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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

132 篇 专利

馆藏范围

132 篇 电子文献
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日期分布

机构

82 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 上海华虹宏力半导...
8 篇 上海华力微电子有...
5 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 上海新储集成电路...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 合肥仙湖半导体科...
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 天津师范大学
2 篇 飞锃半导体有限公...
2 篇 联华电子股份有限...
2 篇 和舰芯片制造股份...
2 篇 长鑫存储技术有限...
2 篇 合肥新晶集成电路...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 湖北江城芯片中试...
1 篇 广东芯粤能半导体...

作者

9 篇 傅丰华
7 篇 赵猛
7 篇 沈忆华
7 篇 余云初
6 篇 张海洋
6 篇 洪中山
6 篇 张城龙
5 篇 王新鹏
5 篇 潘见
4 篇 于涛
4 篇 王艳生
4 篇 黄晓辉
4 篇 三重野文健
4 篇 王哲献
4 篇 杨芸
3 篇 张彬
3 篇 李冰寒
3 篇 张博
3 篇 鲍宇
2 篇 施平

语言

132 篇 中文

检索条件"主题词=栅极结构表面"

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详细简洁

排序：

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

引用

作者：周黎林李虎子 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅... 详细信息

标准号: CN113496949B

本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅化层。本发明的方法取消了SAB制程，防止了SAB制程过程中由于蚀刻速率不同而造成的凹槽，凹槽不存在所以后期金属层形成时不会有金属残留到凹槽中，进而克服了器件漏电的问题。

关键词：器件区域蚀刻金属硅化层侧墙制程表面形成金属栅极结构表面金属残留漏电现象漏电硅化层金属层

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一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

引用

作者：周黎林李虎子 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

标准号: CN113496949A

关键词：器件区域蚀刻金属硅化层侧墙制程表面形成金属栅极结构表面金属残留漏电现象漏电硅化层金属层

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栅极结构形成方法

栅极结构形成方法

引用

作者：任晓辉奚裴齐龙茵 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

一种栅极结构形成方法，包括：提供依次形成有栅介质层、多晶硅层、第一金属层、金属氮化物层、第二金属层、硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层表面依次形成底部抗反射层和光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极结构对应；以所述光刻胶图形为... 详细信息

标准号: CN102148146B

一种栅极结构形成方法，包括：提供依次形成有栅介质层、多晶硅层、第一金属层、金属氮化物层、第二金属层、硬掩膜层的衬底；在所述硬掩膜层表面依次形成底部抗反射层和光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极结构对应；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀底部抗反射层、硬掩膜层，直至暴露出第二金属层；以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，采用选用Cl₂、NF₃、O₂作为刻蚀气体，其中Cl₂与NF₃的体积比小于2，依次刻蚀第二金属层、金属氮化物层和第一金属层，直至暴露出多晶硅层。本发明形成的栅极结构表面无蚀坑和杂质残留。

关键词：掩膜金属层光刻胶图形刻蚀底部抗反射层金属氮化物栅极结构多晶硅栅极结构表面刻蚀气体介质层衬底小于

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双Finfet晶体管及其制备方法

双Finfet晶体管及其制备方法

引用

作者：亢勇陈邦明 201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号

本发明公开了一种双Finfet晶体管，包括：一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的绝缘层；贯穿所述绝缘层覆盖所述衬底晶圆上表面的一背栅偏置结构和一栅极结构，设置于所述背栅偏置结构表面及空隙处的第一氧化层，设置于所述栅极结构表... 详细信息

标准号: CN103794512A

本发明公开了一种双Finfet晶体管，包括：一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的绝缘层；贯穿所述绝缘层覆盖所述衬底晶圆上表面的一背栅偏置结构和一栅极结构，设置于所述背栅偏置结构表面及空隙处的第一氧化层，设置于所述栅极结构表面的第二氧化层；设置于所述绝缘层上方及所述第一氧化层、第二氧化层外表面的栅极。本发明还提供了该双Finfet晶体管的制备方法，采用本发明的技术方案，能够准确控制Fin沟道的宽度，改善沟道至衬底之间的漏电流，满足器件和电路的性能和功耗要求，且制造工艺简单，同时避免使用昂贵的SOI晶圆，降低了生产成本。

关键词：氧化层绝缘层衬底晶晶体管背栅沟道偏置栅极结构表面结构表面栅极结构制备方法准确控制空隙处漏电流上表面衬底功耗晶圆生产成本电路

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栅极结构形成方法

栅极结构形成方法

引用

作者：任晓辉奚裴齐龙茵 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN102148146A

关键词：掩膜金属层光刻胶图形刻蚀底部抗反射层金属氮化物栅极结构多晶硅栅极结构表面刻蚀气体介质层衬底小于

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：呼翔 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区上形成第一栅极结构；在第一区内形成第一源漏掺杂层；在第二区上形成第二栅极结构；在第二栅极结构上形成第一保护层；在第一源漏掺杂层上形成第一导电... 详细信息

