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主题

  • 1 篇 碳化硅
  • 1 篇 单极半导体功率器...
  • 1 篇 最优漂移区解析模...
  • 1 篇 数值分析

机构

  • 1 篇 株洲南车时代电气...
  • 1 篇 电力电子器件湖南...

作者

  • 1 篇 李诚瞻
  • 1 篇 高云斌
  • 1 篇 吴煜东
  • 1 篇 蒋华平

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=最优漂移区解析模型"
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SiC单极功率器件的最优漂移区解析模型
SiC单极功率器件的最优漂移区解析模型
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 蒋华平 李诚瞻 吴煜东 高云斌 株洲南车时代电气股份有限公司 湖南 株洲 412001 电力电子器件湖南省重点实验室 湖南 株洲 412001
本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基础上,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件最优漂... 详细信息
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