检索结果-内蒙古大学图书馆

中国机械工程 2003年第3期14卷 184-186页

作者：熊斌车录锋王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

介绍了一种新型结构微机械陀螺的设计及制作。新型陀螺的驱动振动和敏感检测振动的阻尼均为滑膜阻尼 ,且几乎相同 ,惯性质量块为栅型结构 ,由弹性悬臂梁支撑 ;驱动固定电极和敏感检测固定电极位于惯性质量块下方。分析了新型陀螺的工作... 详细信息

介绍了一种新型结构微机械陀螺的设计及制作。新型陀螺的驱动振动和敏感检测振动的阻尼均为滑膜阻尼 ,且几乎相同 ,惯性质量块为栅型结构 ,由弹性悬臂梁支撑 ;驱动固定电极和敏感检测固定电极位于惯性质量块下方。分析了新型陀螺的工作特性 ,说明了陀螺结构参数对陀螺灵敏度的影响。实验结果表明 ,在大气状态下 ,新型栅结构微机械陀螺的驱动和敏感检测品质因子 Q均可达到

关键词：栅型结构微机械陀螺动力学方程角速度传感器微机械加工技术

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具备栅型结构电极的像素阵列探测器及其制备方法

具备栅型结构电极的像素阵列探测器及其制备方法

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作者：李志华刘曼文成文政 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本申请属于辐射探测技术领域，具体涉及一种具备栅型结构电极的像素阵列探测器及其制备方法。该像素阵列探测器包含像素单元，且像素单元包含基体，该基体具备读取面与接收面，且读取面、接收面设于基体厚度方向的两端；在读取面、接收... 详细信息

标准号: CN116504851A

本申请属于辐射探测技术领域，具体涉及一种具备栅型结构电极的像素阵列探测器及其制备方法。该像素阵列探测器包含像素单元，且像素单元包含基体，该基体具备读取面与接收面，且读取面、接收面设于基体厚度方向的两端；在读取面、接收面中的至少一个形成有沟槽，沟槽内布置有阴极电极和/或阳极电极，其中，阴极电极位于读取面端，阳极电极位于接收面端；阴极电极和/或阳极电极为相互连接的栅部与支撑部形成的栅型结构。本申请设计的具备栅型结构的电极相较于现有技术的矩形或方形结构电极，电极面积有效减小，有利于降低像素阵列探测器的电容，并提高探测器的灵敏度。

关键词：电极读取面接收面探测器像素阵列阴极电极栅型结构像素单元阳极电极基体厚度方向阳极方形结构辐射探测灵敏度电容减小栅部申请制备支撑

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一种产生宽条纹区域、低发散度栅型结构光的光学装置

一种产生宽条纹区域、低发散度栅型结构光的光学装置

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作者：吴志伟杨惠山 362000 福建省泉州市丰泽区东海大街398号

本实用新型公开了一种产生宽条纹区域、低发散度栅型结构光的光学装置，包括沿光路依次设置的激光器、空间滤波器、扩束准直器、矩形光阑和反射式分光棱镜，沿反射式分光棱镜输出的第一光束的光路上依次设置有第一平面反射镜和第一凹透... 详细信息

标准号: CN204832694U

本实用新型公开了一种产生宽条纹区域、低发散度栅型结构光的光学装置，包括沿光路依次设置的激光器、空间滤波器、扩束准直器、矩形光阑和反射式分光棱镜，沿反射式分光棱镜输出的第一光束的光路上依次设置有第一平面反射镜和第一凹透镜，沿反射式分光棱镜输出的第二光束的光路上依次设置有第二平面反射镜和第二凹透镜，第一凹透镜与第二凹透镜的焦距相等，且从第一平面反射镜和第二平面反射镜射出的光束分别对应正入射至第一凹透镜和第二凹透镜。通过本实用新型的光学装置可产生具有宽栅型条纹区域和低发散度特点的栅型结构光。

关键词：凹透镜分光棱镜依次设置反射式平面反射镜第一平面光学装置栅型结构低发散反射镜空间滤波器扩束准直器矩形光阑条纹区域焦距输出激光器宽条纹正入射实用光路射出一种栅型相等对应产生公开

