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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

250 篇 专利

馆藏范围

250 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

70 篇 中国科学院微电子...
39 篇 中芯国际集成电路...
32 篇 长江存储科技有限...
28 篇 三星电子株式会社
23 篇 台湾积体电路制造...
9 篇 上海华力微电子有...
8 篇 旺宏电子股份有限...
6 篇 华邦电子股份有限...
4 篇 力晶科技股份有限...
4 篇 联华电子股份有限...
3 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 中芯集成电路制造...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 北京元芯碳基集成...
2 篇 福建省晋华集成电...
2 篇 瑞昱半导体股份有...
2 篇 株式会社斯库林集...
2 篇 新唐科技股份有限...
2 篇 上海集成电路装备...
2 篇 长鑫存储技术有限...

作者

34 篇 殷华湘
27 篇 赵超
27 篇 朱慧珑
19 篇 秦长亮
17 篇 罗军
16 篇 赵猛
16 篇 马小龙
14 篇 钟汇才
13 篇 陈大鹏
10 篇 李俊峰
9 篇 张哲诚
9 篇 尹海洲
9 篇 林志翰
8 篇 仇圣棻
7 篇 曾鸿辉
7 篇 王桂磊
6 篇 邓坚
6 篇 徐秋霞
5 篇 许哲睿
5 篇 张珂珂

语言

250 篇 中文

检索条件"主题词=栅极堆叠结构"

共 250 条记录，以下是31-40 订阅

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详细简洁

排序：

用于环绕式栅极FET架构的临界电压调制

用于环绕式栅极FET架构的临界电压调制

引用

作者：史蒂文·C·H·洪本杰明·科伦坡金明宣斯里尼瓦·甘迪科塔杨逸雄杰奎琳·S·阮奇杨勇美国加利福尼亚州

一种形成栅极堆叠结构的方法包括在形成在基板上的半导体结构上的高κ栅极介电层上形成偶极金属层，退火偶极金属层，和移除偶极金属层。偶极金属层包括在高κ栅极介电层中的掺杂剂。

标准号: CN116670813A

关键词：金属层偶极栅极介电层退火栅极堆叠结构半导体结构掺杂剂基板移除

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半导体元件、存储器元件及其制造方法

半导体元件、存储器元件及其制造方法

引用

作者：曾碧山中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明提供一种存储器元件，可以应用于三维AND快闪存储器元件。存储器元件包括：栅极堆叠结构、掺杂的通道堆叠结构、源极柱与漏极柱以及多个介电结构。栅极堆叠结构位于衬底上。所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个... 详细信息

标准号: CN117082869A

本发明提供一种存储器元件，可以应用于三维AND快闪存储器元件。存储器元件包括：栅极堆叠结构、掺杂的通道堆叠结构、源极柱与漏极柱以及多个介电结构。栅极堆叠结构位于衬底上。所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。掺杂的通道堆叠结构延伸穿过所述栅极堆叠结构，其中所述掺杂的通道堆叠结构包括彼此间隔开的多个掺杂的通道环。源极柱与漏极柱位于所述掺杂的通道堆叠结构内且分别与所述多个掺杂的通道环电性连接。多个介电结构位于所述多个栅极层与所述多个掺杂的通道环之间。

关键词：掺杂的栅极堆叠结构堆叠结构通道环存储器元件介电结构栅极层漏极源极绝缘层快闪存储器元件电性连接交替堆叠延伸穿过衬底三维应用

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存储器结构及其制造方法

存储器结构及其制造方法

引用

作者：许哲睿吕俊昇童盈辅廖振伟中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

本发明提供一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。在栅极堆叠结构的侧壁上形成间隙壁层。形成覆盖间隙壁层与栅极堆叠结构的保护材料层。在保护材料层上形成罩幕材料层。罩幕材料层在相邻两个栅极堆叠结构之间具有孔洞。位于栅极堆... 详细信息

