检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2016年第18期65卷 315-320页

作者：张森陶旭冯志军吴淦华薛莉闫夏超张蜡宝贾小氢王治中孙俊董光焰康琳吴培亨南京大学超导电子学研究所南京210093 南京电子技术研究所智能感知技术重点实验室南京210039 中国电子科技集团公司第二十七研究所郑州450047 北京跟踪与通信技术研究所北京100094

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型单光子探测器,具有灵敏度高、时间精度高、探测速度快和暗计数低等特点,在激光测距等领域具有重要应用前景.本文将SNSPD应用到1064 nm波段激光测距系统,研究了其暗计数和信噪比对激光测距的影响... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型单光子探测器,具有灵敏度高、时间精度高、探测速度快和暗计数低等特点,在激光测距等领域具有重要应用前景.本文将SNSPD应用到1064 nm波段激光测距系统,研究了其暗计数和信噪比对激光测距的影响.基于实验获得的回波数据,结合激光雷达理论,研究了系统信噪比与脉冲积累次数的关系.分析表明,SNSPD暗计数是影响测距距离的关键因素之一.结合仿真,进一步探究了基于SNSPD的激光测距系统信噪比与回波率、暗计数的关系,暗计数较大时,信噪比随脉冲积累次数增加出现波动现象,回波信号湮没.由于SNSPD暗计数极低,本基于SNSPD的测距系统最远测距可达280 km,较同样条件下基于APD探测器的测距系统最远探测距离远40 km,在军事侦查、探测和制导等领域具有重要应用前景.

关键词：单光子超导纳米线暗计数激光测距

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高耐压和低暗计数SiC紫外雪崩光电二极管

引用

光学学报 2023年第3期43卷 1-6页

作者：杨成东夏开鹏马文烨高晏琦郁智豪苏琳琳无锡学院电子信息工程学院江苏无锡214105

碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层电荷控制层雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向... 详细信息

碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层电荷控制层雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向吸收层扩展,从而减小了雪崩倍增层内电场强度变化率,最终将器件过偏压承受能力提高到10 V;得益于吸收层的分压,雪崩倍增层的电场强度得到有效降低,载流子隧穿可能性减小,这能够有效降低器件暗计数,从而有利于提高器件探测灵敏度;此外,设计的SiC SACM APD倾斜台面仅刻蚀到雪崩倍增层上表面,这能够让器件填充因子提高至约60%,显著改善了深刻蚀导致的传统SACM结构有效光敏区域减小的问题。

关键词：探测器雪崩光电二极管碳化硅微弱紫外光探测器暗计数过偏压承受能力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

红外InGaAs/InP单光子探测器暗计数的研究

引用

量子光学学报 2007年第2期13卷 141-145页

作者：李水峰熊予莹李日豪廖常俊华南师范大学物理与电信工程学院广东广州510631 华南师范大学信息光电子科技学院广东广州510631

在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献... 详细信息

在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献是很小的,并且针对热噪声和后脉冲分析了减小暗计数的有效方法。

