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机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
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作者

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语言

  • 1 篇 中文
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偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究
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半导体光电 2022年 第5期43卷 909-913页
作者: 汪久龙 赵思齐 李云凯 闫果果 申占伟 赵万顺 王雷 关敏 刘兴昉 孙国胜 曾一平 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室 北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049 低维半导体材料与器件北京市重点实验室 北京100083
采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长,生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究,并采用偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明,偏角4H-SiC外延层中的3C... 详细信息
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