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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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108 篇 专利

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108 篇 电子文献
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7 篇 台湾积体电路制造...
6 篇 天津大学
6 篇 电子科技大学
5 篇 上海华虹宏力半导...
5 篇 京东方科技集团股...
5 篇 英特尔公司
3 篇 上海天马微电子有...
3 篇 中芯国际集成电路...
3 篇 之江实验室
3 篇 华南理工大学
3 篇 浙江大学
3 篇 湖州绿明微电子有...
2 篇 富满微电子集团股...
2 篇 壹甲子通讯有限公...
2 篇 惠科股份有限公司
2 篇 北京京东方显示技...
2 篇 南京大学
2 篇 东芝电子元件及存...
2 篇 四川大学
2 篇 江苏芯潭微电子有...

作者

8 篇 补世荣
8 篇 陈柳
6 篇 曾成
6 篇 宁俊松
6 篇 王占平
6 篇 马建国
5 篇 刘张李
5 篇 邹浩
4 篇 杨闯
4 篇 周绍华
4 篇 张明哲
4 篇 李昭
4 篇 赵升
4 篇 李旭光
4 篇 杨自凯
4 篇 张蕾
3 篇 薛泉
3 篇 王辰乐
3 篇 t.加尼
3 篇 刘沁

语言

108 篇 中文

检索条件"主题词=晶体管源极"

共 108 条记录，以下是41-50 订阅

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详细简洁

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单功率相降压和升压转换器

单功率相降压和升压转换器

引用

作者： T·V·特兰 V·尤瑟夫扎德美国德克萨斯州

本申请涉及单功率相降压和升压转换器。在示例中，一种装置包括晶体管(206)、开关(202)、二极管(216)、电容器(222)、分压器(218/220)、第二晶体管(226)、电阻器(224)和控制器(210)。晶体管具有晶体管漏极、晶体管源极和晶体管栅极。开... 详细信息

标准号: CN114679822A

本申请涉及单功率相降压和升压转换器。在示例中，一种装置包括晶体管(206)、开关(202)、二极管(216)、电容器(222)、分压器(218/220)、第二晶体管(226)、电阻器(224)和控制器(210)。晶体管具有晶体管漏极、晶体管源极和晶体管栅极。开关适于通过电感器(228)将电源(110)耦合到晶体管漏极。二极管具有阴极和阳极，二极管阴极耦合到晶体管漏极。电容器耦合在二极管阳极和接地(236)之间。分压器耦合在二极管阳极和接地之间，并具有分压器输出。第二晶体管具有第二晶体管源极和第二晶体管栅极。电阻器耦合在二极管阳极和第二晶体管源极之间。控制器耦合到晶体管栅极、晶体管源极、分压器输出、二极管阳极、第二晶体管栅极和第二晶体管源极。

关键词：晶体管源极二极管阳极晶体管栅极分压器晶体管晶体管漏极二极管接地耦合电阻器耦合到电容器阴极电容器耦合二极管阴极控制器耦合升压转换器输出阳极控制器单功率电感器降压电源申请

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一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器

一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器

引用

作者：徐志伟袁朔阳王圣杰李泉涌陈姜波宋春毅 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

本发明公开了一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器，通过衬底注入技术，利用晶体管的体效应来等效提高LO摆幅，从而提高增益并降低对本振信号功率的要求。该混频器通过电流镜来偏置混频器的直流电流，使瞬态电流与本振输入信... 详细信息

标准号: CN115549593A

本发明公开了一种基于衬底注入技术的高线性B类下变频混频器，通过衬底注入技术，利用晶体管的体效应来等效提高LO摆幅，从而提高增益并降低对本振信号功率的要求。该混频器通过电流镜来偏置混频器的直流电流，使瞬态电流与本振输入信号之间的平方关系变为线性关系。该混频器根据电源可分为有源和无源两种类别，根据本振信号LO和射频信号RF信号输入可以分为LO输入混频器开关级晶体管栅极、RF输入混频器开关级晶体管源极和RF输入混频器开关级晶体管栅极、LO输入混频器开关级晶体管源极两种类别，两两组合可延伸为四种结构。本发明提高混频器的增益并减少对本振信号功率的要求，同时降低功耗、提高线性度。

