检索结果-内蒙古大学图书馆

电子设计工程 2011年第22期19卷 115-117页

作者：关艳霞姜秀丽沈阳工业大学信息科学与工程学院辽宁沈阳110870

利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸,栅极宽度存在最优值,只要合理地选取,可以有效... 详细信息

利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸,栅极宽度存在最优值,只要合理地选取,可以有效地降低通态压降。

关键词： silvaco IGBT 栅极宽度通态压降仿真

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全包围栅晶体管的可变栅极宽度

全包围栅晶体管的可变栅极宽度

引用

作者： W·拉赫马迪 V·H·勒 R·皮拉里塞泰 J·T·卡瓦列罗斯 R·S·周 S·H·宋美国加利福尼亚

本文中描述了具有一个或多个有效纳米线和一个或多个无效纳米线的基于纳米线的全包围栅晶体管器件。还描述了制造这种器件的方法。本发明的一个或多个实施例涉及改变包括具有不同数量的纳米线的纳米线堆叠体的晶体管结构的栅极宽度的方... 详细信息

标准号: CN104054181A

本文中描述了具有一个或多个有效纳米线和一个或多个无效纳米线的基于纳米线的全包围栅晶体管器件。还描述了制造这种器件的方法。本发明的一个或多个实施例涉及改变包括具有不同数量的纳米线的纳米线堆叠体的晶体管结构的栅极宽度的方法。所述方法包括通过分离沟道区、掩埋源极和漏极区或二者来使一定数量的纳米线无效(即从而电流不流过纳米线)。总的来说，可以通过使一定数量的纳米线无效、而保持其它纳米线为有效来改变具有多个纳米线的基于纳米线的结构的栅极宽度。

关键词：纳米线栅极宽度晶体管结构晶体管器件分离沟道漏极区堆叠源极电流

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GaN HEMT微波段开关器件及开关电路研究

GaN HEMT微波段开关器件及开关电路研究

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作者：耿苗西安电子科技大学

学位级别：硕士

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体料，具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势，适用于毫米波数字相控阵雷达系统当中。T/R组件是雷达系统的核心部件，其性能的优劣直接影响雷达系统的发展。作为收... 详细信息

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体料，具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势，适用于毫米波数字相控阵雷达系统当中。T/R组件是雷达系统的核心部件，其性能的优劣直接影响雷达系统的发展。作为收发系统中的前端组件，开关电路的插入损耗、隔离度、开关时间以及功率容量等诸多指标对于整个收发系统的噪声系数以及输出功率等性能影响巨大。本文以AlGaN/GaN HEMT开关器件以及开关电路为核心，主要开展了以下工作：\n 首先，分析了AlGaN/GaN HEMT作为开关器件的主要工作原理，开关器件主要工作在线性区与截止区两个区域，分别对应了开关器件的开启状态与截止状态。同时，研究了不同器件结构参数对开关器件性能的影响。其中包括开关器件的源漏间距、栅极宽度、单管与双管串联结构、单栅与双栅结构、栅极附加偏置电阻阻值等因素对开关器件的插入损耗、隔离度、功率容量以及开关时间等性能的影响。\n 其次，基于中国科学院微电子研究所高频高压中心研究室的化合物半导体工艺线自主研发的0.25μm栅长的AlGaN/GaN HEMT开关器件。介绍了分别利用OPEN结构测试方法或者反向截止方法如何提取开关器件的寄生电容；利用SHORT测试结构方法或者反向截止方法结合无偏置方法提取开关器件的寄生电感与寄生电阻。基于开关器件自身结构特性，研究出了一种新的本征参数提取方法，通过该方法提取得到了开关器件的本征参数。在5GHz-40GHz频段内，AlGaN/GaN HEMT开关器件的小信号模型的拟合度非常好，误差因子均小于3.85%。\n 最后，设计了一款DC-6GHz的GaN基大功率单刀双掷开关电路。首先，介绍了开关电路的具体设计流程、指标要求、电路拓扑结构、开关器件选择，原理图仿真、版图和原理图仿真、版图的绘制等。对所制作的开关芯片进行了DC直流特性、小信号 S参数、连续波功率容量、开关时间等性能指标的在片测试。测试结果显示在DC-6GHz的工作频带内，开关电路的插入损耗的绝对值小于0.687dB，隔离度的绝对值大于40dB，1dB压缩功率为27.5dBm，开启时间为7.98ns，关断时间为8.93ns，面积只有1.85mm×1.0mm。

关键词：开关器件氮化镓开关电路源漏间距栅极宽度

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包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

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作者： D·A·玛斯利亚 A·G·布拉卡尔美国加利福尼亚州

提供了用于包括信号放大的各种应用的电子电路和方法。一种示例电子电路包括处于共源共栅配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上方和下方的顶部栅极和底部栅极。JFET的顶部栅极受依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控... 详细信息

标准号: CN104766887A

提供了用于包括信号放大的各种应用的电子电路和方法。一种示例电子电路包括处于共源共栅配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上方和下方的顶部栅极和底部栅极。JFET的顶部栅极受依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底部栅极的控制可以依赖于或者独立于顶部栅极的控制。MOSFET和JFET可以被实现为在相同的衬底上具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的分离的部件。

