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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

67 篇 专利

馆藏范围

67 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

14 篇 中国科学院上海微...
5 篇 三菱电机株式会社
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 清华大学
4 篇 精工电子有限公司
3 篇 松下电器产业株式...
2 篇 艾普凌科有限公司
2 篇 智原科技股份有限...
2 篇 西安中兴新软件有...
2 篇 太原理工大学
2 篇 中国科学院长春光...
2 篇 上海市纳米科技与...
2 篇 中国科学院合肥物...
2 篇 智原微电子有限公...
2 篇 高科创芯科技有限...
2 篇 深圳市安健科技有...
2 篇 郑州炜盛电子科技...
2 篇 广州印芯半导体技...
1 篇 无锡华润上华半导...
1 篇 lg半导体株式会社

作者

14 篇 宋志棠
14 篇 陈后鹏
12 篇 李喜
8 篇 蔡道林
6 篇 渡边考太郎
4 篇 解晨晨
4 篇 王倩
4 篇 见谷真
4 篇 潘立阳
4 篇 伍冬
3 篇 日高秀人
2 篇 高胜国
2 篇 增尾昭
2 篇 苏佳乐
2 篇 古瑞琴
2 篇 邱晓晗
2 篇 闵国全
2 篇 县泰宏
2 篇 金荣
2 篇 雷宇

语言

67 篇 中文

检索条件"主题词=数据读出电路"

共 67 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

数据读出电路、数据读出方法和存储器

数据读出电路、数据读出方法和存储器

引用

作者：武贤君尚为兵 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种数据读出电路、数据读出方法和存储器，包括：延时生成模块，基于初始抓取信号和每一存储区域的数据传输延迟，生成每一存储区域的子抓取信号，并基于所有子抓取信号生成抓取使能信号；读写... 详细信息

标准号: CN116741223A

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种数据读出电路、数据读出方法和存储器，包括：延时生成模块，基于初始抓取信号和每一存储区域的数据传输延迟，生成每一存储区域的子抓取信号，并基于所有子抓取信号生成抓取使能信号；读写控制模块接收到每一存储区域从全局数据线传输的数据的时间和接收到对应于存储区域的子抓取信号的时间之间的时间间距满足预设范围；读写控制模块基于抓取使能信号，将全局数据线上的数据读出至数据总线；全局数据线基于列选择信号通过列译码模块将存储区域的数据读出，以优化DRAM的tCCD。

关键词：抓取存储区域全局数据线读出读写控制模块使能信号数据传输延迟数据读出电路半导体电路列选择信号生成模块数据总线信号生成译码模块存储器延时预设传输优化

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数据读出电路

数据读出电路

引用

作者：见谷真渡边考太郎日本千叶县

本发明提供在读出中被施加高电压也不会误写入数据且正常读出数据的数据读出电路。该结构包括：非易失性存储元件；具备输入反相器和输出反相器和MOS晶体管的闩锁电路；在非易失性存储元件与闩锁电路之间连接的第一MOS晶体管；在闩锁电... 详细信息

标准号: CN105405466B

本发明提供在读出中被施加高电压也不会误写入数据且正常读出数据的数据读出电路。该结构包括：非易失性存储元件；具备输入反相器和输出反相器和MOS晶体管的闩锁电路；在非易失性存储元件与闩锁电路之间连接的第一MOS晶体管；在闩锁电路与第一电源端子之间连接的第二MOS晶体管；用于使第一MOS晶体管的栅极偏置的第一偏置电路；以及用于使闩锁电路的MOS晶体管偏置的第二偏置电路，在读出非易失性存储元件的数据时，第一偏置电路和第二偏置电路输出既定的偏置电压。

关键词：偏置电路闩锁电路非易失性存储元件读出数据读出电路输出反相器输入反相器电源端子读出数据偏置电压写入数据栅极偏置高电压偏置施加输出

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一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路

一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路

引用

作者：张锋任骐锐 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本申请公开一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路，阻变存储器的数据读出电路，包括：自适应灵敏电流放大器和参考电流生成器，所述自适应灵敏电流放大器用于电连接阻变存储器，所述自适应灵敏电流放大器与所述参考电流生成器电... 详细信息

标准号: CN115240736A

本申请公开一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路，阻变存储器的数据读出电路，包括：自适应灵敏电流放大器和参考电流生成器，所述自适应灵敏电流放大器用于电连接阻变存储器，所述自适应灵敏电流放大器与所述参考电流生成器电连接；所述参考电流生成器用于生成基础参考电流；所述自适应灵敏电流放大器用于根据所述基础参考电流和阻变存储器的位线电流得到参考电流；所述自适应灵敏电流放大器用于比对所述参考电流与所述位线电流的大小，以读出存储数据。能够改善阻变存储器的高阻态退化带来数据读出错误的问题。

关键词：电流放大器阻变存储器自适应灵敏参考电流生成器数据读出电路参考电流基础参考位线电流电连接读出存储阻变存储高阻态比对读出电路退化申请

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一种数据读出电路及存储器

一种数据读出电路及存储器

引用

作者：不公告发明人 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1388号12栋11层6号

本发明公开了一种数据读出电路及存储器，涉及OTP一次性可编程存储器技术领域。所述数据读出电路包括比较基准电路和放大器电路，所述比较基准电路连接放大器电路，所述放大器电路还接入多个存储单元；所述放大器电路，用于依次读入多... 详细信息

