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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

132 篇 专利

馆藏范围

132 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

82 篇 中芯国际集成电路...
12 篇 上海华虹宏力半导...
8 篇 上海华力微电子有...
5 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 华虹半导体有限公...
2 篇 上海新储集成电路...
2 篇 上海集成电路研发...
2 篇 合肥仙湖半导体科...
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 天津师范大学
2 篇 飞锃半导体有限公...
2 篇 联华电子股份有限...
2 篇 和舰芯片制造股份...
2 篇 长鑫存储技术有限...
2 篇 合肥新晶集成电路...
1 篇 上海积塔半导体有...
1 篇 湖北江城芯片中试...
1 篇 广东芯粤能半导体...

作者

9 篇 傅丰华
7 篇 赵猛
7 篇 沈忆华
7 篇 余云初
6 篇 张海洋
6 篇 洪中山
6 篇 张城龙
5 篇 王新鹏
5 篇 潘见
4 篇 于涛
4 篇 王艳生
4 篇 黄晓辉
4 篇 三重野文健
4 篇 王哲献
4 篇 杨芸
3 篇 张彬
3 篇 李冰寒
3 篇 张博
3 篇 鲍宇
2 篇 施平

语言

132 篇 中文

检索条件"主题词=栅极结构表面"

共 132 条记录，以下是31-40 订阅

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存储器及其形成方法

存储器及其形成方法

引用

作者：于涛 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

一种存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括：擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于擦除区两侧，所述基底上还具有第二鳍部，且在垂直于第一鳍部的延伸方向... 详细信息

标准号: CN110364531B

一种存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括：擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于擦除区两侧，所述基底上还具有第二鳍部，且在垂直于第一鳍部的延伸方向上，所述第二鳍部分别位于擦除区的两侧，所述擦除区和第二鳍部表面具有牺牲层；在所述基底上形成横跨所述浮栅区的浮栅极结构，且所述浮栅极结构表面低于牺牲层顶部表面；去除所述牺牲层，在所述浮栅极结构和第一侧墙内形成开口，所述开口底部暴露出擦除区表面和第二鳍部表面；在所述开口内形成擦除栅极结构，且所述擦除栅极结构表面齐平于第一侧墙顶部表面。所述方法形成的存储器的性能较好。

关键词：鳍部擦除浮栅区基底牺牲层开口擦除栅极顶部表面栅极结构存储器侧墙栅极结构表面结构表面区表面邻接齐平去除横跨垂直暴露延伸

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半导体器件及其制造方法

半导体器件及其制造方法

引用

作者：王虎何应春张继亮顾林陈翔 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

本发明公开了一种半导体器件，包括：覆盖在源漏区以及栅极结构表面的第一富硅氧化物层，在第一富硅氧化物层的表面形成有接触刻蚀停止层。层间膜形成于接触刻蚀停止层的表面并将栅极结构之间的间隔区域完全填充。层间膜采用HDP氧化膜... 详细信息

标准号: CN113224147A

本发明公开了一种半导体器件，包括：覆盖在源漏区以及栅极结构表面的第一富硅氧化物层，在第一富硅氧化物层的表面形成有接触刻蚀停止层。层间膜形成于接触刻蚀停止层的表面并将栅极结构之间的间隔区域完全填充。层间膜采用HDP氧化膜。第一富硅氧化物层由多层富硅氧化物子层叠加而成，各层富硅氧化物子层分开沉积使得各上下相邻的所述富硅氧化物子层之间存在界面层，通过调节界面层的层数来防止层间膜的形成工艺中的等离子体电荷穿过从而保护栅介质层。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明能防止层间膜的等离子体电荷扩散到栅介质层中，从而能提高栅介质层的击穿电压。

关键词：富硅氧化物层富硅氧化物栅介质层接触刻蚀停止层等离子体电荷半导体器件层间膜防止层界面层子层栅极结构表面表面形成击穿电压间隔区域栅极结构源漏区多层沉积填充穿过扩散覆盖制造

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一种NAND闪存器件及形成方法

一种NAND闪存器件及形成方法

引用

作者：陈亮仇圣棻 300000 天津市西青区经济开发区兴华道19号

本发明实施例提供了一种NAND闪存器件及形成方法。本发明实施例在第一栅极结构表面的隔离层上形成覆盖所述隔离层的阻挡层，以保护所述隔离层；刻蚀部分区域的隔离层以及第一栅极结构，以露出部分区域的第一栅极结构；形成至少覆盖露出... 详细信息

标准号: CN111341778A

本发明实施例提供了一种NAND闪存器件及形成方法。本发明实施例在第一栅极结构表面的隔离层上形成覆盖所述隔离层的阻挡层，以保护所述隔离层；刻蚀部分区域的隔离层以及第一栅极结构，以露出部分区域的第一栅极结构；形成至少覆盖露出部分的第一栅极结构的第二栅极结构。能够提高NAND闪存器件的性能。

关键词：栅极结构隔离层栅极结构表面阻挡层刻蚀覆盖

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：余云初沈忆华潘见傅丰华 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：在栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，形成位... 详细信息

标准号: CN106611712B

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：在栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，形成位于桥连区上方的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第零层导电层，同时形成填充满第二凹槽的桥连导电层，第零层导电层与源漏互连区内的源漏极电连接；刻蚀位于栅极互连区上方的介质层，在介质层内形成位于栅极互连区上方的第三凹槽，第三凹槽暴露出栅极互连区的栅极结构表面；形成填充满所述第三凹槽的第零层栅导电层，且相邻第零层栅导电层与所述桥连导电层侧壁相接触。本发明改善形成的半导体结构的电学性能。