关键词：雪崩光电二极管暗计数后脉冲盖革模式

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

极低暗计数超导纳米线单光子探测器和高效光耦合技术研究

极低暗计数超导纳米线单光子探测器和高效光耦合技术研究

引用

作者：杨晓燕中国科学院大学

学位级别：博士

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型的超导单光子探测器件。SNSPD在近红外波段具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点，与传统半导体单光子探测技术或其他超导单光子探测技术相比具有明显的优势。自2001年Gol'... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)是一种新型的超导单光子探测器件。SNSPD在近红外波段具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点，与传统半导体单光子探测技术或其他超导单光子探测技术相比具有明显的优势。自2001年Gol'tsman等人发明SNSPD以来，SNSPD成为了超导电子学及单光子探测领域的热点课题，受到了广泛的关注并已被应用到了众多领域。　　对于SNSPD系统来说，其性能总会受到系统各种因素的影响导致系统性能低于器件本征性能。本文从器件、光耦合模块和系统集成多个角度出发，探讨分析如何提升系统探测效率、降低暗计数，从而提升系统的综合性能。　　探测效率是SNSPD的最主要性能指标，而光耦合效率是影响SNSPD探测效率的最重要原因之一。本文首先讨论了对SNSPD器件进行光耦合而搭建的光耦合系统以及与之配套的封装盒。研究了单模光纤在光耦合中的性能及透镜光纤的聚焦性能，并利用透镜光纤进行背面光耦合将光耦合效率提高了3倍。最后讨论了低温环境对光耦合效率的影响，发现低温环境使得光纤端面与器件衬底之间的距离减小，并会使对准有一定程度的偏移，但计算数据表明对光耦合效率几乎无影响。　　暗计数代表了SNSPD的噪声水平，在量子密钥分发中的误码率与SNSPD的暗计数成正比。本文研究了SNSPD噪声的起源，确定了背景暗计数是由处于一定温度下的光纤引入的黑体辐射引起的。研究了光纤的温度、长度、曲率等对背景暗计数的影响，发现光纤绕圈为Φloops=30 mm时能够在保持SNSPD探测效率不变的情况下，将背景暗计数降低一个数量级到几十Hz。除此之外我们使用芯片上光学薄膜带通滤波器抑制黑体辐射的方法来降低背景暗计数。发现由于Si折射率随温度的变化导致光学薄膜滤波器的通带和中心波长随温度的降低而蓝移，将中心波长从1545 nm蓝移到1532 nm。SNSPD的探测效率随波长的变化反映了滤波器的较好的滤波性能，且对中心波长探测效率无抑制，在中心波长1532 nm，集成滤波器SNSPD的DE@DCR100=64.2％。滤波器有效地过滤了黑体辐射，将最大背景暗计数，即背景暗计数和本征暗计数的拐点由20 Hz降低了两个数量级到0.4 Hz，得到了目前所报导的最低NEP为2.0×10-19 W/Hz1/2。　　我们还利用Swagelok接头改进了光学系统进出制冷机真空接口结构，使用优良清洁光纤接头，保证了光通路损耗在0.2 dB以下，并且在低温卜也保持了光纤和接头的低损耗。利用优化的SNSPD系统，能够将四通道的探测效率提升到在100 Hz暗计数下大于等于65％。　　论文的最后对下一步的研究工作进行了讨论和展望。

关键词：超导纳米线单光子探测器探测效率暗计数光耦合技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

红外单光子探测器暗计数的研究

引用

激光与光电子学进展 2005年第8期42卷 29-32页

作者：赵峰郑力明廖常俊刘颂豪华南师范大学信息光电子学院广州510631 暨南大学电子工程系广东510632

分析暗计数的来源,讨论温度及门控模式下各种参数对暗计数的影响,提出减小暗计数的有效方法。太低的温度不利于暗计数的减小,而应根据不同的APD选择合适的温度并与门控技术结合来消除暗计数。偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择对... 详细信息

分析暗计数的来源,讨论温度及门控模式下各种参数对暗计数的影响,提出减小暗计数的有效方法。太低的温度不利于暗计数的减小,而应根据不同的APD选择合适的温度并与门控技术结合来消除暗计数。偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择对后脉冲的消除起着关键的作用。

关键词：单光子后脉冲探测器门控技术暗计数单光子探测器计数红外脉冲宽度有效方法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器暗计数特性研究

InGaAs(P)/InP近红外单光子探测器暗计数特性研究

引用

作者：王莹山东大学

学位级别：硕士

基于InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管(Single Photon Avalanche Diodes,SPADs)的近红外单光子探测器具有功耗低、不需超低温制冷、可靠性高、使用简单、易集成、近红外探测效率高等优点,在光通讯波段(1310 nm、1550 nm)量子密钥分发(QKD)... 详细信息

基于InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管(Single Photon Avalanche Diodes,SPADs)的近红外单光子探测器具有功耗低、不需超低温制冷、可靠性高、使用简单、易集成、近红外探测效率高等优点,在光通讯波段(1310 nm、1550 nm)量子密钥分发(QKD)、激光测距(1064nm、1550nm)等前沿领域有着迫切的应用需求,但其暗计数特性对应用有诸多限制。InGaAs(P)/InPSPAD基近红外单光子探测器主要包括InGaAs(P)/InP SPAD及其驱动电路,二者的性能均可影响探测器性能。本论文主要针对InGaAs(P)/InP SPAD基近红外单光子探测器的暗计数特性及其影响因素、InGaAs(P)/InPSPAD暗电流特性及其影响因素进行深入研究,探索二者关联特性,为SPAD器件及单光子探测器的性能优化提供指导。搭建SPAD器件变温测试平台对SPAD暗电流特性进行了研究;搭建激光束诱导电流(LBIC)测试系统对SPAD器件的响应均匀性及其边缘击穿特性进行了研究;研制SPAD器件单光子探测性能测试装置对不同SPAD器件对应单光子探测器的暗计数特性进行了研究。对SPAD器件暗电流特性及其对应单光子探测器的暗计数关联性进行探索,研究发现SPAD雪崩击穿偏压处的暗电流斜率与相应单光子探测器的暗计数相关,斜率较小时相应的暗计数较小;暗电流与暗计数存在抖动情况,此抖动均与温度呈负相关,与过偏压无关。目前对暗计数特性的研究主要集中于影响机制,并未发现对上述结果的报导。

