检索结果-内蒙古大学图书馆

微波学报 2015年第2期31卷 82-85,90页

作者：周丹南敬昌辽宁工程技术大学电子与信息工程学院葫芦岛125105

针对射频非线性行为建模技术,提出了一种与负载无关的晶体管X参数提取方法,并利用晶体管模型进行功率放大器设计。该方法在传统X参数提取过程中引入负载牵引技术,通过迭代获得与负载无关的晶体管X参数模型及其最佳负载阻值。与负载相关... 详细信息

针对射频非线性行为建模技术,提出了一种与负载无关的晶体管X参数提取方法,并利用晶体管模型进行功率放大器设计。该方法在传统X参数提取过程中引入负载牵引技术,通过迭代获得与负载无关的晶体管X参数模型及其最佳负载阻值。与负载相关的X参数模型相比,该模型适用于分析设计电路,数据量小,步骤简单且周期短。将提取的X参数模型应用于宽带功率放大器设计,匹配网络采用切比雪夫低通滤波器形式,实测与仿真对比表明:在工作频带内,输出功率均大于4W,功率附加效率都超过45%,增益在14d B左右。由此验证所提出方法的有效性。

关键词：与负载无关的X参数晶体管模型负载牵引宽带功放设计

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非晶硅薄膜晶体管模型的分析和研究

非晶硅薄膜晶体管模型的分析和研究

引用

作者：何琦华南理工大学

学位级别：硕士

非晶硅薄膜晶体管现今已成为适用于大尺寸有源液晶显示器/电视屏的关键器件，对非晶硅薄膜晶体管的特性进行研究和建模具有非常重要的现实意义。通过对a-si TFT器件建模，我们能够深入了解器件工作的内在物理特性，还可预测器件的工作... 详细信息

非晶硅薄膜晶体管现今已成为适用于大尺寸有源液晶显示器/电视屏的关键器件，对非晶硅薄膜晶体管的特性进行研究和建模具有非常重要的现实意义。通过对a-si TFT器件建模，我们能够深入了解器件工作的内在物理特性，还可预测器件的工作特性。这些模型大都用于器件物理研究和器件设计。\n 随着制造工艺的不断发展和改进，非晶硅薄膜晶体管电学模型的研究一直十分活跃，有大量的相关文献已经发表。本文阐述了TFT建模以及模型参数提取的理论和方法，并对当前TFT建模技术水平的现状做了总结，对其进一步的发展做了归纳和展望。本文重点分析了业界比较流行的RPI ATFT模型，这个模型是Shut等人建立的通用TFT理论模型被简化成半经验公式，并嵌入到仿真软件AIM-Spice level 15 model中的。RPI模型是一个半经验模型，这个模型既简洁又能较好的描述a-Si：HTFT的器件特性。但该模型仍然有一些比较粗糙的地方，计算精度并不是很高，温度适应性也不是很好。本文基于温度对源漏区电阻的影响，对a-Si：H TFT的RPI模型进行了改进，从而提高了RPI模型的温度适应性。\n 本文一共分为五章。第一章阐述了关于薄膜晶体管电学模型的研究的重要的价值和意义；第二章概述了非晶硅材料的特性和TFT的器件结构，工作原理。第三章阐述了晶体管建模以及模型参数提取的理论和方法；第四章阐述了非晶硅薄膜晶体管各类电学模型的理论和特点；第五章针深入研究了RPI模型，并基于源漏区电阻对温度的依赖性，改良了该模型的温度适应性。\n 本论文针对这些有代表性的模型，进行了详细分析、讨论了它们的理论来源、模型特点以及其不足之处，提出了一些看法和设想，归纳了一些有研究价值的科研方向。对今后TFT器件建模的进一步研究具有很好的参考价值。

关键词：非晶硅薄膜晶体管晶体管模型器件建模器件设计电学模型

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一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法

一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法

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作者：蓝碧健魏佳豪张征张静肖 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园15-205室

本发明涉及一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，通过获取晶体管工艺类型；基于所述晶体管工艺类型建立晶体管初始模型，所述晶体管初始模型包括多个端口；对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压输入信号，并提取所述晶体... 详细信息

标准号: CN115983177A

本发明涉及一种基于人工神经网络的晶体管模型建立方法，通过获取晶体管工艺类型；基于所述晶体管工艺类型建立晶体管初始模型，所述晶体管初始模型包括多个端口；对所述晶体管初始模型的各个端口施加直流电压输入信号，并提取所述晶体管初始模型的各个端口的直流电流输出信号；通过预设的人工神经网络对所述直流电压输入信号、所述直流电流输出信号进行拟合，得到晶体管直流模型。本发明使用人工神经网络来捕捉晶体管模型的输入和输出(电流和电压)之间的关系。模型中同时考虑了直流和交流信号。可以针对晶体管进行高精度建模，可以在保持较快仿真速度的情况下，显著得提高晶体管的仿真精度。

关键词：晶体管初始模型人工神经网络晶体管工艺晶体管模型输出信号直流电流直流电压人工神经网络来交流信号精度建模直流模型拟合预设捕捉施加输出

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可描述高低温失配特性的晶体管模型的仿真方法

可描述高低温失配特性的晶体管模型的仿真方法

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作者：王正楠 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法，分别在多个温度情况下对晶体管失配特性随温度的变化趋势进行分析，挑选了开启电压和迁移率这两个参数，在原先的失配宏模型中的修正公式基础上，分别添加了额外的温度修... 详细信息

