检索结果-内蒙古大学图书馆

紫金山天文台台刊 1991年第3期10卷 247-253页

作者：肖可成

本文介绍了一种高性能W波段高频端Gunn管固态振荡器的研制工作,该振荡器为基波和二次谐波频率设计了一个公共波导振荡腔,基波频率低于W波导截止频率,很易于活塞和变容管调谐.由于采取了改进措施,机械调节频宽达100—115GHz,带内功率输... 详细信息

本文介绍了一种高性能W波段高频端Gunn管固态振荡器的研制工作,该振荡器为基波和二次谐波频率设计了一个公共波导振荡腔,基波频率低于W波导截止频率,很易于活塞和变容管调谐.由于采取了改进措施,机械调节频宽达100—115GHz,带内功率输出均大于5mW,最大输出可达18.5mW,改变Gunn管偏压获得的线性电调范围大于250MHz.振荡器频率高,功率输出大,频谱纯,已应用于紫金山天文台大型毫米波望远镜2.6mm渡段的锁相本振系统.

关键词：振荡器效应管宽带机性能

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一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法

一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法

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作者：刘旭兰华兵刘涛 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新南九道10号深圳湾生态园10栋A座12层

本发明公开了一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，涉及场效应管技术领域，解决了碳化硅场效应管的有源区设计容易存在设计结果偏离度大，精度较差的技术问题。该方法包括：计算目标场效应管在目标栅极电压Vgs及目标漏源电流IDS下... 详细信息

标准号: CN117572186A

本发明公开了一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，涉及场效应管技术领域，解决了碳化硅场效应管的有源区设计容易存在设计结果偏离度大，精度较差的技术问题。该方法包括：计算目标场效应管在目标栅极电压Vgs及目标漏源电流I_DS下的目标漏源压降V_DS；测量参考场效应管，得到多条参考正向特性曲线；计算参考场效应管的参考有源区面积A’；基于目标漏源压降V_DS、参考正向特性曲线、参考有源区面积A’，计算目标场效应管的目标电流密度，得到目标有源区面积A，以及目标有源区长度W、目标有源区宽度L。本发明可精确计算目标场效应管的有源区面积、有源区长度及有源区宽度。

关键词：源区场效应管计算目标参考正向特性参考场碳化硅效应管漏源压降参数计算漏源电流设计结果栅极电压偏离度测量

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场效应管加工多工位引脚弯折整形装置

场效应管加工多工位引脚弯折整形装置

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作者：邓常春 523808 广东省东莞市松山湖新城大道3号A栋102房

本发明公开了场效应管加工多工位引脚弯折整形装置，包括：底座、液压杆、T型压板和托台；所述底座上方设置有液压杆，所述液压杆下方设置有T型压板，所述下方设置有托台，所述托台连接在底座上方，支撑架，连接在所述底座上表面，所述... 详细信息

标准号: CN116571656A

本发明公开了场效应管加工多工位引脚弯折整形装置，包括：底座、液压杆、T型压板和托台；所述底座上方设置有液压杆，所述液压杆下方设置有T型压板，所述下方设置有托台，所述托台连接在底座上方，支撑架，连接在所述底座上表面，所述支撑架下方连接有液压杆，通过将多个场效应管放置在多组放置槽内，启动液压杆带动固定板将场效应管挤压在放置槽内，并继续下压挤压弹簧，同时一侧的T型压板将场效应管的引脚同时压弯，进而提高加工效率，通过控制液压杆上升，磁铁带动铁板从放置槽底部升起，将场效应管推出并掉入收纳框内，磁铁继续上升，超过磁吸范围后与铁板断开向下旋转复位，进而自动出料。

关键词：液压杆场效应管放置槽托台底座支撑架磁铁铁板底座上表面挤压弹簧加工效率向下旋转引脚弯折整形装置自动出料多工位固定板收纳框效应管磁吸复位下压压弯引脚断开挤压加工

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一种场效应管串联反射式肖特基二极管的模拟预失真器

一种场效应管串联反射式肖特基二极管的模拟预失真器

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作者：许高明欧阳贵喜韩栋刘太君黄力 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

本发明公开了一种场效应管串联反射式肖特基二极管的模拟预失真器，包括第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路、肖特基二极管和场效应管，第一偏置电路利用肖特基二极管本身产生的非线性，采用控制偏置电压的方式进行预失真，第二... 详细信息

