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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

250 篇 专利

馆藏范围

250 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

70 篇 中国科学院微电子...
39 篇 中芯国际集成电路...
32 篇 长江存储科技有限...
28 篇 三星电子株式会社
23 篇 台湾积体电路制造...
9 篇 上海华力微电子有...
8 篇 旺宏电子股份有限...
6 篇 华邦电子股份有限...
4 篇 力晶科技股份有限...
4 篇 联华电子股份有限...
3 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 中芯集成电路制造...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 北京元芯碳基集成...
2 篇 福建省晋华集成电...
2 篇 瑞昱半导体股份有...
2 篇 株式会社斯库林集...
2 篇 新唐科技股份有限...
2 篇 上海集成电路装备...
2 篇 长鑫存储技术有限...

作者

34 篇 殷华湘
27 篇 赵超
27 篇 朱慧珑
19 篇 秦长亮
17 篇 罗军
16 篇 赵猛
16 篇 马小龙
14 篇 钟汇才
13 篇 陈大鹏
10 篇 李俊峰
9 篇 张哲诚
9 篇 尹海洲
9 篇 林志翰
8 篇 仇圣棻
7 篇 曾鸿辉
7 篇 王桂磊
6 篇 邓坚
6 篇 徐秋霞
5 篇 许哲睿
5 篇 张珂珂

语言

250 篇 中文

检索条件"主题词=栅极堆叠结构"

共 250 条记录，以下是21-30 订阅

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详细简洁

排序：

制备三维存储器的方法

制备三维存储器的方法

引用

作者：谢炜张坤王迪周文犀 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本申请涉及一种制备三维存储器的方法及三维存储器。所述方法包括：在晶圆的第一表面上形成栅极堆叠结构、以及覆盖栅极堆叠结构的绝缘材料层，其中，栅极堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极层，并且被划分成台阶区和核心区，栅极... 详细信息

标准号: CN113838858B

本申请涉及一种制备三维存储器的方法及三维存储器。所述方法包括：在晶圆的第一表面上形成栅极堆叠结构、以及覆盖栅极堆叠结构的绝缘材料层，其中，栅极堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极层，并且被划分成台阶区和核心区，栅极堆叠结构的核心区中贯穿有沟道结构；在绝缘材料层上形成第一应力补偿层；以及贯穿第一应力补偿层和绝缘材料层形成电连接到沟道结构或栅极层的多个连接柱。第一应力补偿层由具有高压缩应力的材料形成。通过在晶圆的正面形成具有高压缩应力的应力补偿层，可以有效防止晶背上的应力补偿层厚度过大，减小被剥离或脱落的风险，并且可以改善晶圆上的半导体器件的内应力。

关键词：应力补偿层栅极堆叠结构绝缘材料层晶圆三维存储器沟道结构高压缩核心区栅极层半导体器件层间绝缘层材料形成第一表面交替堆叠电连接连接柱台阶区贯穿减小制备剥离覆盖申请

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三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统

三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统

引用

作者：金承允朴炳在沈载煌安钟善李宁浩韩国京畿道

一种三维半导体器件包括：源极结构，包括单元区和延伸区；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，该栅极堆叠结构包括彼此交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；绝缘结构，设置在栅极堆叠结构上，该绝缘结构包括多个绝缘层；存储沟道结构，穿透... 详细信息

标准号: CN117641920A

一种三维半导体器件包括：源极结构，包括单元区和延伸区；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，该栅极堆叠结构包括彼此交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；绝缘结构，设置在栅极堆叠结构上，该绝缘结构包括多个绝缘层；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构，并电连接到单元区；分离结构，穿透栅极堆叠结构，并从单元区延伸到延伸区；以及穿透插塞，穿透栅极堆叠结构和延伸区，其中，穿透插塞包括：第一插塞部分，穿透栅极堆叠结构；以及第二插塞部分，在第一插塞部分上，其中，分离结构包括：第一分离部分，穿透栅极堆叠结构；以及第二分离部分，在第一分离部分上，并且其中，第一插塞部分的顶表面与第一分离部分的顶表面处于基本相同的高度处。

关键词：栅极堆叠结构穿透插塞单元区延伸区分离结构绝缘结构源极结构顶表面绝缘层三维半导体器件存储沟道导电图案绝缘图案电连接堆叠延伸

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图像传感器的制造方法

图像传感器的制造方法

引用

作者：詹曜宇张磊王奇伟 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成栅极堆叠结构的栅氧化物层之前增加一道热氧化工艺，以在半导体衬底上形成一无差别覆盖的第一氧化层，然后，再通过增加一道光刻工艺，在光电二极管区... 详细信息