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一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管

一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管

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作者：苏琳琳马文烨夏开鹏杨成东高晏琦张见 214105 江苏省无锡市锡山区锡山大道333号

一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触... 详细信息

标准号: CN217562581U

一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于SiC材料方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。

关键词：电极上层条形电极外延层衬底正面设置电场分布均匀性雪崩光电二极管本实用新型光生载流子电极连接电极组成优化器件栅极结构栅型电极栅型结构底面雪崩探测垂直优化

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新型栅结构双向MEMS惯性传感器研究

新型栅结构双向MEMS惯性传感器研究

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作者：李永杰杭州电子科技大学

学位级别：硕士

微电子机械系统(MEMS)是一个发展十分迅速、应用日渐广泛的领域,其中以加速度计为代表的MEMS传感器是目前应用最为广泛的MEMS器件。电容式MEMS加速度计具有灵敏度高、温度系数小、功耗和成本低等优点,在汽车工业、消费类产品、石油探测... 详细信息

微电子机械系统(MEMS)是一个发展十分迅速、应用日渐广泛的领域,其中以加速度计为代表的MEMS传感器是目前应用最为广泛的MEMS器件。电容式MEMS加速度计具有灵敏度高、温度系数小、功耗和成本低等优点,在汽车工业、消费类产品、石油探测、导航等领域具有十分广泛的应用。对电容式加速度计的基本原理、基本结构和基本检测原理进行了分析;比较了电容式MEMS器件的几种主要检测方式,选用了基于变面积检测原理的栅型结构作为检测电容结构;分析了加速度计的气体阻尼,证明工作在滑膜阻尼状态下的栅型结构器件具有更小的气体阻尼,可以有效提高器件的分辨率;分析了静电力对电容式器件的影响,说明栅型结构的电容式加速度计可以通过提高检测电压来提高器件的分辨率。根据上述的理论分析设计了一个基于栅型检测电容结构的双轴电容式MEMS加速度计,主要由支撑梁、连接梁、带有栅型检测电极的质量块、玻璃衬底和淀积在玻璃衬底上的铝检测电极组成。设计了阻尼调整梳齿,用来调节器件的阻尼特性;在器件的敏感运动方向上设计了冲击保护结构,保护器件免受大的冲击的破坏。使用有限元分析软件ANSYS对设计的加速度计进行了分析:通过模态分析证明了加速度计的敏感运动方向和设计要求相一致;通过静态灵敏度分析证明了加速度计在x-轴和y-轴上具有几乎相同的灵敏度;通过强度分析证明加速度计可以承受1000g加速度信号的冲击;通过横向效应分析证明了器件的横向效应近似为0。由于电容式MEMS器件的小尺寸特性,电容边缘效应对电容式MEMS器件具有十分重要的影响,对栅型电容和平行板电容的边缘效应进行了分析比较。利用电磁场分析软件ANSOFT-Maxwell分析了电容边缘效应对栅型结构电容值的影响,包括栅型电容随着电容极板长度、宽度、交叠宽度、极板厚度、极板间距、栅型条密度变化时的变化情况,结果表明:边缘效应会引起栅型电容随交叠长度和宽度的非线性变化;栅型电容会随着栅型条宽度和极板厚度增加而增加;相同交叠面积下增大栅型条密度可以提高灵敏度,但是会降低器件线性度。此外结合设计的加速度计器件的结构,对边缘效应对该器件的影响进行了分析。设计了双轴MEMS加速度计的版图;介绍了MEMS器件的主流工艺;根据体硅工艺,设计了加速度计制作的工艺流程,并对主要的工艺进行了介绍;分析了DRIE工艺引起的微负载效应,并针对这一效应对器件结构进行了改进;制作了双轴MEMS加速度计,证明了器件工艺设计的可行性;对器件进行了初步的静态测试,测得器件在x-轴和y-轴的电容灵敏度分别为0.53pF/g和0.49pF/g,证明了所设计的器件满足双向加速度信号检测的要求;利用一个基于栅型结构的谐振器分析了栅型结构的阻尼特性,证明栅型结构器件在常压下具有较低的气体阻尼和较高的品质因数,从而具有较好的动态性能。

