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栅极半导体器件的替换
栅极半导体器件的替换
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作者： 李达元 许光源 中国台湾新竹
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底。介电层形成在该衬底上。蚀刻停止层形成在第一开口中的介电层上。然后，将功函层形成在蚀刻停止层上并且将填充金属设置在该功函层上以填充第一开口。... 详细信息
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栅极半导体器件的替换
栅极半导体器件的替换
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作者： 李达元 许光源 中国台湾新竹
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底。介电层形成在该衬底上。蚀刻停止层形成在第一开口中的介电层上。然后，将功函层形成在蚀刻停止层上并且将填充金属设置在该功函层上以填充第一开口。... 详细信息
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制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法
制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法
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作者： 钟政庭 蔡庆威 程冠伦 中国台湾新竹
多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏... 详细信息
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高击穿电压的双栅极半导体器件
高击穿电压的双栅极半导体器件
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作者： D·A·马斯利阿 A·G·布拉卡尔 F·C·休恩 P·J·巴劳尔 美国特拉华州
一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击... 详细信息
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高击穿电压的双栅极半导体器件
高击穿电压的双栅极半导体器件
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作者： D·A·马斯利阿 A·G·布拉卡尔 F·C·休恩 P·J·巴劳尔 美国特拉华州
一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击... 详细信息
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多栅极半导体器件及半导体器件的形成方法
多栅极半导体器件及半导体器件的形成方法
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作者： 赖柏宇 林俊池 陈彦廷 李威养 林家彬 吕惟皓 舒丽丽 中国台湾新竹
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹槽。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括：在S/D凹槽中沉积绝缘介... 详细信息
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制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法
制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法
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作者： 钟政庭 蔡庆威 程冠伦 中国台湾新竹
多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏... 详细信息
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高击穿电压的双栅极半导体器件
高击穿电压的双栅极半导体器件
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作者： D·A·马斯利阿 A·G·布拉卡尔 F·C·休恩 P·J·巴劳尔 美国特拉华州
一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击... 详细信息
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平面双栅极半导体器件
平面双栅极半导体器件
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作者： J·罗 Y·波诺马雷夫 比利时勒芬
提供了一种制造双栅极半导体器件的方法，其中在硅本体(16)的第一表面(14)的一部分上形成第一栅极(12)之后，但是在与第一表面相反的硅本体的第二表面(44)上形成第二栅极(52)之前，执行源极和漏极接触区(34、36)的硅化。第一栅极(12)用... 详细信息
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具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件
具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件
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作者： R·皮拉里塞泰 W·拉赫马迪 V·H·勒 S·H·宋 J·S·卡治安 J·T·卡瓦列罗斯 H·W·田 G·杜威 M·拉多萨夫列维奇 B·舒金 N·慕克吉 美国加利福尼亚
描述了具有锗或III-V族有源层的深环栅极半导体器件。例如，非平面半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。所述异质结构包括位于具有不同组分的上部层与下部层之间的异质结。有源层设置在所述异质结构上方并且具有不同于所述异质结... 详细信息
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