检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 1984年第5期 45-51页

作者：李学信林雅筠北京工业大学无线电电子学系

本文研究了影响双极型硅晶体管电流增益h;温度特性的各种因素。计及基极电流非理想因子n的影响,引入了“禁带宽度视在变窄量”△E;的概念,提出了描述h;温度特性的理论模型。实验表明,降低发射区掺杂浓度和改变发射区的图形结构,对改善h... 详细信息

本文研究了影响双极型硅晶体管电流增益h;温度特性的各种因素。计及基极电流非理想因子n的影响,引入了“禁带宽度视在变窄量”△E;的概念,提出了描述h;温度特性的理论模型。实验表明,降低发射区掺杂浓度和改变发射区的图形结构,对改善h;的温度特性十分有利。据此理论模型研制成功了电流增益温度特性优良的中小功率晶体管系列。

关键词：双极型基区理想因子温度特性晶体管电流增益发射区基极电流

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关于400兆赫50瓦功率晶体管的阻抗与匹配问题

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微纳电子技术 1979年第Z1期 5-17页

作者：周焕文王长河

一、前言我所的400兆赫50瓦功率晶体管于1976年研制出来以后,在K;参数和测试方法上以及在器件的抗烧能力方面出现不少问题。其原因是多方面的,其中有一个比较重要的问题与阻抗匹配有关。许多实验结果表明,需要在这方面做更多的工作,以... 详细信息

一、前言我所的400兆赫50瓦功率晶体管于1976年研制出来以后,在K;参数和测试方法上以及在器件的抗烧能力方面出现不少问题。其原因是多方面的,其中有一个比较重要的问题与阻抗匹配有关。许多实验结果表明,需要在这方面做更多的工作,以便充分发挥器件管芯的性能,提高其抗烧能力。本文准备汇报一下前一阶段我们在阻抗和匹配方面所做的工作,提出我们对这个问题的基本看法和处理方法,并介绍一些实验结果。

关键词：功率晶体管渡越时间少子巨型晶体管电力电子器件基区匹配问题晶体管电流增益集边效应微微法匹配网络

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双极晶体管中子辐射损伤常数的测量

引用

核电子学与探测技术 1982年第3期 41-47页

作者：陈盘训

本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环境下工作的双极晶体管增益退化的方法。

关键词：双极晶体管常数电流密度数学发射极晶体管电流增益中子辐射

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用于数字集成电路的(Ga,Al)As/GaAs双极晶体管

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微纳电子技术 1984年第5期 59-64页

作者： P.M.Asbeck 刘晨辰

利用分子束外延生长制备了（Ga, Al）As/GaAs npn双极晶体管。所设计的外延层结构适用于高速集成电路,所用的基区薄至1000（?）,其p=10;cm;。本文论证了基于选择性腐蚀和铍注入（为了获得平面结构）的制备工艺。讨论了影响晶体管电流增... 详细信息

利用分子束外延生长制备了（Ga, Al）As/GaAs npn双极晶体管。所设计的外延层结构适用于高速集成电路,所用的基区薄至1000（?）,其p=10;cm;。本文论证了基于选择性腐蚀和铍注入（为了获得平面结构）的制备工艺。讨论了影响晶体管电流增益的各种因素。预计基于这种类型按比例缩小的晶体管的电流型逻辑电路在相应的速度-功率乘积为70fJ时,传播延迟时间为20～25ps（单端扇入和扇出）。

关键词：异质结双极晶体管发射极基极基区晶体管电流增益 Ga,Al)As/GaAs Al

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半导体电路和系统在核环境中性能的预计方法

引用

现代防御技术 1974年第1期 65-74页

对电子系统能在核环境中正常工作的要求日益俱增。一般来说,半导体电子系统的设计者能够对付通常在物理环境中遇到的问题,如温度,冲击、振动,加速度等等。可是,卫星、核动力飞行器和精制的武器系统要求电子系统能够在复杂的核环境中也... 详细信息

对电子系统能在核环境中正常工作的要求日益俱增。一般来说,半导体电子系统的设计者能够对付通常在物理环境中遇到的问题,如温度,冲击、振动,加速度等等。可是,卫星、核动力飞行器和精制的武器系统要求电子系统能够在复杂的核环境中也能工作。因此,设计者必须懂得核环境及其效应,在设计时采用能在核环境中保存下来的措施,想出

关键词：硅晶体管能级辐照晶体管电流增益表面效应半导体电路预计方法核环境核辐射环境

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国外半导体器件耐辐射试验综述

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微纳电子技术 1975年第8期 1-16页

作者：吴来安

伟大领袖毛主席教导我们:“……特别要反对以原子弹为武器的侵略战争!如果这种战争发生,全世界人民就应以革命战争消灭侵略战争,从现在起就要有所准备!”根据当前核动力、核武器以及空间技术的发展,国外对半导体抗辐射问题已作了大量研... 详细信息

伟大领袖毛主席教导我们:“……特别要反对以原子弹为武器的侵略战争!如果这种战争发生,全世界人民就应以革命战争消灭侵略战争,从现在起就要有所准备!”根据当前核动力、核武器以及空间技术的发展,国外对半导体抗辐射问题已作了大量研究,对各种电子元、器件特别是半导体器件和集成电路的损伤情况、衰变规律以及损伤分析,已有了一个初步认识。同时在改进措施上也取得一定的进展。为了彻底打破苏美两霸的核讹诈和核垄断,我们不仅要进行必要的热核试验,同时也要研究耐辐射的电子元、

关键词：半导体器件迁移率少数载流子电离效应位移效应电子设备载流子(半导体) 抗辐射能力半导体材料电工材料器件性能晶体管电流增益表面效应耐辐射

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晶体管、MOS器件

引用

电子科技文摘 2001年第10期 28-30页

Y2001-62724-429 0116612基于矢量大信号测量的MOSFET的非线性模拟技术评价=Evaluation of non-linear modelling techniques forMOSFETs based on vectorial large-signal measurements[会,英]/Schreurs,D.& Vandenberghe,S.//2000IEEE International Symposium on Circuits and Systems,Vol.2.—429～432(HC)Y2001-62724-509 0116613晶体管失配用的电流镜的补偿=Current mirror com-pensation for transistor mismatch[会,英]/Taillefer,C.& Wang,C.//2000 IEEE International Symposium onCircuits and Systems,Vol.2.—509～512(HC)本文提出工作于极弱电流范围的精确CMOS电流镜电路用来补偿晶体管失配,可自动调节晶体管对栅-源电压的方法用来补偿物理参数失配。

关键词：晶体管电流增益电流镜多晶硅薄膜晶体管蒙特卡罗器件模拟非线性模拟技术评价参数失配信号测量自动调节补偿

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