检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 1989年第1期2卷 19-23页

作者：王东红武士香虞惇王贵华沈汉平哈尔滨工业大学

本文介绍为实现带有参比电极的ISFET测量探头微型化而研制成的一种新型探头。采用等离子聚合方法在ISFET敏感栅上覆盖一层聚苯烯薄膜(PPS),使其成为对H^+不敏感的参比场效应晶体管(REFET)。而后采用IC艺,将ISFET,REFET和伪参比电极集成... 详细信息

本文介绍为实现带有参比电极的ISFET测量探头微型化而研制成的一种新型探头。采用等离子聚合方法在ISFET敏感栅上覆盖一层聚苯烯薄膜(PPS),使其成为对H^+不敏感的参比场效应晶体管(REFET)。而后采用IC艺,将ISFET,REFET和伪参比电极集成化,得到可用于微量溶液测量的微型探头,将探头中的ISFET和REFET按差分对管方式连接于差放线路中,由于两管对溶液中pH值响应不同,可输出随pH值变化的差模信号。研制的REFET在pH4～pH11范围内几乎无响应,表明了PPS膜具有较少的表面态及良好的H^+掩蔽性。用集成化探头测量pH值,灵敏度可达55mV/pH。

关键词：聚苯乙烯等离子聚合半导体集成电路 pH测量离子敏场效应晶体管

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微波场效应晶体管开关

引用

电子对抗技术 1989年第1期4卷 31-34页

作者：刘扬英机电部二十九所

本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计的这种7.5～16.5GHz FET单刀三掷频段转换开关,测得的性能为:开关速度<60ns,插损为-4～+4dB,隔离≥20... 详细信息

本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计的这种7.5～16.5GHz FET单刀三掷频段转换开关,测得的性能为:开关速度<60ns,插损为-4～+4dB,隔离≥20dB,插入增益为4dB。

关键词：微波效应晶体管开关

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体引出结构SOI场效应晶体管等效电学装置及建模方法

体引出结构SOI场效应晶体管等效电学装置及建模方法

引用

作者：陈静伍青青罗杰馨柴展王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引... 详细信息

标准号: CN102147828B

本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。

关键词：场效应晶体管电学模型引出结构效应晶体管电学特性内部场寄生晶体管代表主体器件物理对器件晶体管并联外部建模拟合

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场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统

场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统

引用

作者：洪俊顾 B.J.奥布拉多维克徐康一 M.S.罗德韩国京畿道

本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此... 详细信息

标准号: CN111081776B

本发明涉及场效应晶体管、制造其的方法和包括其的片上系统。该制造场效应晶体管的方法包括在衬底上形成鳍、在鳍的彼此相反侧上形成源电极和漏电极、在鳍的位于源电极和漏电极之间的沟道部分上形成栅极堆叠、在鳍的位于栅极堆叠的彼此相反侧上的延伸部分上形成栅极间隔物、去除栅极间隔物的至少一部分以暴露鳍的延伸部分、以及使鳍的延伸部分变薄。在鳍的延伸部分变薄之后，鳍的沟道部分具有第一宽度，并且鳍的延伸部分具有小于第一宽度的第二宽度。

关键词：延伸栅极间隔物栅极堆叠漏电极相反侧源电极变薄沟道场效应晶体管效应晶体管片上系统制造场衬底去除暴露制造

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包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管

包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管

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作者：张明成陈倪尔美国加利福尼亚州

本发明涉及包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管，提供一种扩展漏极场效应晶体管的结构和形成一扩展漏极场效应晶体管的方法。源极区域耦接至半导体层，漏极区域耦接至该半导体层，以及第一栅极结构位于该半导体层的沟道区域上方。扩展漏极... 详细信息

标准号: CN112582474A

本发明涉及包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管，提供一种扩展漏极场效应晶体管的结构和形成一扩展漏极场效应晶体管的方法。源极区域耦接至半导体层，漏极区域耦接至该半导体层，以及第一栅极结构位于该半导体层的沟道区域上方。扩展漏极区域位于该沟道区域与该漏极区域之间。该扩展漏极区域包括位于该第一栅极结构与该漏极区域之间的该半导体层的一部分。第二栅极结构布设于该半导体层的该部分上方。

关键词：半导体层漏极区域效应晶体管栅极结构漏极场沟道区域耦接源极区域布设浮栅

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噻吩并吡嗪化合物和含有其的场效应晶体管

噻吩并吡嗪化合物和含有其的场效应晶体管

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作者：山下敬郎中山光杉冈尚日本东京

提供用作为有机半导体材料的噻吩并吡嗪化合物，以及能够通过涂布法或印刷法简便地将含有所述噻吩并吡嗪化合物的有机半导体材料成膜而形成有机半导体层且显示高载流子迁移率和电流开/关比的有机场效应晶体管，该有机场效应晶体管具有... 详细信息