标准号: CN113035713B

本发明提供一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。在栅极堆叠结构的侧壁上形成间隙壁层。形成覆盖间隙壁层与栅极堆叠结构的保护材料层。在保护材料层上形成罩幕材料层。罩幕材料层在相邻两个栅极堆叠结构之间具有孔洞。位于栅极堆叠结构正上方的保护材料层的顶部与罩幕材料层的顶部之间的第一距离大于孔洞的顶部与孔洞正上方的罩幕材料层的顶部之间的第二距离与孔洞的底部与孔洞正下方的罩幕材料层的底部之间的第三距离的总和。对罩幕材料层进行蚀刻制程，而形成彼此分离的多个第一罩幕层。上述存储器结构的制造方法可有效地降低离子对存储器操作所造成的不良影响。

关键词：材料层孔洞栅极堆叠结构保护材料层存储器结构间隙壁层存储器操作彼此分离蚀刻制程有效地罩幕层侧壁离子制造覆盖

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半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

半导体器件和包括该半导体器件的电子系统

引用

作者：禹明勋姜周宪朴玄睦禹钟昊卢寿星卢英智韩国京畿道

公开了一种半导体器件，包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；以及位线焊盘，在存储沟道结构上，其中，存储沟道结构包括可变电阻层、围绕可变电阻层的沟道层和围绕沟道层的... 详细信息

标准号: CN116648068A

公开了一种半导体器件，包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；以及位线焊盘，在存储沟道结构上，其中，存储沟道结构包括可变电阻层、围绕可变电阻层的沟道层和围绕沟道层的沟道绝缘层，并且位线焊盘的底表面接触可变电阻层的顶表面、沟道层的顶表面和沟道绝缘层的顶表面。

关键词：可变电阻层存储沟道顶表面沟道层栅极堆叠结构沟道绝缘层焊盘位线半导体器件导电图案绝缘图案延伸穿过堆叠

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半导体器件

半导体器件

引用

作者：李英硕李太熙韩国京畿道

提供了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括构造为在彼此垂直的第一方向和第二方向上延伸的顶表面；栅极堆叠结构，其设置在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并构造为在第二方向上延伸；第一区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第一... 详细信息

标准号: CN109671713B

提供了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括构造为在彼此垂直的第一方向和第二方向上延伸的顶表面；栅极堆叠结构，其设置在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并构造为在第二方向上延伸；第一区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第一区域中是恒定的；第二区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第二区域中是台阶状的，第二区域被构造为围绕第一区域的至少一部分；以及导电线，其在第二区域中设置于栅极堆叠结构之间并构造为在第二方向上以凹凸不平的形式延伸。

关键词：栅极堆叠结构第二区域第一区域顶表面衬底延伸半导体器件凹凸不平垂直的导电线恒定的台阶状

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三维AND快闪存储器元件

三维AND快闪存储器元件

引用

作者：李承宥叶腾豪中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极堆叠结构与分隔墙。所述分隔墙沿着第一方向延伸，将所述栅极堆叠结构分成多个子区块。每一子区块包括：多个列。每一列包括：多个通道柱、多个电荷存储结构与多对导体柱。所述多对导... 详细信息

标准号: CN116454063A

本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极堆叠结构与分隔墙。所述分隔墙沿着第一方向延伸，将所述栅极堆叠结构分成多个子区块。每一子区块包括：多个列。每一列包括：多个通道柱、多个电荷存储结构与多对导体柱。所述多对导体柱设置于所述多个通道柱内并穿过所述栅极堆叠结构，且各自与所述多个通道柱连接。每一对导体柱包括沿着第二方向彼此分隔开的第一导体柱以及第二导体柱。所述第二方向与所述第一方向夹锐角。

关键词：导体柱栅极堆叠结构通道柱分隔墙快闪存储器元件电荷存储结构方向延伸子区块分隔区块锐角三维穿过

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三维AND快闪存储器元件及其制造方法

三维AND快闪存储器元件及其制造方法

引用

作者：李冠儒中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明公开了一种三维AND快闪存储器元件及其制造方法，该三维AND快闪存储器元件包括：栅极堆叠结构、通道堆叠结构、源极柱与漏极柱以及多个电荷存储结构。栅极堆叠结构位于介电基底上，其中所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅... 详细信息