关键词：顶部底部栅极电子电路信号控制栅极宽度依赖衬底沟道放大

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一种提取有效栅极长度的方法

一种提取有效栅极长度的方法

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作者：韦敏侠张瑛 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，该方法包括：提供一参考MOS晶体管，所述参考MOS晶体管的参数包括总电容Cta、单位电容Cua、以及版图设计参数栅极长度La、栅极的数目Na，以及栅极宽度Wa；提供一待测MOS晶体管，所述... 详细信息

标准号: CN102386116B

本发明提供了一种提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，该方法包括：提供一参考MOS晶体管，所述参考MOS晶体管的参数包括总电容C_ta、单位电容C_ua、以及版图设计参数栅极长度L_a、栅极的数目N_a，以及栅极宽度W_a；提供一待测MOS晶体管，所述待测MOS晶体管的参数包括有效栅极长度L_b、总的MOS晶体管总电容C_tb、单位电容C_ub、以及版图设计参数栅极的数目N_b、栅极宽度W_b。通过测试参考MOS晶体管与待测MOS晶体管的总电容从而算得所述有效栅极长度L_b。由于电容的测试远比直接用样品物理方法测试简单，因此本实施例的方法有利于减少器件浪费，降低测试的成本，提高有效栅极长度的测试速度。

关键词：电容有效栅极长度版图设计栅极宽度测试速度栅极长度浪费

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包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

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作者： A·布拉卡勒 D·玛斯利亚美国加利福尼亚州

提供了用于包括信号放大的多种应用的电子电路和方法。示例电子电路包括处于级联配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上面和下面的顶和底栅极。JFET的顶栅极由依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底栅极的... 详细信息

标准号: CN102414984A

提供了用于包括信号放大的多种应用的电子电路和方法。示例电子电路包括处于级联配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上面和下面的顶和底栅极。JFET的顶栅极由依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底栅极的控制可以依赖于或者独立于顶栅极的控制。MOSFET和JFET可以作为具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的相同的衬底上的分离的元件来实施。

关键词：电子电路信号控制栅极宽度依赖衬底沟道级联放大

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一种提取有效栅极长度的方法

一种提取有效栅极长度的方法

引用

作者：韦敏侠张瑛 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN102386116A

关键词：电容有效栅极长度版图设计栅极宽度测试速度栅极长度浪费

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包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

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作者： A·布拉卡勒 D·玛斯利亚美国加利福尼亚州

标准号: CN102414984B

关键词：电子电路底栅极顶栅极双栅极控制级联配置信号控制栅极宽度衬底上依赖沟道布置相同应用

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一种半导体结构

一种半导体结构

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作者：尹海洲朱慧珑骆志炯 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本实用新型提供了一种半导体结构，该结构包括衬底（100）、半导体基体（250）、空腔（410）、栅极堆叠、侧墙（230）、源/漏区（500）和接触层（520），其中栅极堆叠位于半导体基体之上，侧墙位于栅极堆叠的侧壁上，源/漏区嵌于半导体... 详细信息

标准号: CN203466197U

本实用新型提供了一种半导体结构，该结构包括衬底（100）、半导体基体（250）、空腔（410）、栅极堆叠、侧墙（230）、源/漏区（500）和接触层（520），其中栅极堆叠位于半导体基体之上，侧墙位于栅极堆叠的侧壁上，源/漏区嵌于半导体基体中，并位于栅极堆叠的两侧，空腔嵌于衬底中，半导体基体悬置于空腔上方，在沿栅极长度的方向上，半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，半导体基体与衬底相连，接触层覆盖所述源/漏区暴露的表面。还提供了一种半导体结构的制造方法。利于减小源/漏区的接触电阻，提高器件性能，并降低成本，简化工艺。

关键词：半导体基体源/漏区堆叠衬底空腔半导体结构接触层简化工艺接触电阻器件性能栅极长度栅极宽度两侧侧壁大于

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半导体集成电路装置以及高频模块

半导体集成电路装置以及高频模块

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作者：中岛秋重日本京都府

本发明提供一种可实现提高高频信号的失真特性的半导体集成电路装置、以及具备该半导体集成电路装置的高频模块。例如，包括：分别与接收端子（RX1、RX2）相连接的接收开关用晶体管（Q_RX1、Q_RX2）、以及汇集（Q_RX1、Q_RX2）的一端并... 详细信息

标准号: CN103339858B

本发明提供一种可实现提高高频信号的失真特性的半导体集成电路装置、以及具备该半导体集成电路装置的高频模块。例如，包括：分别与接收端子（RX1、RX2）相连接的接收开关用晶体管（Q_RX1、Q_RX2）、以及汇集（Q_RX1、Q_RX2）的一端并与天线连接端子（PNant）相连接的接收开关用公共晶体管（Q_RXcom）。此时，（Q_RXcom）的栅极宽度被设定为（Q_RX1）的栅极宽度与（Q_RX2）的栅极宽度的总和。由此，在进行发送动作时，能通过（Q_RXcom）、（Q_RX1）、（Q_RX2）几乎均一地对（PNant）的电压（Vin）进行分压。

关键词：栅极宽度半导体集成电路装置接收开关相连接晶体管天线连接端子发送动作高频模块高频信号接收端子失真特性分压均一一种电压汇集进行

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