关键词：双轴加速度计电容边缘效应栅型结构滑膜阻尼体硅工艺

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高可靠性加固SRAM编译器设计与实现

高可靠性加固SRAM编译器设计与实现

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作者：付玉倩中国科学院大学

学位级别：硕士

SRAM(Static Random Access Memory)，即静态随机存储器，被广泛应用于电子通讯、个人电脑及航天卫星等领域。为适应复杂的工作环境，避免存储器芯片受到地面及太空辐射的干扰，需要对其进行特定的加固设计，提高其可靠性，延长其运行... 详细信息

SRAM(Static Random Access Memory)，即静态随机存储器，被广泛应用于电子通讯、个人电脑及航天卫星等领域。为适应复杂的工作环境，避免存储器芯片受到地面及太空辐射的干扰，需要对其进行特定的加固设计，提高其可靠性，延长其运行寿命。　　通常存储器的实现形式有两种:一种是全定制设计，这种方法能够根据速度、性能、功耗等指标进行针对性的定制设计，但是其设计周期长，且人力资源的消耗较大;另一种主流的方法是利用编译器自动生成的半定制设计方法，用户根据各自的设计需求，对编译器进行字长、字宽等参数设置，即可得到读写功能正确的，满足典型性能要求的存储器。　　本文目标是建立一套完整的SRAM加固单元库，通过SRAM编译器程序的调取，最终得到一款高可靠性加固SRAM编译器。首先对在空间辐照环境下半导体器件易产生的总剂量效应、单粒子闩锁效应、单粒子翻转效应机理进行研究。其次，从工艺、电路、版图三个方面对存储器及对单粒子效应较敏感的存储位单元进行加固设计。最后，建立模型、电路、版图等单元模块库，利用拼接函数调取，来实现整个编译器的设计。本论文完成的主要工作如下:　　(1)利用TCAD(Technobgy Computer Aided Design)工艺仿真工具，模拟体硅工艺和SOI(Silicon On Insulator)工艺结构下浮体器件的单粒子瞬态脉冲效应，对比其瞬态脉冲电流大小;同时对不同栅型结构的SOI器件在总剂量效应下产生的泄漏电流特性进行对比。　　(2)对存储位单元电路与版图结构进行加固设计。采用DICE (Dual Interlocked storage Cell)双稳态锁存电路加固结构，同时利用T型栅、H型栅两种加固器件结构对位单元版图进行设计，并对比其面积。　　(3)分析电路网表及版图二进制流文件格式，建立电路单元模块库、版图单元模块库。利用拼接函数对基准单元库进行调用拼接，实现编译器的设计。　　最后，本文对编译器操作界面流程进行了展示及说明，并对其生成的verilog 文件进行了功能验证，对lef文件和lib文件进行了后端数据兼容性验证，对网表文件和版图文件进行了数据匹配性验证，均满足设计需求。

关键词：静态随机存储器编译器可靠性加固栅型结构双稳态锁存

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一种用于超声波气表的管段结构

一种用于超声波气表的管段结构

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作者：裴健宋正荣 215000 江苏省苏州市高新区科技城五台山路588号标准厂房1号楼

本实用新型公开了一种用于超声波气表的管段结构，包括两端分别设有进气口和出气口的管体，管体内部设置导流腔，导流腔上设置两组换能器安装孔，导流腔内设置两组整流器，整流器与导流腔的内壁相贴合，整流器内设置若干层整流块，若干... 详细信息

标准号: CN208567996U

本实用新型公开了一种用于超声波气表的管段结构，包括两端分别设有进气口和出气口的管体，管体内部设置导流腔，导流腔上设置两组换能器安装孔，导流腔内设置两组整流器，整流器与导流腔的内壁相贴合，整流器内设置若干层整流块，若干层整流块相互平行形成栅型结构。通过在导流腔内设置的整流器，对进入导流腔内的气体进行整流，让杂乱的气流变得稳定，同时避免了整流块延伸至超声波传输路径里，整流块对超声波信号的干扰，提高测量的精确性和稳定性。且通过优化管体各部件的安装位置，可以克服不同批次甚至不同单个管体之间的计量差异，一致性好，利于后续的准确收费，且模块化的结构易于生产，装配方便，方便检修和更换。

