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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 hci
  • 2 篇 时变栅电流模型
  • 1 篇 参数提取
  • 1 篇 bsim3v3
  • 1 篇 可靠性仿真

机构

  • 2 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 陕西教育学院

作者

  • 2 篇 李康
  • 2 篇 郝跃
  • 2 篇 刘红侠
  • 1 篇 马佩军
  • 1 篇 薛鸿民
  • 1 篇 马晓华
  • 1 篇 方建平

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=时变栅电流模型"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2005年 第10期26卷 2038-2043页
作者: 李康 郝跃 刘红侠 马晓华 马佩军 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
研究了一种建立在退化电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于LM(Levenberg Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由... 详细信息
来源: 评论
深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2005年 第11期26卷 2169-2174页
作者: 李康 郝跃 刘红侠 方建平 薛鸿民 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071 陕西教育学院计算机系 西安710061
研究了深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变电流物理描述,基于这一电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件... 详细信息
来源: 评论