标准号: CN113242023A

本发明公开了一种场效应管串联反射式肖特基二极管的模拟预失真器，包括第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路、肖特基二极管和场效应管，第一偏置电路利用肖特基二极管本身产生的非线性，采用控制偏置电压的方式进行预失真，第二偏置电路和第三偏置电路分别利用场效应管本身产生的非线性进行预失真，第一偏置电路对射频原始信号RFin进行预失真处理，产生第一失真信号V₁(t)，第二偏置电路采用控制场效应管栅极电压的方式对第一失真信号V₁(t)进行预失真处理，产生第二失真信号V₂(t)，第三偏置电路采用控制场效应管漏极电压的方式对第二失真信号V₂(t)进行预失真处理；优点是结构简单，体积小，成本低廉，易于操作和实现，作用于宽带调制信号时预失真精度较高。

关键词：偏置电路失真信号肖特基二极管预失真处理预失真场效应管控制场效应管场效应管串联宽带调制信号漏极电压偏置电压预失真器原始信号栅极电压反射式体积小射频

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场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底

场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底

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作者：周飞 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号

本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底，能够在满足场效应管小尺寸需求的情况下，减小场效应管的GIDL电流。该制备方法包括：提供半导体衬底，至少一部分半导体衬底上铺设有栅介质层，栅介质层上设有栅极结构以... 详细信息

标准号: CN111755336A

本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底，能够在满足场效应管小尺寸需求的情况下，减小场效应管的GIDL电流。该制备方法包括：提供半导体衬底，至少一部分半导体衬底上铺设有栅介质层，栅介质层上设有栅极结构以及侧墙，且侧墙至少覆盖栅极结构侧壁；其中，栅介质层下方预设区域的半导体衬底与预设区域外侧的半导体衬底形成台阶；设置隔离层，隔离层覆盖台阶的部分侧壁；在半导体衬底上配置源极以及漏极，源极以及漏极的顶面与台阶齐平。本发明在GIDL电流的传输路径上利用隔离层进行了阻挡，从而能够在满足场效应管小尺寸需求的情况下，减小场效应管的GIDL电流。

关键词：衬底场效应管半导体栅介质层隔离层尺寸需求预设区域侧墙减小漏极制备栅极结构侧壁传输路径台阶齐平栅极结构配置源效应管鳍式场侧壁顶面源极覆盖上铺阻挡

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横向纳米片场效应管的制造方法

横向纳米片场效应管的制造方法

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作者：翁文寅 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种横向纳米片场效应管的制造方法，提供衬底，在衬底上形成纳米片叠层，纳米片叠层包括底部牺牲隔离层以及形成于底部牺牲隔离层上交替的一组或多组牺牲层和半导体层，在纳米片叠层上形成第一硬掩膜层；图形化第一硬掩膜层... 详细信息

标准号: CN117238948A

本发明提供一种横向纳米片场效应管的制造方法，提供衬底，在衬底上形成纳米片叠层，纳米片叠层包括底部牺牲隔离层以及形成于底部牺牲隔离层上交替的一组或多组牺牲层和半导体层，在纳米片叠层上形成第一硬掩膜层；图形化第一硬掩膜层及其下方的纳米片叠层为所需的关键尺寸；利用刻蚀去除底部牺牲隔离层的外侧部分形成间隙，之后在衬底上形成覆盖纳米片叠层且填充间隙的第二硬掩膜层；去除衬底上及其纳米片叠层侧壁上的第二硬掩膜层，使得间隙中的第二硬掩膜层保留；在衬底上形成用于纳米片叠层隔离的浅沟槽，之后在浅沟槽上形成覆盖纳米片叠层的浅沟槽隔离层。本发明抑制了横向纳米片场效应管的漏电流。

关键词：纳米片叠层硬掩膜层衬底隔离层浅沟槽效应管去除浅沟槽隔离层半导体层交替的漏电流图形化牺牲层侧壁覆盖刻蚀填充隔离保留制造

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鳍式场效应管的形成方法

鳍式场效应管的形成方法

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作者：毛刚 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在所述表面、第一鳍部侧壁表面以及第二鳍部侧壁表面形成衬垫氧化层；在第一区域的衬垫氧化层表面形成绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层表面、以及第二区域的衬垫氧化层表面沉积前驱材料层；在含H2O氛围下... 详细信息

标准号: CN106952873B

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在所述表面、第一鳍部侧壁表面以及第二鳍部侧壁表面形成衬垫氧化层；在第一区域的衬垫氧化层表面形成绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层表面、以及第二区域的衬垫氧化层表面沉积前驱材料层；在含H₂O氛围下对前驱材料层进行固化退火处理，将前驱材料层转化为绝缘层，在固化退火处理过程中，第一鳍部侧壁被氧化形成第一氧化层，第二鳍部侧壁被氧化形成第二氧化层，且第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度；去除部分厚度的绝缘层形成隔离层，且还去除高于隔离层顶部的衬垫氧化层、绝缘阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层。本发明在形成隔离层之后，第一鳍部的关键尺寸大于第二鳍部的关键尺寸，且工艺步骤简单。

