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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

25 篇 专利
2 篇 学位论文
1 篇 期刊文献

馆藏范围

28 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

3 篇 工学
- 1 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 航空宇航科学与技...

主题

3 篇 栅型结构
1 篇 滑膜阻尼
1 篇 可靠性加固
1 篇 微机械陀螺
1 篇 静态随机存储器
1 篇 微机械加工技术
1 篇 体硅工艺
1 篇 电容边缘效应
1 篇 编译器
1 篇 双稳态锁存
1 篇 角速度传感器
1 篇 双轴加速度计
1 篇 动力学方程

机构

4 篇 泉州师范学院
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 北京北方华创微电...
2 篇 西安电子科技大学
2 篇 山东省科学院海洋...
2 篇 电子科技大学
2 篇 荣耀终端有限公司
2 篇 苏州伟翔电子废弃...
1 篇 中国科学院大学
1 篇 无锡学院
1 篇 苏州东剑智能科技...
1 篇 中国科学院微电子...
1 篇 西北工业大学
1 篇 北京师范大学
1 篇 南京思齐环保仪器...
1 篇 杭州电子科技大学
1 篇 北京清畅电力技术...
1 篇 中国科学院上海微...

作者

4 篇 杨惠山
4 篇 吴志伟
2 篇 杨文清
2 篇 宣荣喜
2 篇 陈嘉琪
2 篇 朱孝东
2 篇 康峻峰
2 篇 时龙飞
2 篇 刘寿生
2 篇 宋建军
2 篇 乐薇
2 篇 杜昊
2 篇 殷明
2 篇 徐婷婷
2 篇 李佳峻
2 篇 李艳丰
2 篇 杨旻昱
2 篇 张学宇
2 篇 王宜豹
2 篇 郭风祥

语言

28 篇 中文

检索条件"主题词=栅型结构"

共 28 条记录，以下是21-30 订阅

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详细简洁

排序：

一种基于石墨烯膜的光导半导体开关

一种基于石墨烯膜的光导半导体开关

引用

作者：李伟李佳峻 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，属于光导半导体开关技术领域，克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流，从而烧毁开关，变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片，依次设置在半导体基... 详细信息

标准号: CN114267749A

本发明公开了一种基于石墨烯膜的光导半导体开关，属于光导半导体开关技术领域，克服传统开关的面电流密度高造成等离子体丝状电流，从而烧毁开关，变成体电流便于承受更高的电压。本发明包括栅型结构的半导体基片，依次设置在半导体基片上的第一过渡层、第一石墨烯膜和阴极，依次设置在半导体基片上的第二过渡层、第二石墨烯膜和阳极。本发明用于干扰和毁伤无人机、导弹等电子装备。

关键词：半导体基片石墨烯膜光导半导体依次设置过渡层等离子体阴极开关技术领域阳极传统开关电子装备栅型结构体电流丝状烧毁导弹

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具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法

具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法

引用

作者：杨文清乐薇 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，包括步骤：定义出各NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形，包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构；采用同一次N型离子注入形成各NPN器件的N型埋层；对各NPN器件的N型埋层... 详细信息

标准号: CN104576334A

本发明公开了一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，包括步骤：定义出各NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形，包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构；采用同一次N型离子注入形成各NPN器件的N型埋层；对各NPN器件的N型埋层进行退火推进，形成具有不同掺杂浓度的N型埋层。本发明采用一次光刻和一次离子注入就能同时制造具有不同掺杂浓度的埋层从而能集成具有不同BVCBO的NPN器件，能大大降低工艺成本。

关键词：掺杂浓度离子注入光刻胶图形工艺成本集成制造全部打开同时制造退火推进网格结构一次光刻栅型结构埋层一种公开进行

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基于/(001)沟道的单轴张应力NMOS器件及其制备方法

基于/(001)沟道的单轴张应力NMOS器件及其制备方法

引用

作者：杨旻昱宋建军包文涛胡辉勇宣荣喜张鹤鸣 710000 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

本发明涉及一种基于[100]/(001)沟道的[110]单轴张应力NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取晶面为(001)的单晶Si衬底；形成P型阱区；形成隔离区；在P型阱区表面生长绝缘层，利用光刻工艺形成沟道保护层图案，利用选择性刻蚀工... 详细信息