标准号: CN114005846B

本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成栅极堆叠结构的栅氧化物层之前增加一道热氧化工艺，以在半导体衬底上形成一无差别覆盖的第一氧化层，然后，再通过增加一道光刻工艺，在光电二极管区对应的所述第一氧化层的表面上形成图案化的光刻胶层，并通过刻蚀工艺去除去除非光电二极管区的第一氧化层，从而达到增加光电二极管区对应的半导体衬底表面上沉积的氧化层厚度的目的，避免了后续的刻蚀工艺中对光电二极管区对应的半导体衬底的表面的损伤，从而避免了表面损伤造成的暗电流，同时又保证了像素器件区和逻辑器件区的功能正常，提升了图像传感器的性能。

关键词：光电二极管区氧化层图像传感器刻蚀工艺衬底半导体半导体衬底表面半导体技术领域栅极堆叠结构逻辑器件区热氧化工艺栅氧化物层表面损伤光刻工艺光刻胶层像素器件暗电流图案化沉积损伤覆盖应用制造保证

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三维半导体装置

三维半导体装置

引用

作者：郑恩宅李星勳韩国京畿道水原市

提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上并且包括在垂直于第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，... 详细信息

标准号: CN110098191B

提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上并且包括在垂直于第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，其中，所述多个栅电极包括下栅电极、设置在下栅电极上的多个中间栅电极以及设置在所述多个中间栅电极上的上栅电极；第一通过区，穿过第二基底并且设置在栅极堆叠结构下方；第二通过区，穿过第二基底和栅极堆叠结构；以及第一外围连接插塞，穿过第一通过区并且使下栅电极电连接到外围互连件的第一外围互连件。

关键词：基底栅电极栅极堆叠结构互连件外围三维半导体装置穿过下栅电极电连接连接插塞上栅电极外围电路上表面电极堆叠分隔垂直

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三维存储器及其制作方法

三维存储器及其制作方法

引用

作者：罗来青范石根刘思莹秦晓阳蔡薇鲍琨 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器包括栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括多层控制栅结构和多层隔离层，控制栅结构和隔离层沿远离衬底的方向交替层叠设置，栅极堆叠结构中具有贯穿至衬底的沟道结构和共源极，在远离... 详细信息

标准号: CN112768463B

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器包括栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括多层控制栅结构和多层隔离层，控制栅结构和隔离层沿远离衬底的方向交替层叠设置，栅极堆叠结构中具有贯穿至衬底的沟道结构和共源极，在远离衬底的方向上，多层控制栅结构包括最外侧的顶部选择栅，顶部选择栅的厚度为H₁，多层控制栅结构中其余各控制栅结构的厚度为H₂，H₁＞H₂；隔离层包括与顶部选择栅相邻的顶部隔离层，顶部隔离层位于顶部选择栅朝向衬底的一侧，顶部隔离层的厚度为H₃，多层隔离层中其余各隔离层的厚度为H₄，H₃＞H₄。上述三维存储器能够减少栅极堆叠结构中的堆叠层数，减少了工艺步骤数和工艺难度，达到节省成本的目的。

关键词：控制栅结构隔离层栅极堆叠结构选择栅衬底三维存储器多层多层隔离层隔离层沿工艺步骤工艺难度沟道结构交替层叠堆叠层共源极贯穿制作

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半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

引用

作者：黄盛珉李在薰曹升铉沈载株李东植韩国京畿道

提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：栅极堆叠结构，其包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；第一分离结构，其穿透所述栅极堆叠结构；第二分离结构，其穿透所述栅极堆叠结构并且与所述第一分离结... 详细信息

标准号: CN117750766A

提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：栅极堆叠结构，其包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；第一分离结构，其穿透所述栅极堆叠结构；第二分离结构，其穿透所述栅极堆叠结构并且与所述第一分离结构相邻；第一存储沟道结构和第二存储沟道结构，其穿透所述栅极堆叠结构并且设置在所述第一分离结构与所述第二分离结构之间；第一位线，其与所述第一存储沟道结构和所述第二存储沟道结构交叠并且电连接到所述第一存储沟道结构；以及第二位线，其与所述第一存储沟道结构、所述第二存储沟道结构以及所述第一位线交叠并且电连接到所述第二存储沟道结构。

