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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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文献类型

250 篇 专利

馆藏范围

250 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

70 篇 中国科学院微电子...
39 篇 中芯国际集成电路...
32 篇 长江存储科技有限...
28 篇 三星电子株式会社
23 篇 台湾积体电路制造...
9 篇 上海华力微电子有...
8 篇 旺宏电子股份有限...
6 篇 华邦电子股份有限...
4 篇 力晶科技股份有限...
4 篇 联华电子股份有限...
3 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 中芯集成电路制造...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 北京元芯碳基集成...
2 篇 福建省晋华集成电...
2 篇 瑞昱半导体股份有...
2 篇 株式会社斯库林集...
2 篇 新唐科技股份有限...
2 篇 上海集成电路装备...
2 篇 长鑫存储技术有限...

作者

34 篇 殷华湘
27 篇 赵超
27 篇 朱慧珑
19 篇 秦长亮
17 篇 罗军
16 篇 赵猛
16 篇 马小龙
14 篇 钟汇才
13 篇 陈大鹏
10 篇 李俊峰
9 篇 张哲诚
9 篇 尹海洲
9 篇 林志翰
8 篇 仇圣棻
7 篇 曾鸿辉
7 篇 王桂磊
6 篇 邓坚
6 篇 徐秋霞
5 篇 许哲睿
5 篇 张珂珂

语言

250 篇 中文

检索条件"主题词=栅极堆叠结构"

共 250 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

引用

作者：黄豪俊 201821 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室

本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域... 详细信息

标准号: CN114361017B

本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域的部分功函数叠层；去除第一区域的抗反射层及阻挡层；在栅极沟槽内形成栅极导电层，以形成第一栅极堆叠结构及第二栅极堆叠结构。本发明中，通过在功函数叠层上形成阻挡层，利用阻挡层减少或避免在去除抗反射层时以及在去除阻挡层时损伤功函数叠层，并且同时不影响整个工艺过程的工艺窗口，从而解决在打开功函数叠层上的抗反射层时功函数叠层被损伤的问题，提高制造栅极叠层结构的良率。

关键词：叠层功函数阻挡层抗反射层栅极堆叠结构去除第二区域栅极沟槽损伤栅极导电层第一区域工艺窗口工艺过程栅极叠层衬底良率填充覆盖制造成功

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包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件

包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件

引用

作者：金光洙金是完金俊亨吴京泽崔凤贤韩国京畿道

提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述... 详细信息

标准号: CN110634872B

提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构。所述栅电极中的最下面的栅电极彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。

关键词：栅极堆叠结构栅电极基底三维半导体存储器垂直沟道结构贯穿穿过区域穿过垂直的顶表面堆叠

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栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

引用

作者：黄豪俊 201821 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室

标准号: CN114361017A

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栅极堆叠结构及其形成方法

栅极堆叠结构及其形成方法

引用

作者：黄铭淇庄英良叶明熙黄国彬中国台湾新竹

本发明的实施例提供了一种在处理期间清洁含镧衬底而不会形成不期望的镧化合物的方法。在一个实施例中，清洁方法包括：在用HF溶液清洁含镧衬底之前，用酸性溶液处理含镧衬底。该清洁方法允许使用掺杂镧的高k介电层以调节栅极堆叠件的... 详细信息

标准号: CN109216198B

本发明的实施例提供了一种在处理期间清洁含镧衬底而不会形成不期望的镧化合物的方法。在一个实施例中，清洁方法包括：在用HF溶液清洁含镧衬底之前，用酸性溶液处理含镧衬底。该清洁方法允许使用掺杂镧的高k介电层以调节栅极堆叠件的有效功函数，因此改进了器件性能。本发明实施例涉及栅极堆叠结构及其形成方法。

关键词：衬底清洁酸性溶液处理栅极堆叠结构有效功函数高k介电层处理期间器件性能允许使用栅极堆叠镧化合物掺杂期望改进

来源：评论

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栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法

栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法

引用

作者：周飞 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

本发明公开了一种栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的高K电介质层、在所述高K电介质层上的盖层；在所述盖层上沉积第一N... 详细信息

标准号: CN106601605B

本发明公开了一种栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的高K电介质层、在所述高K电介质层上的盖层；在所述盖层上沉积第一N型功函数金属层；在所述第一N型功函数金属层上沉积第二N型功函数金属层，所述第二N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比大于所述第一N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比；在所述第二N型功函数金属层上沉积金属电极层。本发明能够减轻或防止N型功函数金属层被氧化的程度，从而避免NMOS器件的功函数不稳定的问题。

关键词：金属层高K电介质层衬底结构原子比衬底盖层沉积半导体技术领域沉积金属电极栅极堆叠结构半导体装置功函数制造

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MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法

MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法

引用

作者：李勇 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

本发明公开了一种MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述栅极堆叠结构包括：位于衬底中的沟道区上方的高K电介质层；在所述高K电介质层上的P型功函数调节层，所述P型功函数调节层包括在垂直沟道的方向... 详细信息

标准号: CN107564969B

本发明公开了一种MOS变容器、栅极堆叠结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述栅极堆叠结构包括：位于衬底中的沟道区上方的高K电介质层；在所述高K电介质层上的P型功函数调节层，所述P型功函数调节层包括在垂直沟道的方向上彼此邻接的第一部分和第二部分，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；在所述P型功函数调节层上的N型功函数调节层；在所述N型功函数调节层之上的金属栅极。本发明能够提高MOS变容器的调谐范围。