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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

132 篇 专利

馆藏范围

132 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

82 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 上海华虹宏力半导...
8 篇 上海华力微电子有...
5 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 上海新储集成电路...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 合肥仙湖半导体科...
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 天津师范大学
2 篇 飞锃半导体有限公...
2 篇 联华电子股份有限...
2 篇 和舰芯片制造股份...
2 篇 长鑫存储技术有限...
2 篇 合肥新晶集成电路...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 湖北江城芯片中试...
1 篇 广东芯粤能半导体...

作者

9 篇 傅丰华
7 篇 赵猛
7 篇 沈忆华
7 篇 余云初
6 篇 张海洋
6 篇 洪中山
6 篇 张城龙
5 篇 王新鹏
5 篇 潘见
4 篇 于涛
4 篇 王艳生
4 篇 黄晓辉
4 篇 三重野文健
4 篇 王哲献
4 篇 杨芸
3 篇 张彬
3 篇 李冰寒
3 篇 张博
3 篇 鲍宇
2 篇 施平

语言

132 篇 中文

检索条件"主题词=栅极结构表面"

共 132 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

引用

作者：周黎林李虎子 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅... 详细信息

标准号: CN113496949B

本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅化层。本发明的方法取消了SAB制程，防止了SAB制程过程中由于蚀刻速率不同而造成的凹槽，凹槽不存在所以后期金属层形成时不会有金属残留到凹槽中，进而克服了器件漏电的问题。

关键词：器件区域蚀刻金属硅化层侧墙制程表面形成金属栅极结构表面金属残留漏电现象漏电硅化层金属层

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一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法

引用

作者：周黎林李虎子 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

标准号: CN113496949A

关键词：器件区域蚀刻金属硅化层侧墙制程表面形成金属栅极结构表面金属残留漏电现象漏电硅化层金属层

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一种半导体结构的制备方法

一种半导体结构的制备方法

引用

作者：张羿许良勇王卫星程威 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底：形成位于衬底上的栅极结构；形成覆盖栅极结构表面及衬底表面的侧墙材料层。形成遮盖材料层，遮盖材料层覆盖侧墙材料层的表面，至少去除位于栅极结构两侧的部分... 详细信息

标准号: CN117613007A

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底：形成位于衬底上的栅极结构；形成覆盖栅极结构表面及衬底表面的侧墙材料层。形成遮盖材料层，遮盖材料层覆盖侧墙材料层的表面，至少去除位于栅极结构两侧的部分遮盖材料层和部分侧墙材料层以暴露出第一待处理区和第二待处理区，剩余的遮盖材料层及侧墙材料层分别构成遮盖层及侧墙层。采用外延生长工艺形成位于第一待处理区的第一源/漏区及位于第二待处理区的第二源/漏区。

关键词：侧墙材料层遮盖材料处理区栅极结构源/漏区衬底制备外延生长工艺栅极结构表面半导体结构衬底表面侧墙层遮盖层覆盖去除暴露

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：马小艳蒙飞 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

一种半导体结构的形成方法，包括：形成位于第一区上的第一栅极结构以及位于第一区内的第一源漏区；在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第一应力层；对第一应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行快速热退火处理... 详细信息

标准号: CN117832174A

一种半导体结构的形成方法，包括：形成位于第一区上的第一栅极结构以及位于第一区内的第一源漏区；在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第一应力层；对第一应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行快速热退火处理；在快速热退火处理之后，去除第一应力层；在去除第一应力层之后，进行至少一次应力叠加工艺，各次应力叠加工艺包括：在第一区表面、第一源漏区表面和第一栅极结构表面形成第二应力层；对第二应力层、第一栅极结构、第一源漏区和衬底进行第一激光尖峰退火处理；在第一激光尖峰退火处理之后，去除第二应力层，应力叠加工艺可使沟道获得两次甚至更多次应力，应力的增加进一步提高器件性能。

关键词：应力层源漏区叠加工艺栅极结构第一区去除栅极结构表面快速热退火尖峰退火衬底激光半导体结构器件性能沟道

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一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

引用

作者：黄明乐鲁怀贤 230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；覆盖所述栅极结构和第一缓冲层表面的第二缓冲层，其中... 详细信息

标准号: CN117790559A

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；覆盖所述栅极结构和第一缓冲层表面的第二缓冲层，其中，所述第二缓冲层表面平坦且所述栅极结构表面具有一定厚度的第二缓冲层；位于所述第二缓冲层表面的势垒层；位于所述势垒层表面的沟道层；位于所述沟道层内且位于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构。本发明的GaN HEMT器件先形成栅极结构，再形成势垒层和沟道层，形成势垒层后直接形成沟道层，不会被刻蚀工艺破坏势垒层晶格，沟道区的二维电子气浓度不受影响，GaN HEMT器件的性能稳定性更好。

关键词：缓冲层表面栅极结构沟道层势垒层缓冲层半导体器件技术栅极结构表面二维电子气势垒层表面性能稳定性衬底表面刻蚀工艺漏极结构源极结构直接形成沟道区衬底晶格制备平坦覆盖