标准号: CN103838905B

本发明公开了一种可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法，分别在多个温度情况下对晶体管失配特性随温度的变化趋势进行分析，挑选了开启电压和迁移率这两个参数，在原先的失配宏模型中的修正公式基础上，分别添加了额外的温度修正公式和修正系数，利用晶体管随高低温变化的失配趋势，对修正系数进行拟合，使得失配模型在不同的温度下，都能反应较好的电特性失配特性，为电路设计者提供了较高的参照依据。

关键词：失配修正系数高低温晶体管温度修正公式晶体管模型变化趋势开启电压电特性迁移率拟合电路修正分析

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双极型晶体管模型及相应的参数提取方法

双极型晶体管模型及相应的参数提取方法

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作者：范象泉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发... 详细信息

标准号: CN103226639A

本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。本发明通过探针接触各探针垫获得模型寄生参数；通过模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟，克服了传统的双极型晶体管SPICE模型存在的模型参数提取不精确的缺陷。

关键词：发射极集电极双极型探针晶体管晶体管模型寄生参数金属线参数提取方法模型参数提取金属修正计算机模拟接触探针发射区电区基区连接接触

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可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法

可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法

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作者：王正楠 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN103838905A

关键词：修正系数高低温晶体管电路设计者晶体管模型仿真方法温度情况温度修正迁移率拟合电压得失修正挑选分析

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引入了晶体管的扩散长度依赖性的电路仿真装置以及用于生成晶体管模型的方法

引入了晶体管的扩散长度依赖性的电路仿真装置以及用于生成晶体管...

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作者：清水卓坂本浩则日本神奈川

根据从MOS晶体管的晶体管模型的参数以及具有多种扩散长度的晶体管的参数中提取的扩散-长度-依赖性参数的数据，扩散-长度-依赖性参数校正单元生成扩散长度与这些参数的依赖性的近似表达式，并通过使用生成的近似表达式而计算要用于替... 详细信息

标准号: CN1303557C

根据从MOS晶体管的晶体管模型的参数以及具有多种扩散长度的晶体管的参数中提取的扩散-长度-依赖性参数的数据，扩散-长度-依赖性参数校正单元生成扩散长度与这些参数的依赖性的近似表达式，并通过使用生成的近似表达式而计算要用于替代原始参数值的参数校正值。于是，可以容易地使用校正值替代原始参数值，从而可以容易地生成具有不同扩散长度DL的MOS晶体管的晶体管模型。于是可以实现考虑了MOS晶体管的漏电流对于扩散长度的依赖性的电路仿真，从而能够得到高精确仿真。

关键词：扩散长度近似表达式晶体管模型依赖性参数参数值扩散电路仿真精确仿真漏电流晶体管校正

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LDMOSFET电热耦合解析模型

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 370-376,424页

作者：孙晓红戴文华严唯敏陈强高怀东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096 Infineon Technologies North America Corp Morgan HillCA 95037United States 苏州大学应用技术学院机电工程系江苏苏州215325 Department of Electronic System the Royal Institute of Technology-KTHStockholm 16440Sweden 苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心江苏苏州215123

建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该... 详细信息

建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管解析模型晶体管模型封装模型热模型

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双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证

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核电子学与探测技术 1999年第1期19卷 9-14页

作者：唐本奇吴国荣李国政西北核技术研究所

在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是... 详细信息

在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是可行的和可靠的。

关键词：瞬态γ辐照效应晶体管模型参数提取

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基于高斯过程回归的氮化镓晶体管PHD模型建模方法

基于高斯过程回归的氮化镓晶体管PHD模型建模方法

引用

作者：蔡佳林程舒昊 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

本发明公开了基于高斯过程回归的氮化镓晶体管PHD模型建模方法，该方法通过软件仿真或者仪器测试的方式收集不同外界偏置条件下的PHD模型参数，包括代表偏置变量V和对应的PHD模型参数X，作为训练参数，建立PHD模型，基于高斯过程回归，... 详细信息

标准号: CN116757092A

本发明公开了基于高斯过程回归的氮化镓晶体管PHD模型建模方法，该方法通过软件仿真或者仪器测试的方式收集不同外界偏置条件下的PHD模型参数，包括代表偏置变量V和对应的PHD模型参数X，作为训练参数，建立PHD模型，基于高斯过程回归，推导模型参数的估计方法。然后针对PHD模型的每个参数，通过该方法估计其在不同外界偏置条件下的取值，再代入PHD模型中，预测反射波的基波和各次谐波，从而得到氮化镓晶体管在不同偏置条件下器件的输出。该方法不需要了解晶体管内部特性，根据晶体管在部分偏置外界条件下的输入输出状态变化规律，建立高精度的晶体管模型，降低了模型复杂度与器件仿真成本，提高了建模效率及建模精度。

关键词：偏置条件氮化镓晶体管高斯过程回归模型参数晶体管建模偏置输入输出状态晶体管模型变化规律模型建模器件仿真软件仿真推导模型外界条件训练参数仪器测试次谐波反射波复杂度基波输出预测

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