标准号: CN105895532A

本发明涉及一种基于[100]/(001)沟道的[110]单轴张应力NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取晶面为(001)的单晶Si衬底；形成P型阱区；形成隔离区；在P型阱区表面生长绝缘层，利用光刻工艺形成沟道保护层图案，利用选择性刻蚀工艺形成沟道保护层；利用自对准工艺在P型阱区进行N型离子注入形成源区和漏区，并去除沟道保护层；在P型阱区表面生长栅介质层和栅极层；湿法刻蚀栅极层和栅介质层形成与沟道方向成一定齿宽和一定沟道宽度且与沟道[100]晶向形成45°角的齿状栅极；在表面淀积SiN单轴应力薄膜，最终形成具有[100]/(001)沟道的[110]/(001)应变Si NMOS器件。本发明采用与沟道[100]晶向形成45°角的齿状栅型结构对[110]晶向施加单轴张应力，增强了NMOS沟道迁移率，提升了器件性能。

关键词：沟道沟道保护层晶向表面生长栅介质层栅极层张应力齿状单轴制备绝缘层沟道迁移率选择性刻蚀自对准工艺表面淀积单轴应力光刻工艺器件性能湿法刻蚀栅型结构隔离区衬底单晶晶面漏区源区去除薄膜施加图案

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具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法

具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法

引用

作者：杨文清乐薇 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN104576334B

关键词：离子掺杂退火工艺成本集成制造刻胶图形网格结构一次光刻栅型结构注入光埋层制造

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一种用于三维形貌测量的投影和摄像系统

一种用于三维形貌测量的投影和摄像系统

引用

作者：吴志伟杨惠山 362000 福建省泉州市丰泽区东海大街398号

本发明公开了一种用于三维形貌测量的投影和摄像系统，其包括沿光路依次设置的激光器、空间滤波器、扩束准直器、矩形光阑和分光棱镜，分光棱镜的第一、二输出光束的光路上分别设置有第一、第二凸透镜；第一凸透镜和第二凸透镜的光轴相... 详细信息

标准号: CN104930986A

本发明公开了一种用于三维形貌测量的投影和摄像系统，其包括沿光路依次设置的激光器、空间滤波器、扩束准直器、矩形光阑和分光棱镜，分光棱镜的第一、二输出光束的光路上分别设置有第一、第二凸透镜；第一凸透镜和第二凸透镜的光轴相互平行，第一、第二输出光束分别经第一、第二凸透镜进行扩束并改变传输方向，相干叠加形成栅型条纹区域；还包括设置于分光棱镜与此栅型条纹区域之间且镜头朝向此栅型条纹区域的摄像机；第一凸透镜和第二凸透镜的光轴均与摄像机的光轴平行，并且关于摄像机的光轴对称分布；被测物体置于此栅型条纹区域内。本发明的投影和摄像系统一方面能够产生宽条纹区域、低发散度的栅型结构光，另一方面可在获得大测量范围的同时能够保证参考面上的条纹相位呈线性分布。

关键词：凸透镜条纹区域栅型分光棱镜摄像机摄像系统输出光束光轴投影三维形貌测量空间滤波器扩束准直器被测物体测量范围传输方向分别设置光轴对称光轴平行镜头朝向矩形光阑线性分布相干叠加依次设置栅型结构激光器低发散宽条纹条纹光路扩束一种参考分布设置公开保证产生改变进行

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一种具有无线通讯功能的墙内导线探测设备

一种具有无线通讯功能的墙内导线探测设备

引用

作者：朱振利 210000 江苏省南京市雨花台雨花经济开发区大江路2号2幢C304室

本发明公开了一种具有无线通讯功能的墙内导线探测设备，包括探测仪外壳、伸缩杆和开始处理，所述探测仪外壳的外部设置有防摔保护圈，且探测仪外壳的顶端中间位置处设置有外置探测器，所述外置探测器的下方设置有LED环；在原有墙内导... 详细信息

