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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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33 篇 专利
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作者

6 篇 蔡佳林
3 篇 周天舒
2 篇 班郁
2 篇 王正楠
2 篇 范宝峡
2 篇 刘军
2 篇 刘川
2 篇 丹尼尔·康奈利
2 篇 柳贤伟
2 篇 林诗婷
2 篇 陈国苇
2 篇 曾璇
2 篇 杨帆
2 篇 李潇
2 篇 王胜国
2 篇 肖斌
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2 篇 杨永辉
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1 篇 孟庆春

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基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法

基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法

引用

作者：蔡佳林朱泽根 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

本发明公开了基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法，本发明包括不同偏置状态、工作频率条件和温度下的行为特性的拟合与预测。所述晶体管行为特性建模方法，采用门控循环单元技术，根据晶体管的输入输出变化规律，通过对模型参数的优... 详细信息

标准号: CN115510750A

本发明公开了基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法，本发明包括不同偏置状态、工作频率条件和温度下的行为特性的拟合与预测。所述晶体管行为特性建模方法，采用门控循环单元技术，根据晶体管的输入输出变化规律，通过对模型参数的优化和数据的处理，进一步提升了基GaN晶体管输出行为特性的精确率，建立了高精度和能有效表征小信号行为的晶体管模型。

关键词：行为特性晶体管建模晶体管模型小信号模型工作频率模型参数偏置状态输出变化信号行为循环单元有效表征门控拟合输出预测优化

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一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法

一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法

引用

作者：刘川柳贤伟陈国苇 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

本发明提供一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法，建模方法根据被选择偏栅晶体管的材料与结构，获取晶体管的工艺参数，并进一步计算得到模型所需参数；基于工艺参数和计算参数，对偏栅晶体管建立待拟合模型；调取被选择偏栅晶... 详细信息

标准号: CN113111498B

本发明提供一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法，建模方法根据被选择偏栅晶体管的材料与结构，获取晶体管的工艺参数，并进一步计算得到模型所需参数；基于工艺参数和计算参数，对偏栅晶体管建立待拟合模型；调取被选择偏栅晶体管的栅极电压及其对应的漏极电流，以得到偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系；由偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系提取所述偏栅晶体管的参数；提取得到的参数代入待拟合模型，用待拟合模型拟合偏栅晶体管的漏极电流随栅极电压变化的关系，得到待拟合模型的全部参数；将之前所有参数代入晶体管的模型中，完成建立偏栅晶体管的模型。本发明能够建立准确的偏栅晶体管模型，以提高电路仿真的精度。

关键词：晶体管漏极电流拟合模型栅极电压建模晶体管模型电路仿真关系提取计算参数调取拟合电路

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一种基于贝叶斯统计的磷化铟晶体管建模方法

一种基于贝叶斯统计的磷化铟晶体管建模方法

引用

作者：蔡佳林 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

本发明公开一种基于贝叶斯统计的磷化铟晶体管建模方法。基于贝叶斯统计技术，在不需要了解晶体管内部特性的情况下，根据晶体管的输入输出状态变化规律，实现对晶体管的特性预测，实现高精度的晶体管模型建立，相比已有的基于等效电路... 详细信息

标准号: CN110516282B

本发明公开一种基于贝叶斯统计的磷化铟晶体管建模方法。基于贝叶斯统计技术，在不需要了解晶体管内部特性的情况下，根据晶体管的输入输出状态变化规律，实现对晶体管的特性预测，实现高精度的晶体管模型建立，相比已有的基于等效电路方法建立的模型，降低了模型复杂度，提高了建模效率及建模精度。本发明突破了现有InPDHBT器件建模技术，能解决现有强非线性器件模型预测精度低的问题，开发所得器件行为模型具有很好的可行性和准确性。

关键词：晶体管建模贝叶斯输入输出状态非线性器件晶体管模型变化规律等效电路模型预测器件建模特性预测行为模型复杂度磷化铟统计开发

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可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法

可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法

引用

作者：王正楠 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法，分别在多个温度情况下对晶体管失配特性随温度的变化趋势进行分析，挑选了开启电压和迁移率这两个参数，在原先的失配宏模型中的修正公式基础上，分别添加了额外的温度修... 详细信息

标准号: CN103838905A

本发明公开了一种可描述高低温失配特性的晶体管模型及仿真方法，分别在多个温度情况下对晶体管失配特性随温度的变化趋势进行分析，挑选了开启电压和迁移率这两个参数，在原先的失配宏模型中的修正公式基础上，分别添加了额外的温度修正公式和修正系数，利用晶体管随高低温变化的失配趋势，对修正系数进行拟合，使得失配模型在不同的温度下，都能反应较好的电特性失配特性，为电路设计者提供了较高的参照依据。

关键词：修正系数高低温晶体管电路设计者晶体管模型仿真方法温度情况温度修正迁移率拟合电压得失修正挑选分析

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分析至少一个晶体管的装置与方法

分析至少一个晶体管的装置与方法

引用

作者：林诗婷中国台湾新北市泰山区南林路98号

本发明公开了一种分析至少一个晶体管的装置与方法，其中分析至少一个晶体管的装置包括测试电路、测量装置与处理器。测试电路电性连接晶体管，用于测试晶体管。测量装置电性连接晶体管，用于从晶体管接收波形。处理器电性连接测量装置... 详细信息