关键词：混频器开关混频器晶体管源极晶体管栅极信号功率衬底下变频混频器本振输入本振信号降低功耗两两组合平方关系射频信号瞬态电流线性关系直流电流电流镜高线性可延伸体效应线性度晶体管摆幅偏置无源电源

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功率转换器控制

功率转换器控制

引用

作者： E·乔达 G·M·W·佩特里娜 M·维尔施美国德克萨斯州

本申请涉及功率转换器控制。在一些示例中，一种装置(100)包括具有驱动器输出的驱动器(110)；具有第一板件和第二板件的电容器(114)，该第一板件耦合到该驱动器输出；以及具有晶体管栅极、晶体管源极和晶体管漏极的晶体管(126)。该装置... 详细信息

标准号: CN114696596A

本申请涉及功率转换器控制。在一些示例中，一种装置(100)包括具有驱动器输出的驱动器(110)；具有第一板件和第二板件的电容器(114)，该第一板件耦合到该驱动器输出；以及具有晶体管栅极、晶体管源极和晶体管漏极的晶体管(126)。该装置还包括，耦合在该第二板件与该晶体管栅极之间的第一开关(118)、耦合在该第二板件与该晶体管漏极之间的第二开关(116)和耦合在该晶体管栅极与该晶体管漏极之间的第三开关(120)。

关键词：晶体管漏极晶体管栅极耦合板件驱动器输出第一板电容器驱动器功率转换器控制晶体管源极第一开关耦合到晶体管申请

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交流小信号驱动射频微波放大器

交流小信号驱动射频微波放大器

引用

作者：补世荣罗宇陈柳谢沛臻 610000 四川省成都市高新区科园南路88号11栋5楼501号

交流小信号驱动射频微波放大器，属于电子技术领域。射频微波放大器输入信号经第一选频网络在工作频段内进行阻抗匹配后馈入晶体管的栅极并在晶体管内被放大，被放大的信号通过馈电网络的高通支路后由第二选频网络进行阻抗匹配后送出，... 详细信息

标准号: CN114362693B

交流小信号驱动射频微波放大器，属于电子技术领域。射频微波放大器输入信号经第一选频网络在工作频段内进行阻抗匹配后馈入晶体管的栅极并在晶体管内被放大，被放大的信号通过馈电网络的高通支路后由第二选频网络进行阻抗匹配后送出，交流小信号由馈电网络的低通支路馈入晶体管进行驱动。当将晶体管源极接地，漏极连接馈电网络时，射频微波放大器在正半周期内工作；当将晶体管漏极接地，源极连接馈电网络时，射频微波放大器在负半周期内工作；采用两只晶体管能够实现全周期内的放大。本发明利用晶体管在阈值电压以下的电抗非线性进行参量放大，不需要进行交直流转换，具有结构简单、成本低、适用范围广等特点，尤其适用于小功率工频做放大驱动。

关键词：晶体管馈电网络射频微波放大器放大交流小信号支路选频网络阻抗匹配接地驱动馈入放大器输入信号电子技术领域交直流转换晶体管漏极晶体管源极参量放大负半周期工作频段信号通过源极连接正半周期阈值电压全周期小功率低通电抗高通工频漏极送出

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一种毫米波低相位噪声低电源推挽度LC数控振荡器

一种毫米波低相位噪声低电源推挽度LC数控振荡器

引用

作者：易翔粟雄车文荃薛泉 510640 广东省广州市天河区五山路381号

本发明公开了一种毫米波低相位噪声低电源推挽度LC数控振荡器，包括谐振腔、若干晶体管；谐振腔包括第一开关电容阵列、第二开关电容阵列、变容管、次级电感、初级电感；第一晶体管、第二晶体管的漏极与初级电感连接；第一开关电容阵列... 详细信息