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半导体结构及制备方法

半导体结构及制备方法

引用

作者：唐衍哲 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

该发明公开了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底，基底具有第一区域和第二区域；于基底上形成栅极结构，位于第一区域的相邻的栅极结构的间距小于位于第二区域的相邻的栅极结构的间距；于栅极结构表面形成第一绝... 详细信息

标准号: CN118039566A

该发明公开了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底，基底具有第一区域和第二区域；于基底上形成栅极结构，位于第一区域的相邻的栅极结构的间距小于位于第二区域的相邻的栅极结构的间距；于栅极结构表面形成第一绝缘层，在第一区域，栅极结构侧壁的第一绝缘层之间形成有第一凹槽，第一凹槽与第一区域的源漏区对应；形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第二区域的栅极结构侧壁的第一绝缘层表面，在第二区域，第二绝缘层之间形成有第二凹槽，第二凹槽与第二区域的源漏区对应，根据本发明实施例的半导体结构及其制备方法，能够提高第一连接插塞和第二插塞的对准效果，降低断裂和短路的风险。

关键词：绝缘层第二区域第一区域栅极结构基底制备栅极结构侧壁半导体结构源漏区栅极结构表面绝缘层表面连接插塞短路插塞断裂对准

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：李浩南张永杰周永昌黄晓辉董琪琪 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述... 详细信息

标准号: CN117393580A

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；层间介质层，位于所述栅极结构表面和侧壁；金属层，覆盖所述第一区域的外延层和所述层间介质层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题。

关键词：半导体结构第一区域外延层层间介质层第二区域衬底半导体半导体衬底表面栅极结构表面场氧化物层碳化硅器件外延层表面阳极腐蚀栅极结构阱区表面电迁移金属层侧壁阱区申请覆盖

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一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

一种GaN HEMT器件结构及其制备方法

引用

作者：黄明乐鲁怀贤 230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；位于所述第一缓冲层和栅极结构表面的势垒层；位于所述... 详细信息

标准号: CN117613079A

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；位于所述第一缓冲层和栅极结构表面的势垒层；位于所述势垒层表面的沟道层；位于所述沟道层内且位于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构。本发明的GaN HEMT器件先形成栅极结构，再形成势垒层和沟道层，形成势垒层后直接形成沟道层，不会被刻蚀工艺破坏势垒层晶格，沟道区的二维电子气浓度不受影响，GaN HEMT器件的性能稳定性更好。

关键词：沟道层势垒层栅极结构缓冲层半导体器件技术栅极结构表面二维电子气缓冲层表面势垒层表面性能稳定性衬底表面刻蚀工艺漏极结构源极结构直接形成沟道区衬底晶格制备

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：沈磊姚怡雯高志杰方小婷牛苗苗 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构与第二栅极结构，第一栅极结构位于产品区，第二栅极结构位于切割道区，第二栅极结构沿第一方向延伸；第一接触结构，位于产品区，贯... 详细信息

标准号: CN117038674B

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构与第二栅极结构，第一栅极结构位于产品区，第二栅极结构位于切割道区，第二栅极结构沿第一方向延伸；第一接触结构，位于产品区，贯穿第一栅极结构的保护介质层且延伸至栅极层；第一介质层，位于基底上，且第一介质层的上表面与栅极结构表面位于同一平坦化表面；第二介质层，覆盖第一介质层、第一接触结构以及栅极结构；第二接触结构，位于产品区，位于第一接触结构顶部，且贯穿第二介质层；第三介质层，覆盖第二介质层以及第二接触结构，位于切割道区的第三介质层内设有沿第二方向延伸的第一沟槽，第一沟槽贯穿至第二介质层。

关键词：介质层栅极结构接触结构产品区半导体结构方向延伸切割道基底贯穿栅极结构表面平坦化表面上表面栅极层覆盖制备延伸

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一种LDMOS器件及其制造方法

一种LDMOS器件及其制造方法

引用

作者：张博 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号

本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，方法包括提供衬底；定义LDMOS漂移区，在衬底中进行离子注入形成P型阱区和N型阱区；在N型阱区形成STI区域；在衬底表面形成跨越N型阱区和P型阱区的栅极结构；在衬底表面以及栅极结构表面和侧面形... 详细信息

标准号: CN116564816A

本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，方法包括提供衬底；定义LDMOS漂移区，在衬底中进行离子注入形成P型阱区和N型阱区；在N型阱区形成STI区域；在衬底表面形成跨越N型阱区和P型阱区的栅极结构；在衬底表面以及栅极结构表面和侧面形成氧化层；采用光刻和刻蚀工艺刻蚀去除栅极结构表面的氧化层以形成接触开口；沉积P型掺杂多晶硅，刻蚀去除衬底上方除栅极结构及其侧面侧墙位置以外的P型掺杂多晶硅和氧化层。本发明利用DMG‑LDMOS类似的原理，将现有的LDMOS器件的栅极侧墙替换为采用P+掺杂多晶硅的侧墙，从而实现增加耐压进而提高LDMOS器件性能的目的。

关键词：氧化层衬底栅极结构表面衬底表面栅极结构侧墙刻蚀去除掺杂多晶硅接触开口刻蚀工艺栅极侧墙侧面漂移区光刻耐压沉积离子替换制造

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