标准号: CN107505656A

本发明公开了一种具有无线通讯功能的墙内导线探测设备，包括探测仪外壳、伸缩杆和开始处理，所述探测仪外壳的外部设置有防摔保护圈，且探测仪外壳的顶端中间位置处设置有外置探测器，所述外置探测器的下方设置有LED环；在原有墙内导线探测仪顶部设置一个外置的探测器，探测器为栅型结构，可以提高探测器的灵敏度，探测器的下方与伸缩杆连接，在遇到狭小区域，可以使用伸缩杆伸缩，进行检测，并且在探测仪内部设置单片机通讯模块，通过内置的天线与外部设备连接，可以把实时探测的数据输入到电脑或者其他设备中，对整个房屋内的电线布局进行分析，重新选择合适的布局线路，节省工作时间，提高工作效率。

关键词：探测仪探测器伸缩杆外置探测器墙内导线外部设备顶端中间位置无线通讯功能单片机通讯布局线路电线布局顶部设置工作效率内部设置实时探测探测设备外部设置狭小区域栅型结构重新选择灵敏度保护圈伸缩防摔内置外置天线房屋检测电脑分析

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基于模态局部化效应的微弱磁场测量装置及方法

基于模态局部化效应的微弱磁场测量装置及方法

引用

作者：常洪龙李文牧严子木叶芳 710072 陕西省西安市友谊西路127号

本发明公开了一种高灵敏度磁场测量方法及装置，属于电子测量仪器领域。包括磁场测量芯片及测试信号的处理方法。芯片包括不少于两个的弱耦合谐振器、驱动电极、检测电极和外侧的栅型结构。通过驱动电极在弱耦合谐振器中施加交变电流，... 详细信息

标准号: CN110542869A

本发明公开了一种高灵敏度磁场测量方法及装置，属于电子测量仪器领域。包括磁场测量芯片及测试信号的处理方法。芯片包括不少于两个的弱耦合谐振器、驱动电极、检测电极和外侧的栅型结构。通过驱动电极在弱耦合谐振器中施加交变电流，芯片置入垂直磁场时，谐振器受到变化的洛伦兹力产生简谐振动；外界磁场变化时，谐振器的振动状态随之变化。同时，在栅型结构上施加直流电流，其受到水平方向洛伦兹力，改变其与弱耦合谐振器之间的静电负刚度，使得弱耦合谐振器系统的能量分布出现剧烈失衡。输出谐振器两侧设计两组检测电极，实现单谐振器振幅差分检测，消除馈通电容干扰，通过测量谐振器振幅差可以实现微弱磁场强度的高灵敏度测量；本发明可实现微弱磁场的实时测量并具有较强的抗干扰能力，具有较高的使用意义。

关键词：谐振器弱耦合高灵敏度检测电极洛伦兹力驱动电极微弱磁场栅型结构振幅差施加芯片磁场测量芯片电子测量仪器抗干扰能力输出谐振器谐振器系统测量谐振测试信号垂直磁场磁场测量单谐振器简谐振动交变电流能量分布实时测量外界磁场振动状态直流电流静电分检测两组置入通电测量失衡

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一种产生均匀曲面温度场的电热装置

一种产生均匀曲面温度场的电热装置

引用

作者：郭风祥盖志刚于丰睿李艳丰徐婷婷冯海翔杜昊王宜豹刘寿生张学宇 266200 山东省青岛市鳌山卫街道青岛蓝色硅谷核心区蓝色硅谷创业中心一期2号楼

本发明涉及一种产生均匀曲面温度场的电热装置，包括金属镂空壳层电极、电流接线柱、曲面基台、旋转支撑机构，所述金属镂空壳层电极包括偶数跟首尾相连的栅型结构和两个相邻的电流栅板，所述电流栅板由电流接线柱接入外电路，所述曲面... 详细信息

标准号: CN112423411B

本发明涉及一种产生均匀曲面温度场的电热装置，包括金属镂空壳层电极、电流接线柱、曲面基台、旋转支撑机构，所述金属镂空壳层电极包括偶数跟首尾相连的栅型结构和两个相邻的电流栅板，所述电流栅板由电流接线柱接入外电路，所述曲面基台布置在金属镂空壳层电极下方，所述曲面基台内表面设有水冷通道并与带动其转动的旋转支撑机构相连。其优点在于，镂空壳层电极与曲面基台均采用一体化设计，机械加工难度小，加工精度高，批量加工的一致性优异。

关键词：曲面基台镂空电极壳层旋转支撑机构电流接线柱金属栅板机械加工难度一体化设计电热装置均匀曲面批量加工首尾相连水冷通道栅型结构内表面外电路温度场转动加工

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