标准号: CN115549590A

本发明公开了一种毫米波低相位噪声低电源推挽度LC数控振荡器，包括谐振腔、若干晶体管；谐振腔包括第一开关电容阵列、第二开关电容阵列、变容管、次级电感、初级电感；第一晶体管、第二晶体管的漏极与初级电感连接；第一开关电容阵列与初级电感并联；第二开关电容阵列与次级电感并联；第一晶体管的栅极通过第一节点与次级电感的一端连接，第二晶体管的栅极通过第二节点与次级电感的另一端连接；第一晶体管源极、第二晶体管源极均与第三晶体管的漏极、电容相连；初级电感连接电源电压，次级电感连接偏置电压；第四晶体管栅极连接第三节点，漏极连接第四节点，源极接地；第五晶体管栅极接外部电压，漏极连接第三节点。

关键词：晶体管次级电感初级电感漏极开关电容阵列晶体管源极晶体管栅极第一开关电容阵列一端连接谐振腔并联低相位噪声数控振荡器毫米波连接电源偏置电压外部电压源极接地电容变容管低电源推挽

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具有隔离提纯根表铁膜湿地水质传感器及检测装置

具有隔离提纯根表铁膜湿地水质传感器及检测装置

引用

作者：李俏雅李静张科慰汤奔吴其俊赵宇翔 523808 广东省东莞市松山湖区大学路1号

本实用新型公开一种具有隔离提纯根表铁膜湿地水质传感器及检测装置，该传感器包括依次电连接的感应电路、开关电路、调节电路及转换电路；感应电路包括第一晶体管与第三晶体管；第一晶体管栅极、漏极并接后连接至电源；第一晶体管源极... 详细信息

标准号: CN216350484U

本实用新型公开一种具有隔离提纯根表铁膜湿地水质传感器及检测装置，该传感器包括依次电连接的感应电路、开关电路、调节电路及转换电路；感应电路包括第一晶体管与第三晶体管；第一晶体管栅极、漏极并接后连接至电源；第一晶体管源极通过二极管连接方式的；第三晶体管接地；第三晶体管的二极管连接方式是第一晶体管的源极与第二晶体管基极连接，第二晶体管集电极、发射极并联后接地。采用可嵌入芯片光敏三极管为传感器感光器件，通过开关电路进行转换周期获取不同占空比、宽范围电压开关量信号；用可调电阻获得不同电压值灵敏度；用隔离双平衡光耦器令感应信号最大程度地去掉杂波而获得纯净信号，且获得双向测量精度，达到更高精度、更高稳定度。

关键词：晶体管二极管连接方式感应电路开关电路接地传感器晶体管集电极隔离本实用新型光敏三极管晶体管基极晶体管源极晶体管栅极开关量信号宽范围电压水质传感器最大程度地纯净信号感光器件感应信号高稳定度检测装置可调电阻双向测量转换电路转换周期电连接发射极光耦器灵敏度双平衡占空比并联提纯并接漏极铁膜源极杂波嵌入电路电源湿地芯片

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具有非欧姆装置和电容器的集成存储器

具有非欧姆装置和电容器的集成存储器

引用

作者： P·夏尔马 M·巴拉克里希南美国爱达荷州

一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有位于晶体管源极/漏极区与电容器之间的非欧姆装置。一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有晶体管，所述晶体管具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和位于所述第一源极/... 详细信息

标准号: CN114930532A

一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有位于晶体管源极/漏极区与电容器之间的非欧姆装置。一些实施例包含一种存储器单元，所述存储器单元具有晶体管，所述晶体管具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区。电容器通过非欧姆装置电耦合到所述第二源极/漏极区。所述非欧姆装置包含响应于沿所述沟道区的电性质而改变电导率的非欧姆装置材料。当沿所述沟道区的所述电性质低于阈值电平时，所述非欧姆装置材料具有高电阻率模式，且当沿所述沟道区的所述电性质符合或超出所述阈值电平时，转变为低电阻率模式。一些实施例包含一种存储器阵列。