标准号: CN116744688A

本发明公开了一种三维AND快闪存储器元件及其制造方法，该三维AND快闪存储器元件包括：栅极堆叠结构、通道堆叠结构、源极柱与漏极柱以及多个电荷存储结构。栅极堆叠结构位于介电基底上，其中所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。通道堆叠结构延伸穿过所述栅极堆叠结构，其中所述通道堆叠结构包括彼此间隔开的多个通道环。源极柱与漏极柱位于所述通道堆叠结构内且分别与所述多个通道环电性连接。多个电荷存储结构位于所述多个栅极层与所述多个通道环之间。

关键词：栅极堆叠结构堆叠结构通道环快闪存储器元件电荷存储结构栅极层漏极源极三维绝缘层电性连接交替堆叠延伸穿过基底介电制造

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半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法

半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法

引用

作者：李建泳金尚秀陈尚完韩国京畿道

本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入... 详细信息

标准号: CN116896896A

本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。

关键词：栅极堆叠结构垂直通道穿入半导体存储器隔离结构选择线虚设交替堆叠绝缘层层间绝缘层第二导电层第一导电层第一层制造

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存储器结构及其制造方法

存储器结构及其制造方法

引用

作者：张文岳中国台湾新竹科学工业园区

本发明公开一种存储器结构及其制造方法。在所述存储器结构中，第一介电层位于基底上；栅极堆叠结构位于第一介电层上；栅极堆叠结构包括字符线、抹除栅极与第二介电层；第二介电层位于字符线与抹除栅极之间；第三介电层位于栅极堆叠结... 详细信息

标准号: CN111524894B

本发明公开一种存储器结构及其制造方法。在所述存储器结构中，第一介电层位于基底上；栅极堆叠结构位于第一介电层上；栅极堆叠结构包括字符线、抹除栅极与第二介电层；第二介电层位于字符线与抹除栅极之间；第三介电层位于栅极堆叠结构的表面上；浮置栅极位于栅极堆叠结构之间，且各自位于对应的栅极堆叠结构的侧壁上；浮置栅极的顶面低于抹除栅极的顶面；第四介电层覆盖第一介电层、第三介电层与浮置栅极；控制栅极位于浮置栅极之间的第四介电层上；掺杂区位于栅极堆叠结构的两侧的基底中。

关键词：介电层栅极堆叠结构浮置栅极抹除存储器结构第三介电层字符线顶面基底控制栅极掺杂区侧壁覆盖制造

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半导体器件及其制备方法

半导体器件及其制备方法

引用

作者：孟令款张志勇彭练矛 100195 北京市海淀区杏石口路80号

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，该器件包括衬底、衬底上方的沟道层、栅极结构以及位于栅极结构两侧的源极和漏极，栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上方的栅极堆叠结构，在栅极结构区域外具有覆盖... 详细信息

标准号: CN116884995A

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，该器件包括衬底、衬底上方的沟道层、栅极结构以及位于栅极结构两侧的源极和漏极，栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上方的栅极堆叠结构，在栅极结构区域外具有覆盖沟道层的部分栅介质层，并且该区域的栅介质层厚度小于栅极下方的栅介质层的厚度，在源极和漏极区域不存在栅介质层；在源极和漏极中分别具有源极接触金属层和漏极接触金属层，以及位于源极接触金属层和漏极接触金属层上方的第一局部互连金属层和第二局部互连金属层。本申请提供的器件及方法，可以有效避免侧墙材料层侧壁表面沉积上不必要的金属，从而能够降低寄生电阻以及避免形成潜在的漏电通路问题。

关键词：栅介质层金属层栅极结构源极局部互连漏极接触源极接触沟道层衬底漏极半导体器件技术栅极堆叠结构半导体器件侧墙材料层侧壁表面寄生电阻漏电通路漏极区域潜在的沉积制备金属覆盖申请

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