关键词：存储沟道分离结构栅极堆叠结构半导体器件位线穿透电连接交叠导电图案电子系统绝缘图案堆叠

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：田志梁启超邵华陈昊瑜 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种利用浮栅极闪存存储单元中的浮栅极多晶硅作为电阻的半导体结构及其制备方法。具体的，在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在存储区中预留出电阻... 详细信息

标准号: CN112310092B

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种利用浮栅极闪存存储单元中的浮栅极多晶硅作为电阻的半导体结构及其制备方法。具体的，在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在存储区中预留出电阻区，在形成逻辑区中第一栅极堆叠结构时在电阻区中形成暴露出浮栅层或者栅间介质层的接触孔，最后通过接触孔中的导电插塞将电阻区中的浮栅层引出，从而形成利用电阻区的浮栅层形成高电阻，从而实现提高单位面积的电阻值。

关键词：电阻区半导体结构浮栅层制备接触孔电阻半导体技术领域闪存存储单元栅极堆叠结构栅极多晶硅栅间介质层导电插塞高电阻逻辑区预留暴露应用

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半导体结构及其制造方法

半导体结构及其制造方法

引用

作者：杨盛玮 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：位于衬底上的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构；所述第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构之间通过隔离结构隔开；所述第一栅极堆叠结构能够承受的最大电压与... 详细信息

标准号: CN112968056B

本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：位于衬底上的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构；所述第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构之间通过隔离结构隔开；所述第一栅极堆叠结构能够承受的最大电压与所述第二栅极堆叠结构能够承受的最大电压的差值大于预设值；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构一侧的第一漏区；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构和所述第一漏区之间的第一轻掺杂漏区；位于所述第一轻掺杂漏区上的第三栅极堆叠结构；所述第三栅极堆叠结构用于作为所述第一轻掺杂漏区的控制栅极。

关键词：栅极堆叠结构轻掺杂漏区衬底半导体结构最大电压漏区隔离结构控制栅极隔开预设制造

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三维存储器及其制作方法

三维存储器及其制作方法

引用

作者：高庭庭刘小欣薛磊夏志良伍术耿万波杜小龙孙昌志 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供具有堆叠体的第一衬底，堆叠体包括多层牺牲层和多层隔离层，堆叠体具有台阶结构，堆叠体中除台阶结构以外的区域中具有贯穿至第一衬底的沟道阵列，台阶结构中形... 详细信息

标准号: CN112820735B

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供具有堆叠体的第一衬底，堆叠体包括多层牺牲层和多层隔离层，堆叠体具有台阶结构，堆叠体中除台阶结构以外的区域中具有贯穿至第一衬底的沟道阵列，台阶结构中形成有贯通至第一衬底的伪沟道孔；在台阶结构中形成绝缘层，并在伪沟道孔中形成介电填充层，绝缘层位于介电填充层与牺牲层之间。在形成栅极堆叠结构和共源极以得到存储器阵列并将存储器阵列与CMOS电路键合后，利用供氢层生成的氢气对沟道结构中的半导体材料进行修复时，上述氢气会在上述介电填充层进行扩散并对其进行钝化，从而有效地避免了现有技术中由于氢气直接通过伪沟道孔扩散至外围电路而对其造成的影响。

关键词：台阶结构堆叠体介电填充层氢气衬底沟道绝缘层存储器阵列牺牲层半导体材料栅极堆叠结构多层隔离层三维存储器扩散沟道结构沟道阵列外围电路供氢层共源极有效地钝化多层键合制作贯通修复贯穿

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集成电路器件及制造这样的器件的方法

集成电路器件及制造这样的器件的方法

引用

作者：河大元洪炳鹤韩国京畿道

本发明提供一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括：在有源区中的彼此间隔开的多个沟道区；多个源/漏区；在有源区上的绝缘结构，该绝缘结构限定多个栅极空间；在栅极空间中的第一个中的第一栅极堆叠结构，该... 详细信息

标准号: CN107689373B

本发明提供一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括：在有源区中的彼此间隔开的多个沟道区；多个源/漏区；在有源区上的绝缘结构，该绝缘结构限定多个栅极空间；在栅极空间中的第一个中的第一栅极堆叠结构，该第一栅极堆叠结构包括第一含金属的功函数层；以及隔离堆叠结构，在与栅极空间中的与栅极空间中的第一个相邻的第二个中，该隔离堆叠结构具有与第一栅极堆叠结构不同的堆叠结构，并被配置为电隔离有源区的一部分。

关键词：栅极空间集成电路器件栅极堆叠结构堆叠结构源区绝缘结构隔离功函数层源/漏区电隔离沟道区金属配置制造

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