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作者

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  • 2 篇 表锡洙
  • 2 篇 小川大也
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  • 2 篇 刘丹
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  • 2 篇 邢优胜
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  • 2 篇 仓藤崇
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  • 2 篇 王勇
  • 2 篇 姜会林
  • 2 篇 u.布勒歇尔

语言

  • 34 篇 中文
检索条件"主题词=数据存储器单元"
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存储装置和存储方法
存储装置和存储方法
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作者： 仓藤崇 小川大也 带刀恭彦 日本东京
本发明涉及存储装置和存储方法。存储装置包括数据存储器单元和状态存储器单元。数据存储器单元包括要通过互补读取模式读取的一对闪速存储器单元，并且1位数据由该一对闪速存储器单元存储在其中。状态存储器单元包括要通过参考读取模... 详细信息
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存储装置和存储方法
存储装置和存储方法
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作者： 仓藤崇 小川大也 带刀恭彦 日本东京
本发明涉及存储装置和存储方法。存储装置包括数据存储器单元和状态存储器单元。数据存储器单元包括要通过互补读取模式读取的一对闪速存储器单元，并且1位数据由该一对闪速存储器单元存储在其中。状态存储器单元包括要通过参考读取模... 详细信息
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对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失
对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失
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作者： V.戴普 卢景煌 董颖达 美国得克萨斯州
本发明提供了一种用于减少选择栅极晶体管中的电荷损失的存储器设备和相关联技术。虚设存储器单元使用热电子注入类型的干扰被弱编程，以减少空穴朝向公共电荷俘获层中的相邻选择栅极晶体管的移动。所述弱编程可以发生在编程循环中，例... 详细信息
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通过虚拟字线的延迟斜升来减少干扰
通过虚拟字线的延迟斜升来减少干扰
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作者： X·于 Y·董 美国德克萨斯州
一种用于减少存储器设备中的选择栅极晶体管和虚拟存储器单元的干扰的存储器设备和相关技术。在一种方法中，在编程循环的预充电阶段之后，相对于编程循环的编程阶段中的数据字线的电压的斜升，延迟虚拟字线的电压的斜升。在整个预充电... 详细信息
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在编程期间预充电之后通过虚拟字线的延迟斜升来减少干扰
在编程期间预充电之后通过虚拟字线的延迟斜升来减少干扰
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作者： X·于 Y·董 美国德克萨斯州
一种用于减少存储器设备中的选择栅极晶体管和虚拟存储器单元的干扰的存储器设备和相关技术。在一种方法中，在编程循环的预充电阶段之后，相对于编程循环的编程阶段中的数据字线的电压的斜升，延迟虚拟字线的电压的斜升。在整个预充电... 详细信息
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3D存储器中的晶体管阈值电压维持
3D存储器中的晶体管阈值电压维持
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作者： S·西塔拉曼 P·萨格迪奥 S·桑科勒 C·叶 美国加利福尼亚州
本发明题为“3D存储器中的晶体管阈值电压维持”。本发明提供了用于维持存储器设备中的非数据晶体管的阈值电压的技术。该存储器设备具有叠堆，该叠堆包括交替的水平导电层和水平介电层。控制电路被配置为响应于相对于叠堆的第一层中的... 详细信息
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传感器系统
传感器系统
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作者： 井上宏之 大庭仁志 嶋田浩二 细田亨 中下直哉 竹川肇 堀江健嗣 吉浦豪 宫胁舞 日本京都府
本发明提供一种传感器系统，在例如视觉传感器、位移传感器等这样的处理图像的联装式传感器系统中，通过对已有的系统导入所需要最小限度的新的单元，可在低成本中实现图像数据收集功能和库切换功能等。可以具有：传感器控制器将从传感... 详细信息
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对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失
对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失
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作者： V.戴普 卢景煌 董颖达 美国得克萨斯州
本发明提供了一种用于减少选择栅极晶体管中的电荷损失的存储器设备和相关联技术。虚设存储器单元使用热电子注入类型的干扰被弱编程，以减少空穴朝向公共电荷俘获层中的相邻选择栅极晶体管的移动。所述弱编程可以发生在编程循环中，例... 详细信息
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3D存储器中的晶体管阈值电压维持
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作者： S·西塔拉曼 P·萨格迪奥 S·桑科勒 C·叶 美国加利福尼亚州
本发明题为“3D存储器中的晶体管阈值电压维持”。本发明提供了用于维持存储器设备中的非数据晶体管的阈值电压的技术。该存储器设备具有叠堆，该叠堆包括交替的水平导电层和水平介电层。控制电路被配置为响应于相对于叠堆的第一层中的... 详细信息
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一种勘验报告自动生成系统
一种勘验报告自动生成系统
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作者： 梁瑛琳 525000 广东省茂名市茂南区油城九路2号大院
本实用新型涉及信息设备技术领域，公开了一种勘验报告自动生成系统。包括控制器单元、数据存储器单元和打印装置；所述控制器单元连接有显示器和键盘，所述控制器单元包括已知勘验信息获取模块、报告模板选择模块、用于调用已知勘验信... 详细信息
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