关键词：氧化层鳍部衬垫氧化层绝缘阻挡层前驱材料侧壁表面退火处理隔离层侧壁去除固化绝缘层隔离层顶部绝缘层形成表面沉积表面形成第二区域第一区域工艺步骤效应管鳍式场转化

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离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路

离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路

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作者：王倩刘昱卫宝跃张海英 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明实施例公开了一种离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路。所述读出电路包括基于P型离子敏感场效应管的pH值感应电路、基于金属氧化物半导体场效应管的吉尔伯特增益电路、增益电流源和电流镜电路，P型离子敏感场效应管和金... 详细信息

标准号: CN104614431B

本发明实施例公开了一种离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路。所述读出电路包括基于P型离子敏感场效应管的pH值感应电路、基于金属氧化物半导体场效应管的吉尔伯特增益电路、增益电流源和电流镜电路，P型离子敏感场效应管和金属氧化物半导体场效应管均工作于亚阈值区，pH值感应电路的第一输入端和第二输入端分别与第一输入参考电极和第二输入参考电极相连，第一输出端和第二输出端分别与吉尔伯特增益电路的第一差分信号输入端和第二差分信号输入端相连；吉尔伯特增益电路的增益电流输入端与增益电流源的负极相连，第一电流输出端和第二电流输出端分别与电流镜电路的输入端和输出端相连；增益电流源的正极与电源电压V_DD相连。

关键词：输入端增益电路电流源敏感场效应管金属氧化物半导体场效应管电流镜电路电流输出端参考电极差分信号读出电路感应电路输出端正极电流输入端输出端相连负极电流模式电源电压亚阈值区传感器离子

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基于场效应管漏源电压反馈的固态开关及策略优化方法

基于场效应管漏源电压反馈的固态开关及策略优化方法

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作者：陆玉芳陈海峰陈春海黄志爱蒙凯 541004 广西壮族自治区桂林市七星区朝阳路信息产业园D-12号地块E座3-01号

本发明涉及开关设备技术领域，具体涉及一种基于场效应管漏源电压反馈的固态开关及策略优化方法，通过在固态开关上增加漏源电压反馈电路，当负载发生短路或大倍率过流情况时，不再因分断能力不足、保护时间过长而造成的固态开关中功率... 详细信息

标准号: CN118174704A

本发明涉及开关设备技术领域，具体涉及一种基于场效应管漏源电压反馈的固态开关及策略优化方法，通过在固态开关上增加漏源电压反馈电路，当负载发生短路或大倍率过流情况时，不再因分断能力不足、保护时间过长而造成的固态开关中功率场效应管损毁及负载损毁的情况，极大延长了场效应管的寿命；同时当接入容性类负载配电系统中时，开通瞬间不会因为瞬时大电流的冲击造成固态开关的误保护；进一步的，通过增加新的控制策略后，对过流、短路、容性负载及电机负载等情况就会有相应的保护措施，不会再因上述情况造成固态开关中功率场效应管损毁及负载的损毁后而导致的负载异常掉电的情况。

关键词：固态开关损毁功率场效应管漏源电压短路瞬时大电流策略优化场效应管电机负载反馈电路分断能力负载异常开关设备控制策略配电系统容性负载大倍率效应管掉电容性反馈开通

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基于有机场效应管紫外探测器及其制备方法

基于有机场效应管紫外探测器及其制备方法

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作者：颜培园于宝李海燕王南丁付雯铮王宇袁亚飞刘兰宁 250014 山东省济南市历下区燕子山路36号

本发明公开了一种基于有机场效应管紫外探测器及其制备方法，属于光探测器制备技术领域。该基于有机场效应管紫外探测器，其介电层的材料为生物介电材料、半导体层的材料为半导体材料与介电材料的混合材料、调控层的材料为生物介电材料... 详细信息

标准号: CN116406171A

本发明公开了一种基于有机场效应管紫外探测器及其制备方法，属于光探测器制备技术领域。该基于有机场效应管紫外探测器，其介电层的材料为生物介电材料、半导体层的材料为半导体材料与介电材料的混合材料、调控层的材料为生物介电材料与真黑色素的混合物。采用生物介电材料制备成介电层；在制备过程中，杜绝了有毒试剂的使用，实现绿色工艺，而且实现了机场效应管紫外探测器的低电压驱动，从而为应用于生物电子奠定基础。采用生物介电材料与真黑色素混合材料作为金半接触调控层，有效的降低了探测器的暗电流，提升了器件的稳定性，大幅度提升探测器的光电流，从而有效的提升探测器的探测性能。

关键词：生物介电紫外探测器探测器有机场效应管混合材料调控层黑色素半导体材料制备技术领域低电压驱动半导体层材料制备成介电层光探测器介电材料金半接触绿色工艺生物电子探测性能制备过程混合物暗电流光电流介电层效应管制备机场应用

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