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检索条件"主题词=晶体管源极"
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晶体管源极/漏极接触件及其形成方法
晶体管源极/漏极接触件及其形成方法
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作者： 吴佩雯 黄俊贤 林威戎 张志维 中国台湾新竹
本申请提供了晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属‑半导体合金区域；在金属‑半... 详细信息
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晶体管源极/漏极区域及其形成方法
晶体管源极/漏极区域及其形成方法
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作者： 刘威民 郭紫微 黄惠琳 温政彦 舒丽丽 李启弘 杨育佳 中国台湾新竹市
本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：半导体鳍，从半导体衬底延伸；纳米结构，位于半导体鳍之上；源极/漏极区域，与纳米结构的沟道区域相邻；底部间隔件，位于源极/漏极区域与半导体鳍之间；... 详细信息
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晶体管源极/漏极区域及其形成方法
晶体管源极/漏极区域及其形成方法
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作者： 林衍廷 赖韦仁 郭建亿 吕伟元 林家彬 杨育佳 中国台湾新竹市
本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在实施例中，一种器件，包括：纳米结构；以及源极/漏极区域，邻接纳米结构的沟道区域，该源极/漏极区域包括：第一外延层，在纳米结构的侧壁上，该第一外延层包括无锗半导体材料和p型掺杂... 详细信息
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晶体管源极/漏极接触件及其形成方法
晶体管源极/漏极接触件及其形成方法
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作者： 简薇庭 陈文彦 王立廷 刘书豪 陈亮吟 张惠政 中国台湾新竹
本公开总体涉及晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：栅极结构，位于衬底的沟道区域上；栅极掩模，位于栅极结构上，栅极掩模包括第一电介质材料和杂质，栅极掩模中的杂质的浓度沿着从栅极掩模的上部区... 详细信息
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晶体管源极/漏极区及其形成方法
晶体管源极/漏极区及其形成方法
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作者： 刘威民 舒丽丽 杨育佳 中国台湾新竹
本公开涉及晶体管源极/漏极区及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；源极/漏极区，邻接第一纳米结构的第一沟道区，源极/漏极区包括：主层；以及位于主层与第一纳米结构之间的第一衬里层，第一衬里层的碳浓度大于主... 详细信息
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晶体管源极/漏极触点
晶体管源极/漏极触点
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作者： C-J·古 K·萨瑟恩 A·巴兰 P-h·王 B·塞尔 美国加利福尼亚
本文公开了晶体管源极/漏极触点及其相关的方法和装置。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道和源极/漏极触点，其中所述源极/漏极触点包括界面材料和体材料，所述体材料具有与所述界面材料不同的材料组分，所述界面材料位于所述... 详细信息
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使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积
使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积
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作者： D·M·克鲁姆 B·古哈 W·许 S·M·塞亚 T·加尼 美国加利福尼亚
本文提供了使用牺牲S/D层的包括增大的晶体管源极/漏极(S/D)接触面积的集成电路结构。在该S/D材料的外延生长之前，将包括与S/D材料不同的材料的牺牲层沉积到S/D沟槽中，使得牺牲层充当S/D材料下方的空间占位器。在S/D触点处理期间，可... 详细信息
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晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法和显示面板
晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法和显示面板
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作者： 王一军 赵娜 占建英 元淼 沈奇雨 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
本发明提供一种晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法和显示面板。该晶体管包括基底，依次远离基底设置的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极和漏极，源极和漏极分设于有源层的相对两端，欧姆接触层对应设置于源极和漏极所... 详细信息
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一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法
一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法
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作者： 林高波 玉虓 沈荣宗 金成吉 311121 浙江省杭州市余杭区之江实验室南湖总部
本发明公开了一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括：自下而上分布的衬底、底栅极、第一铁电介质层、氧化物半导体层、第二铁电介质层和顶栅极；源极和漏极分别设置于氧化物半导体层的上表面的两... 详细信息
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一种高纯金刚石烯晶体管的合成工艺
一种高纯金刚石烯晶体管的合成工艺
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作者： 刘冠军 甄嘉鹏 申凯 向自强 刘瑛 吕克洪 邱静 杨鹏 张勇 郭斯林 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
本发明公开了一种高纯金刚石烯晶体管的合成工艺，本发明利用了六方氮化硼hBN高压相变的不可逆特性，将石墨烯包裹在中间，使之在卸压后，不可逆的纤锌矿氮化硼wBN立方结构仍将高压金刚石烯“困住”，使之无法还原。而两端裸露的石墨烯... 详细信息
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