标准号: CN102781945A

提供用作为有机半导体材料的噻吩并吡嗪化合物，以及能够通过涂布法或印刷法简便地将含有所述噻吩并吡嗪化合物的有机半导体材料成膜而形成有机半导体层且显示高载流子迁移率和电流开/关比的有机场效应晶体管，该有机场效应晶体管具有单极型特性。噻吩并吡嗪化合物如下述化学式（I）所示。【化1】（式中，Ar¹和Ar²为芳基、R¹和R²为相互独立的氢原子、烷基或芳基、或者相互键合成环的基团）。

关键词：吡嗪化合物有机半导体材料效应晶体管芳基载流子迁移率有机半导体单极型氢原子涂布法印刷法成膜电流机场

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1,3,6,8位四取代芘衍生物的合成及其在有机场效应晶体管中的应用

1,3,6,8位四取代芘衍生物的合成及其在有机场效应晶体管中的应用

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作者：高德青宫小杰郑朝月付振乾黄维 210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号

本专利旨在开发具有半导体性能的一类1，3，6，8位四取代芘衍生物，并应用于有机场效应晶体管。芘的1，3，6，8位引入系列噻吩单元，构筑四取代芘衍生物，利用化学反应进行材料的制备；然后以硅片为栅极、以芘衍生物为有机半导体材料，... 详细信息

标准号: CN110183419A

本专利旨在开发具有半导体性能的一类1，3，6，8位四取代芘衍生物，并应用于有机场效应晶体管。芘的1，3，6，8位引入系列噻吩单元，构筑四取代芘衍生物，利用化学反应进行材料的制备；然后以硅片为栅极、以芘衍生物为有机半导体材料，制备底栅顶接触场效应晶体管。R为以下基团：

关键词：芘衍生物制备有机场效应晶体管有机半导体材料化学反应半导体性能效应晶体管噻吩单元接触场硅片底栅构筑引入应用开发

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有机半导体薄膜、有机半导体元件以及有机场效应晶体管

有机半导体薄膜、有机半导体元件以及有机场效应晶体管

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作者：竹谷纯一冈本敏宏中西太宇人日本东京千代田区大手町二丁目2番1号(邮递区号:100-8105)

本发明提供一种包含有机半导体材料的有机半导体膜、以及含有所述有机半导体膜的有机半导体元件及有机场效应晶体管，所述有机半导体材料的合成容易，化学及物理特性稳定，且显示出高的载流子迁移率。本发明的有机半导体薄膜含有下述式... 详细信息

标准号: CN103311437A

本发明提供一种包含有机半导体材料的有机半导体膜、以及含有所述有机半导体膜的有机半导体元件及有机场效应晶体管，所述有机半导体材料的合成容易，化学及物理特性稳定，且显示出高的载流子迁移率。本发明的有机半导体薄膜含有下述式(1)所表示的化合物。[式(1)中，X为氧、硫或硒]。

关键词：有机半导体材料有机半导体有机半导体薄膜有机半导体元件载流子迁移率化学及物理效应晶体管化合物机场

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底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法

底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法

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作者：陈佳政邓运桢陈亮吟杨育佳何彩蓉中国台湾新竹市

本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特... 详细信息

标准号: CN116632048A

本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。

关键词：堆叠结构金属栅极结构半导体结构源极/漏极隔离特征衬底效应晶体管底部介电沟道层间隔物交错邻近隔离

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包括生物敏感场效应晶体管的感测电路及操作方法

包括生物敏感场效应晶体管的感测电路及操作方法

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作者：黄毓杰黄睿政谢正祥中国台湾新竹

本发明的实施例提供了一种感测电路，包括：生物敏感场效应晶体管(BioFET)，该晶体管包括：衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述衬底具有源极区和漏极区，第一控制栅极，设置在所述衬底的所述第一侧上，以及第二控制栅极... 详细信息

标准号: CN112578013B

本发明的实施例提供了一种感测电路，包括：生物敏感场效应晶体管(BioFET)，该晶体管包括：衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述衬底具有源极区和漏极区，第一控制栅极，设置在所述衬底的所述第一侧上，以及第二控制栅极，设置在所述衬底的所述第二侧上，所述第二控制栅极包括在所述衬底的所述第二侧上设置的感测膜；以及存储单元，耦合至所述第一控制栅极并且配置为存储所述第一控制栅极的第一阈值电压和所述第二控制栅极的第二阈值电压之间的差值。本发明的实施例还提供了一种用于操作晶体管的方法。

关键词：控制栅极衬底阈值电压晶体管效应晶体管存储单元感测电路耦合感测膜漏极区敏感场源极区存储配置

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