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文献类型

  • 3 篇 专利

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

  • 2 篇 东南大学
  • 1 篇 中国科学院上海微...

作者

  • 2 篇 刘波
  • 2 篇 蔡浩
  • 2 篇 李鑫
  • 2 篇 周永亮
  • 1 篇 任志鹏
  • 1 篇 尹伊哲
  • 1 篇 陈静
  • 1 篇 刘玉兰
  • 1 篇 胡一波

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=数据传输晶体管"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
存算一体化单元
存算一体化单元
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作者: 陈静 刘玉兰 胡一波 任志鹏 尹伊哲 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供了一种存算一体化单元,包括6T的SRAM存储单元以及4T的运算结构,所述运算结构在位线正向信号侧包括串接的正向数据传输晶体管和正向逻辑运算晶体管,正向数据传输晶体管的源/漏连接位线正向信号,栅极连接运算使能信号,正... 详细信息
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利用隧道场效应抑制漏电的混合非易失性随机存储器
利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器
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作者: 蔡浩 周永亮 李鑫 刘波 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
本发明公开了利用隧道场效应抑制漏电的混合非易失性随机存储器,该随机存储器SRAM包括上电后存储数据的SRAM存储模块、断电前保存数据的磁隧道结(MTJ)写入路径、电源恢复后SRAM数据恢复路径、磁隧道结(MTJ)数据恢复路径,SRAM存储模... 详细信息
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利用隧道场效应抑制漏电的混合非易失性随机存储器
利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器
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作者: 蔡浩 周永亮 李鑫 刘波 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
本发明公开了利用隧道场效应抑制漏电的混合非易失性随机存储器,该随机存储器SRAM包括上电后存储数据的SRAM存储模块、断电前保存数据的磁隧道结(MTJ)写入路径、电源恢复后SRAM数据恢复路径、磁隧道结(MTJ)数据恢复路径,SRAM存储模... 详细信息
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