标准号: CN110703064B

本发明公开了一种分析至少一个晶体管的装置与方法，其中分析至少一个晶体管的装置包括测试电路、测量装置与处理器。测试电路电性连接晶体管，用于测试晶体管。测量装置电性连接晶体管，用于从晶体管接收波形。处理器电性连接测量装置，用于对波形进行曲线拟合以得到晶体管特性曲线，并对晶体管特性曲线进行建模以产生晶体管模型，进而模拟和调整晶体管模型的至少一个参数以建立个新的晶体管模型，并从新的晶体管模型中提取转换速率数据，借以改善转换速率的效率和电路性能。

关键词：晶体管晶体管模型测量装置电性连接晶体管特性曲线测试电路处理器转换速率数据测试晶体管调整晶体管电路性能曲线拟合建模分析转换

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三维FinFET器件射频模型及参数提取研究

三维FinFET器件射频模型及参数提取研究

引用

作者：秦沐阳华东师范大学

学位级别：硕士

在摩尔定律的推动下,场效应晶体管的特征尺寸不断缩小,以Fin FET为代表的新型立体沟道器件不断涌现。这些三维短沟道新器件在射频环境下的寄生效应更加复杂,为了准确表征这些晶体管的高频特性,需要对器件进行精准建模。本文提出了一种... 详细信息

在摩尔定律的推动下,场效应晶体管的特征尺寸不断缩小,以Fin FET为代表的新型立体沟道器件不断涌现。这些三维短沟道新器件在射频环境下的寄生效应更加复杂,为了准确表征这些晶体管的高频特性,需要对器件进行精准建模。本文提出了一种改进的Fin FET器件等效电路模型及一套匹配的参数提取方法。模型中所有的参数都可以通过非线性有理函数拟合提取出来。本文提出的等效电路模型在300GHz的频率范围内,其最大误差低于3.74%。本文的主要研究内容及成果包括:本文首先分析了Fin FET器件的电学特性和平面MOSFET器件等效电路模型的局限性,证明了现有的建模手段总是不能满足新器件的要求,接着提出了一套精确的Fin FET器件射频等效电路模型及与之匹配的模型参数提取方法。通过去嵌入的思路和非线性有理函数拟合的方法,首先在关态条件下提取器件的外部栅源/漏电容,栅源电阻以及衬底网络,然后在器件开启的状态下通过Y参数拟合提取内部的电学参数。通过将等效电路模型在ADS中的仿真结果和TCAD的器件仿真结果进行比较,定量计算出本模型的最大误差低于3.74%,并通过器件射频品质因素的分析再次证明了本文提出的模型具有实际的物理意义。在此基础上,本文还通过在TCAD中改变器件的尺寸参数和栅漏的偏置电压,分析了模型参数关于偏置和尺寸的依赖性,发现了一些Fin FET射频模型参数随着偏置和尺寸的特殊变化趋势。从短沟道效应和三维沟道结构的角度出发,分析了Cgs等模型参数的变化趋势和传统长沟道器件不同的原因及其对器件射频性能的影响。最后,本文通过改变器件的结构和掺杂条件,以及为器件模型添加陷阱,模拟并分析了实际的工艺波动对Fin FET射频等效电路模型的影响。通过精准的模型构建,本文为模拟Fin FET器件的射频性能提供了解决方法。同时,通过分析解释了新型Fin FET器件的等效电路模型参数随着器件结构和偏置电压的特殊变化趋势,这对于改进器件的工艺水平和优化后续的电路仿真都具有一定的参考价值。

关键词：鳍式场效应晶体管晶体管模型射频等效电路参数提取

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一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法

一种偏栅晶体管进行建模的方法及电路仿真方法

引用

作者：刘川柳贤伟陈国苇 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

标准号: CN113111498A

关键词：晶体管漏极电流拟合模型栅极电压建模晶体管模型电路仿真关系提取计算参数调取拟合电路

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基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法

基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法

引用

作者：蔡佳林耿明强 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

本发明公开了基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法，本发明包括不同偏置状态、工作频率条件下的行为特性的预测。所述晶体管行为特性建模方法，采用支持向量机技术，根据晶体管的输入输出变化规律，在已有的等效电路模型基础上... 详细信息

标准号: CN111832238A

本发明公开了基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法，本发明包括不同偏置状态、工作频率条件下的行为特性的预测。所述晶体管行为特性建模方法，采用支持向量机技术，根据晶体管的输入输出变化规律，在已有的等效电路模型基础上，加入了误差修正模型，进一步提升了基GaN晶体管输出行为特性的精确率，实现了高精度的晶体管模型建立。对已有的基于等效电路方法建立的模型进行了改进，提高了建模效率及建模精度。

关键词：建模行为特性支持向量机晶体管等效电路模型误差修正模型晶体管模型小信号模型等效电路工作频率偏置状态输出变化输出预测改进

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分析至少一个晶体管的装置与方法

分析至少一个晶体管的装置与方法

引用

作者：林诗婷中国台湾新北市泰山区南林路98号

标准号: CN110703064A

关键词：晶体管晶体管模型测量装置电性连接晶体管特性曲线测试电路处理器转换速率数据测试晶体管调整晶体管电路性能曲线拟合建模分析转换

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双极型晶体管模型及相应的参数提取方法

双极型晶体管模型及相应的参数提取方法

引用

作者：范象泉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发... 详细信息

标准号: CN103226639A

本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。本发明通过探针接触各探针垫获得模型寄生参数；通过模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟，克服了传统的双极型晶体管SPICE模型存在的模型参数提取不精确的缺陷。

关键词：发射极集电极双极型探针晶体管晶体管模型寄生参数金属线参数提取方法模型参数提取金属修正计算机模拟接触探针发射区电区基区连接接触

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