，并刻蚀第二介质层，在第二介质层内形成第二开孔，露出所述第一插塞顶... 详细信息

标准号: CN105226009A

本发明提供一种半导体器件的形成方法。包括：在半导体衬底上的第一介质层内形成第一插塞后，在第一介质层上形成覆盖第一插塞的保护层；在保护层上形成第二介质层，并刻蚀第二介质层，在第二介质层内形成第二开孔，露出所述第一插塞顶部的保护层后，去除所述第一插塞顶部的保护层，至露出第一插塞。其中，刻蚀第二介质层时，即使第一插塞表面有孔洞，保护层可有效保护第一插塞，避免刻蚀第二介质层产生的刻蚀副产物落入第一插塞的孔洞中，从而在后续向所述第二开孔内填充第二金属材料形成第二插塞后，避免所述刻蚀副产物影响第二插塞和第一插塞的性能。

关键词：插塞介质层保护层刻蚀孔洞刻蚀副产物第二开孔顶部半导体衬底上半导体器件金属材料露出插塞表面内填充去除一种落入后续覆盖产生保护影响有效

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半导体器件的形成方法

半导体器件的形成方法

引用

作者：张城龙张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

标准号: CN105226009B

关键词：插塞介质层保护层刻蚀孔洞刻蚀副产物第二开孔半导体器件金属材料插塞表面衬底去除填充半导体覆盖

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