关键词：单光子探测单光子雪崩二极管暗计数暗电流温度过偏压

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

量子密码通信中暗计数对误码率的影响

量子密码通信中暗计数对误码率的影响

引用

2008年中国高校通信类院系学术研讨会

作者：乔辉吴斌盛山锋陈小余浙江工商大学信息与电子工程学院

量子密码在理论上提供了绝对安全的保密通信。实际的量子密码通信中,由于单光子光源还不能制备,实验上使用强衰减激光源代替,这会引入安全漏洞。改进的方案是采用"诱骗态"方案,其中接收端探测器本身的暗计数是限制传输距离和... 详细信息

量子密码在理论上提供了绝对安全的保密通信。实际的量子密码通信中,由于单光子光源还不能制备,实验上使用强衰减激光源代替,这会引入安全漏洞。改进的方案是采用"诱骗态"方案,其中接收端探测器本身的暗计数是限制传输距离和码率的主要因素。本文对暗计数引起的干扰进行建模处理,定量分析它对误码率的影响。

关键词：量子密码通信量子误码率暗计数探测器诱骗态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究

Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究

引用

第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会

作者：柯少颖林绍铭黄巍李成陈松岩厦门大学物理系半导体光子学研究中心

1.引言随着单光子探测技术的发展,利用晶体Si中缺陷少的优势制备的单光子探测器(SPAD)具有较高的单光子探测效率(SPDE)和较低的暗计数率(DCR)[1]。近期研究人员提出了一种有效的方法来拓展Si SPAD的工作波段,即采用吸收区-电荷区-倍增... 详细信息

1.引言随着单光子探测技术的发展,利用晶体Si中缺陷少的优势制备的单光子探测器(SPAD)具有较高的单光子探测效率(SPDE)和较低的暗计数率(DCR)[1]。近期研究人员提出了一种有效的方法来拓展Si SPAD的工作波段,即采用吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构[2],如图1所示。Si由于具有极低的噪声等效因子、良好的雪崩倍增概率和可以有效抑制后脉冲效应[3]而作为倍增区。Ge则与CMOS工艺兼容且具有近红外探测的能力而成为吸收区的候选材料。

关键词：暗计数单光子探测器 Ge/Si 理论研究

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种检测微通道板暗计数的装置

一种检测微通道板暗计数的装置

引用

作者：刘永安盛立志刘哲李林森赵宝升 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号

本实用新型提出了一种检测微通道板暗计数的装置，包括用于测试MCP性能的真空腔室、电极引线、光子计数成像探测器、电子读出电路、数据采集与处理单元以及电源；光子计数成像探测器设置在真空腔室内；电子读出电路、数据采集与处理单... 详细信息

标准号: CN203799020U

本实用新型提出了一种检测微通道板暗计数的装置，包括用于测试MCP性能的真空腔室、电极引线、光子计数成像探测器、电子读出电路、数据采集与处理单元以及电源；光子计数成像探测器设置在真空腔室内；电子读出电路、数据采集与处理单元依次与真空腔室连接；电源与电极引线、光子计数成像探测器连接。本实用新型检测微通道板暗计数的装置，利用“光子计数成像技术”能够同时得到MCP暗计数的数量、位置分布和脉冲高度分布（PHD）等信息，为光子计数成像探测、粒子探测和微光成像等应用提供筛选低噪声MCP的技术。

关键词：光子计数成像暗计数探测器数据采集与处理电极引线读出电路真空腔室微通道电源脉冲高度分布粒子探测位置分布微光低噪声真空腔检测连接探测筛选

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种具有暗计数脉冲辨别力的单光子计数鉴别电路

一种具有暗计数脉冲辨别力的单光子计数鉴别电路

引用

作者：余向东张在宣王剑锋刘红林张文平 310018 浙江省杭州市江干经济开发区学源街

本实用新型的具有暗计数脉冲辨别力的单光子计数鉴别电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、变阻器W1，电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、电子开关K1、比较器IC1和运算放大器IC2。电阻R1、电阻R3、电容C1、电容C... 详细信息

标准号: CN204535861U

本实用新型的具有暗计数脉冲辨别力的单光子计数鉴别电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、变阻器W1，电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、电子开关K1、比较器IC1和运算放大器IC2。电阻R1、电阻R3、电容C1、电容C4、电容C5、比较器IC1和变阻器W1组成阀值可调的比较器。电阻R2、电阻R4、二极管D1、电子开关K1、电容C3和运算放大器IC2组成计数触发脉冲积分电路。本实用新型通过对计数触发脉冲脉宽大小的判别来辨别暗计数脉冲，从而有效减少了单光子探测系统的暗计数。和传统致冷技术相比，本实用新型具有结构简单、成本低、功耗小的优点。

关键词：电容电阻暗计数比较器脉冲运算放大器二极管电子开关变阻器触发计数辨别脉冲积分电路光子计数光子探测鉴别电路阀值功耗判别致冷

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：