关键词：源极/漏极区欧姆装置存储器单元沟道区电性质电容器晶体管电导率存储器阵列晶体管源极低电阻率高电阻率电耦合漏极区响应

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高迁移率半导体源极/漏极隔离物

高迁移率半导体源极/漏极隔离物

引用

作者： G.德维 M.V.梅茨 A.S.墨菲 T.加尼 W.拉克马迪 C.S.莫哈帕特拉 J.T.卡瓦利罗斯 G.A.格拉斯美国加利福尼亚州

单片FET包含设置在衬底之上的第一高载流子迁移率半导体材料中的多数载流子沟道。虽然掩膜（例如栅极叠层或牺牲的栅极叠层）正覆盖横向沟道区域，但高载流子迁移率半导体材料的隔离物被过度生长，例如环绕电介质横向隔离物以增大晶体... 详细信息

标准号: CN107667430B

单片FET包含设置在衬底之上的第一高载流子迁移率半导体材料中的多数载流子沟道。虽然掩膜（例如栅极叠层或牺牲的栅极叠层）正覆盖横向沟道区域，但高载流子迁移率半导体材料的隔离物被过度生长，例如环绕电介质横向隔离物以增大晶体管源极与漏极之间的有效间隔，而没有晶体管占用空间中的伴随增大。源极/漏极区域通过高迁移率半导体隔离物电耦合到横向沟道区域，所述横向沟道区域可基本上不掺杂（即本征）。例如，采用增大的对于给定横向栅极尺寸的有效沟道长度，对于给定断开状态泄露的晶体管占用空间可被减小，或者对于给定晶体管占用空间的断开状态源极/漏极泄露可被减小。

关键词：横向沟道占用空间晶体管半导体材料载流子迁移率断开状态栅极叠层减小泄露电介质源极/漏极区域有效沟道长度半导体隔离多数载流子横向隔离物晶体管源极源极/漏极高迁移率过度生长有效间隔电耦合隔离物增大的本征衬底单片沟道漏极掩膜掺杂环绕覆盖

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一种消影电路、行驱动电路和显示屏

一种消影电路、行驱动电路和显示屏

引用

作者：唐永生黄立申石林刘阿强 610000 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区和乐一街71号4栋2单元19层1901

本申请提供一种消影电路、行驱动电路和显示屏，消影电路包括放大器、第一晶体管以及参考电压输出模块；参考电压输出模块的输出端与放大器的反相输入端电连接，用于在行驱动模块开启时向所述反相输入端输出第一参考电压、关闭时向所述... 详细信息

标准号: CN115294928A

本申请提供一种消影电路、行驱动电路和显示屏，消影电路包括放大器、第一晶体管以及参考电压输出模块；参考电压输出模块的输出端与放大器的反相输入端电连接，用于在行驱动模块开启时向所述反相输入端输出第一参考电压、关闭时向所述反相输入端输出第二参考电压；放大器的同相输入端与行驱动模块的输出端电连接，放大器向第一晶体管的驱动端输出放大信号；第一晶体管的漏极与所述行驱动模块的输出端电连接，源极接地或电源电压；其中，所述第一晶体管源极接地、接电源电压时，所述第一参考电压分别为电源电压、地电压。本申请的技术方案可以有效消除LED显示屏的上鬼影现象以及避免短路毛毛虫现象。

关键词：参考电压放大器反相输入端电源电压晶体管输出端电连接行驱动模块输出模块消影电路晶体管源极同相输入端行驱动电路输出鬼影现象驱动模块输出放大源极接地接地地电压电连接驱动端输出端短路漏极申请显示屏

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具有场板的高压晶体管

具有场板的高压晶体管

引用

作者： R·泰德帕里 C·S·徐美国德克萨斯州

晶体管(105)形成在半导体衬底(100)上。所述晶体管包含：晶体管栅极(108)和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极(107)；晶体管源极触点(120)，其耦合到源极触点探针垫(128)；第一电介质层(110)，其覆盖所述半导体衬底和所... 详细信息

标准号: CN113811986A

晶体管(105)形成在半导体衬底(100)上。所述晶体管包含：晶体管栅极(108)和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极(107)；晶体管源极触点(120)，其耦合到源极触点探针垫(128)；第一电介质层(110)，其覆盖所述半导体衬底和所述晶体管栅极；源极场板(122)，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；且所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分(109)。

关键词：晶体管栅极源极场板耦合到探针电介质层源极触点晶体管衬底触点漏极半导体电介质层电容晶体管漏极晶体管源极电隔离延伸隔开覆盖

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