标准号: CN114758709A

本发明公开了一种数据读出电路及存储器，涉及OTP一次性可编程存储器技术领域。所述数据读出电路包括比较基准电路和放大器电路，所述比较基准电路连接放大器电路，所述放大器电路还接入多个存储单元；所述放大器电路，用于依次读入多个存储单元中的数据，并依次和所述比较基准电路中的基准信号进行比较，不仅实现OTP正常功能读出，同时还实现E‑fuse模式下编程不足、I‑fuse编程过度情况下的数据读出。本发明可以允许保险丝电阻很大范围的变化，只要最终电阻能够大于参考电阻都能正常读出数据；本发明提高了OTP的可靠性，使得编程写入数据变得可靠。

关键词：放大器电路比较基准数据读出电路存储单元编程读出电路一次性可编程存储器保险丝电阻编程不足参考电阻电路连接读出数据基准信号写入数据正常功能存储器电阻读入

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一种高性能SRAM数据读出电路

一种高性能SRAM数据读出电路

引用

作者：李晓敏唐小青王强 210000 江苏省南京市浦口区星火路17号创智大厦B座7楼

本发明公开了一种高性能SRAM数据读出电路，包含未知锁存数据的存储阵列，已知锁存数据的存储单元和不对称灵敏放大器。当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，两根位线同时放电，其电压差很小，利用不对称... 详细信息

标准号: CN112687311A

本发明公开了一种高性能SRAM数据读出电路，包含未知锁存数据的存储阵列，已知锁存数据的存储单元和不对称灵敏放大器。当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，两根位线同时放电，其电压差很小，利用不对称灵敏放大器的失调电压读出数据；当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据相同时，一根位线维持高电平不变，另外一根位线在两个存储单元的作用下加速放电，两根位线的电压差迅速达到并超过灵敏放大器的失调电压，灵敏放大器可准确读出数据。第一种情况下字线打开即可进行检测，第二种情况下位线在两个存储单元的作用下加速放电，位线电压差快速达到灵敏放大器可检测出来的数值。本发明可改善SRAM读出性能，减少读延时。

关键词：锁存数据存储单元位线灵敏放大器存储阵列放电不对称灵敏放大器读出数据失调电压电压差锁存数据读出电路读出性能位线电压高电平可检测延时字线检测

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相变存储器的数据读出电路及方法

相变存储器的数据读出电路及方法

引用

作者：李喜解晨晨陈后鹏陈一峰宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种相变存储器的数据读出电路及方法，包括：参考读电压产生电路、读电压预充电电路、目标相变存储单元、未选中相变存储单元、电压比较器电路；其中，所述参考读电压产生电路与所述电压比较器电路连接，所述读电压预充电电... 详细信息

标准号: CN109903801B

本发明提供一种相变存储器的数据读出电路及方法，包括：参考读电压产生电路、读电压预充电电路、目标相变存储单元、未选中相变存储单元、电压比较器电路；其中，所述参考读电压产生电路与所述电压比较器电路连接，所述读电压预充电电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述未选中相变存储单元所在位线连接，所述目标相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述未选中相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述电压比较器电路与所述读电压预充电电路连接。本发明的相变存储器的数据读出电路及方法读出速度快、功耗低且误读率低。

关键词：相变存储单元电压比较器电路读电压预充电电路选中数据读出电路相变存储器产生电路位线参考功耗误读读出

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一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路

一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路

引用

作者：朱程举罗杰何海龙 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区黄甲街道双兴大道1号

本实用新型公开了一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路，本实用新型的数据转换器的负向输入端由N个单位电容构成，用于直接接收前端放大器输出的单端电压信号；所述数据转换器的正向输入端由N个单位电容构成，用于采集参考电... 详细信息

标准号: CN213213433U

本实用新型公开了一种单端输入的低温漂数据转换器和数据读出电路，本实用新型的数据转换器的负向输入端由N个单位电容构成，用于直接接收前端放大器输出的单端电压信号；所述数据转换器的正向输入端由N个单位电容构成，用于采集参考电压VREFN和参考电压VREFP，其中，M个接参考电压VREFP，N‑M个接参考电压VREFN，M和N均为正整数且M<N。相较于传统全差分结构需要全差分结构放大器插在前端电荷放大器与ADC之间，本实用新型可直接采样前端电荷放大器输出，降低了芯片面积和功耗；也避免低噪声全差分结构放大器的设计。同时引入CDS与CHOP方案可提供较只有CDS功能的ADC有更低的温漂特性。

关键词：参考电压本实用新型全差分结构数据转换器放大器电荷放大器单位电容单端电压信号数据读出电路前端放大器直接采样直接接收输出低温漂低噪声面积和正整数单端负向功耗温漂正向采集芯片引入

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相变存储器的高速数据读出电路及读出方法

相变存储器的高速数据读出电路及读出方法

引用

作者：解晨晨李喜陈后鹏王倩雷宇蔡道林郭家树宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电... 详细信息

标准号: CN108922574B

本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。