标准号: CN113555437A

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区上形成第一栅极结构；在第一区内形成第一源漏掺杂层；在第二区上形成第二栅极结构；在第二栅极结构上形成第一保护层；在第一源漏掺杂层上形成第一导电结构，且第一导电结构还位于第一栅极结构表面，第一导电结构的顶部表面低于第一保护层的顶部表面；在第一导电结构上形成隔离层。利用隔离层有效的减小了第一导电结构与其他的器件结构之间的短接，提升半导体结构的性能。第一导电结构的顶部低于第一保护层顶部，使得第一导电结构较后续形成的栅极插塞或源漏插塞之间形成一定的高度差，以此减小第一导电结构与栅极插塞或源漏插塞之间产生的寄生电容。

关键词：导电结构插塞源漏第一保护层栅极结构半导体结构顶部表面掺杂层第一区隔离层衬底减小栅极结构表面寄生电容器件结构高度差短接

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硅通孔内形成绝缘层的方法

硅通孔内形成绝缘层的方法

引用

作者：周军 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明公开了一种硅通孔内形成绝缘层的方法，该方法包括如下步骤：提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底，所述器件区域上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有场隔离区，其中，所... 详细信息

标准号: CN102130044A

本发明公开了一种硅通孔内形成绝缘层的方法，该方法包括如下步骤：提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底，所述器件区域上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有场隔离区，其中，所述源极和漏极已经完成离子注入工艺；在所述硅衬底和栅极结构表面覆盖阻挡层；在所述非器件区域或器件区域上依次光刻刻蚀所述阻挡层和硅衬底以形成硅通孔；采用热氧化扩散的方法在硅通孔内壁形成绝缘层，同时，完成对所述源极和漏极注入离子的扩散工艺。本发明提供的硅通孔内形成绝缘层的方法，既能完成在硅通孔内壁形成绝缘层的工艺，又大大减小了由于热氧化扩散工艺中的温度参数对整个器件的影响。

关键词：器件区域绝缘层通孔硅衬底漏极源极扩散工艺栅极结构热氧化阻挡层内壁离子注入工艺栅极结构表面两侧光刻刻蚀温度参数隔离区有源离子扩散

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：马小艳蒙飞 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

一种半导体结构的形成方法，包括：形成位于第一区上的第一栅极结构以及位于第一区内的第一源漏区；在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第一应力层；对第一应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行快速热退火处理... 详细信息

标准号: CN117832174A

一种半导体结构的形成方法，包括：形成位于第一区上的第一栅极结构以及位于第一区内的第一源漏区；在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第一应力层；对第一应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行快速热退火处理；在快速热退火处理之后，去除第一应力层；在去除第一应力层之后，进行至少一次应力叠加工艺，各次应力叠加工艺包括：在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第二应力层；对第二应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行第一激光尖峰退火处理；在第一激光尖峰退火处理之后，去除第二应力层，应力叠加工艺可使沟道获得两次甚至更多次应力，应力的增加进一步提高器件性能。

关键词：应力层源漏区叠加工艺栅极结构第一区去除栅极结构表面快速热退火尖峰退火衬底激光半导体结构器件性能沟道

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一种半导体结构的制备方法

一种半导体结构的制备方法

引用

作者：张羿许良勇王卫星程威 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底：形成位于衬底上的栅极结构；形成覆盖栅极结构表面及衬底表面的侧墙材料层。形成遮盖材料层，遮盖材料层覆盖侧墙材料层的表面，至少去除位于栅极结构两侧的部分... 详细信息

标准号: CN117613007A

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底：形成位于衬底上的栅极结构；形成覆盖栅极结构表面及衬底表面的侧墙材料层。形成遮盖材料层，遮盖材料层覆盖侧墙材料层的表面，至少去除位于栅极结构两侧的部分遮盖材料层和部分侧墙材料层以暴露出第一待处理区和第二待处理区，剩余的遮盖材料层及侧墙材料层分别构成遮盖层及侧墙层。采用外延生长工艺形成位于第一待处理区的第一源/漏区及位于第二待处理区的第二源/漏区。

关键词：侧墙材料层遮盖材料处理区栅极结构源/漏区衬底制备外延生长工艺栅极结构表面半导体结构衬底表面侧墙层遮盖层覆盖去除暴露

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一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

引用

作者：黄明乐鲁怀贤 230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；覆盖所述栅极结构和第一缓冲层表面的第二缓冲层，其中... 详细信息

标准号: CN117790559A

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；覆盖所述栅极结构和第一缓冲层表面的第二缓冲层，其中，所述第二缓冲层表面平坦且所述栅极结构表面具有一定厚度的第二缓冲层；位于所述第二缓冲层表面的势垒层；位于所述势垒层表面的沟道层；位于所述沟道层内且位于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构。本发明的GaN HEMT器件先形成栅极结构，再形成势垒层和沟道层，形成势垒层后直接形成沟道层，不会被刻蚀工艺破坏势垒层晶格，沟道区的二维电子气浓度不受影响，GaN HEMT器件的性能稳定性更好。

关键词：缓冲层表面栅极结构沟道层势垒层缓冲层半导体器件技术栅极结构表面二维电子气势垒层表面性能稳定性衬底表面刻蚀工艺漏极结构源极结构直接形成沟道区衬底晶格制备平坦覆盖

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