关键词：导流腔整流块整流器管体进气口换能器安装孔本实用新型超声波传输超声波信号两组整流器管体内部一致性好栅型结构装配方便超声波出气口模块化管段两组内壁气表贴合平行计量检修测量延伸优化生产

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硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池

硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池

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作者：王新彭奎庆 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池。其特征在于采用纳米硅浆料和硅刻蚀技术形成的硅微纳米结构在硅片表面形成栅线图形形状，后续采用常规的电池技术，即一次扩散、刻蚀周边、沉积氮化硅、... 详细信息

标准号: CN102956719B

本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池。其特征在于采用纳米硅浆料和硅刻蚀技术形成的硅微纳米结构在硅片表面形成栅线图形形状，后续采用常规的电池技术，即一次扩散、刻蚀周边、沉积氮化硅、丝印电极，形成一种易于产业化的选择发射极电池。所述太阳能转换装置在P型硅基表面通过旋涂，金属催化腐蚀等方法制备出硅微纳米结构的栅型结构，在硅纳米结构上面制备电极，形成选择型发射区，提高太阳能装置的效率。本发明提供的一种新型的一次扩散太阳能电池选择性发射区的方法，可提高电池效率，直接在硅表面得到可以制备选择性发射区的结构，精简了硅纳米浆料的制备步骤，降低生产成本。

关键词：硅微纳米结构一种制备选择性发射区太阳能电池一次扩散电极浆料选择性发射极太阳能电池太阳能转换装置金属催化腐蚀硅纳米结构太阳能装置选择发射极电池技术电池效率硅片表面栅线图形栅型结构产业化氮化硅发射区硅表面硅刻蚀硅纳米基表面纳米硅选择型刻蚀丝印旋涂沉积生产成本电池后续精简公开

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一种基于石墨烯膜的光导半导体开关

一种基于石墨烯膜的光导半导体开关

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作者：李伟李佳峻 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，属于光导半导体开关技术领域，克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流，从而烧毁开关，变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片，依次设置在半导体基... 详细信息

标准号: CN114267749B

本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，属于光导半导体开关技术领域，克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流，从而烧毁开关，变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片，依次设置在半导体基片上的第一过渡层、第一石墨烯膜和阴极，依次设置在半导体基片上的第二过渡层、第二石墨烯膜和阳极。本发明用于干扰和毁伤无人机、导弹等电子装备。

关键词：半导体基片石墨烯膜光导半导体依次设置过渡层等离子体阴极开关技术领域阳极传统开关电子装备栅型结构体电流丝状烧毁导弹

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一种柔性电路板

一种柔性电路板

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作者：时龙飞殷明陈嘉琪杨婧高琦司珂瑜 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401

本申请实施例提供了一种柔性电路板，该柔性电路板包括：柔性电路板本体，与至少一个电磁屏蔽结构；柔性电路板本体包括高速信号线层，高速信号线层分布有高速信号线；电磁屏蔽结构贴装在高速信号线层表面；其中，电磁屏蔽结构刻蚀有至... 详细信息

标准号: CN113316308B

本申请实施例提供了一种柔性电路板，该柔性电路板包括：柔性电路板本体，与至少一个电磁屏蔽结构；柔性电路板本体包括高速信号线层，高速信号线层分布有高速信号线；电磁屏蔽结构贴装在高速信号线层表面；其中，电磁屏蔽结构刻蚀有至少一个特征区域，特征区域包括镂空的栅型结构，栅型结构设置在高速信号线上，用于抑制高速信号线上传输的共模噪声。通过FPC上贴装电磁屏蔽结构，并在电磁屏蔽结构上刻蚀有至少一个特征区域，能够实现对FPC上的共模噪声的抑制；本申请可通过将特定形状的电磁屏蔽结构设置在高速信号线上，直接抑制共模噪声沿FPC的高速信号线向后传播；本申请只需要相对小面积的电磁屏蔽结构便可，有效地节约了材料。

关键词：高速信号线电磁屏蔽结构柔性电路板特征区域共模噪声栅型结构刻蚀贴装申请抑制共模有效地镂空向后噪声传输节约传播

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