关键词：互连区介质层桥连半导体结构导电层源漏栅导电层刻蚀栅极结构表面导电层侧壁侧壁表面电学性能顶部表面基底表面栅极结构电连接源漏极互连暴露

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鳍式场效应管的形成方法

鳍式场效应管的形成方法

引用

作者：李勇 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：形成覆盖第一栅极结构表面、第二栅极结构表面、鳍部表面以及隔离层表面的掩膜层；回刻蚀所述掩膜层，形成覆盖第一区域鳍部侧壁表面以及第二区域鳍部侧壁表面的掩膜侧墙；刻蚀去除位于第一栅极结构... 详细信息

标准号: CN107275211B

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：形成覆盖第一栅极结构表面、第二栅极结构表面、鳍部表面以及隔离层表面的掩膜层；回刻蚀所述掩膜层，形成覆盖第一区域鳍部侧壁表面以及第二区域鳍部侧壁表面的掩膜侧墙；刻蚀去除位于第一栅极结构两侧的第一区域的部分厚度鳍部，在所述第一区域形成第一凹槽，同时还刻蚀去除位于第二栅极结构两侧的第二区域的部分厚度鳍部，在所述第二区域形成第二凹槽；形成填充满第一凹槽以及第二凹槽的本征层；对所述第一凹槽的本征层进行第一掺杂处理，形成第一源漏区；对所述第二凹槽的本征层进行第二掺杂处理，形成第二源漏区。本发明简化了工艺步骤，且还提高沟道区载流子迁移率，从而提高形成的鳍式场效应管的性能。

关键词：鳍部第二区域第一区域本征层栅极结构表面侧壁表面栅极结构效应管掩膜层源漏区鳍式场刻蚀去除掺杂载流子迁移率隔离层表面工艺步骤沟道区回刻蚀侧墙覆盖掩膜

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石墨烯场效应晶体管及其制备方法

石墨烯场效应晶体管及其制备方法

引用

作者：王程贾原叶巍翔张博李扬赵晓楠 300380 天津市西青区宾水西道393号

本发明涉及一种石墨烯场效应晶体管，包括：基底；栅极结构，设置于所述基底上且所述栅极结构表面形成有多个微米或纳米级的凹槽；石墨烯沟道层，设置于所述栅极结构上，横跨多个所述凹槽，并与多个所述凹槽之间形成多个第一空腔；保护... 详细信息

标准号: CN111509047A

本发明涉及一种石墨烯场效应晶体管，包括：基底；栅极结构，设置于所述基底上且所述栅极结构表面形成有多个微米或纳米级的凹槽；石墨烯沟道层，设置于所述栅极结构上，横跨多个所述凹槽，并与多个所述凹槽之间形成多个第一空腔；保护层，呈倒U型覆盖所述石墨烯沟道层，且与所述石墨烯沟道层之间形成第二空腔；第一源极和第一漏极，设置于所述第二空腔内，分别位于与所述石墨烯沟道层的两端；第二源极和第二漏极，设置于所述第二空腔外；和电导层，设置于所述基底上，电连通所述第一源极和所述第二源极。本发明还涉及一种所述石墨烯场效应晶体管的制备方法。

关键词：石墨烯沟道层源极第二空腔基底石墨烯场效应晶体管栅极结构漏极栅极结构表面第一空腔保护层电导层电连通纳米级倒U型制备横跨覆盖

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：张城龙张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构、位于栅极结构侧壁表面的侧墙；在半导体衬底表面形成与栅极结构表面齐平的第一介质层；刻蚀栅极结构，使栅极结构的高度下降，形成位于栅极结... 详细信息

标准号: CN106158725B

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构、位于栅极结构侧壁表面的侧墙；在半导体衬底表面形成与栅极结构表面齐平的第一介质层；刻蚀栅极结构，使栅极结构的高度下降，形成位于栅极结构顶部的凹槽；形成填充满凹槽和覆盖第一介质层表面的掩膜材料层；刻蚀掩膜材料层至第一介质层表面，形成填充满凹槽的保护层以及覆盖相邻栅极结构之间的部分第一介质层的掩膜层，掩膜层的宽度大于相邻栅极结构之间第一介质层的宽度，且横跨相邻栅极结构之间的部分第一介质层；刻蚀位于相邻栅极结构之间、未被掩膜层覆盖的第一介质层至半导体衬底表面，形成接触孔。上述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

关键词：介质层相邻栅极结构栅极结构掩膜层半导体衬底表面半导体结构介质层表面衬底半导体覆盖刻蚀掩膜材料栅极结构表面栅极结构侧壁掩膜材料层刻蚀栅极保护层接触孔侧墙分立刻蚀齐平横跨

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存储器及其形成方法

存储器及其形成方法

引用

作者：于涛 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

标准号: CN110364531A

关键词：鳍部擦除浮栅区基底牺牲层开口擦除栅极顶部表面栅极结构存储器侧墙栅极结构表面结构表面区表面邻接齐平去除横跨垂直暴露延伸

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

引用

作者：何其暘 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有若干有源区，相邻有源区之间具有隔离结构，部分有源区的衬底表面具有栅极结构，栅极结构两侧分别具有源区和漏区；在有源区、隔离结构和栅极结构表面形成第一介质层；去除隔离结... 详细信息

标准号: CN105762114B

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有若干有源区，相邻有源区之间具有隔离结构，部分有源区的衬底表面具有栅极结构，栅极结构两侧分别具有源区和漏区；在有源区、隔离结构和栅极结构表面形成第一介质层；去除隔离结构上方的部分第一介质层，在第一介质层内形成初始通孔；在初始通孔的侧壁表面形成保护层；之后去除初始通孔底部的第一介质层，在第一介质层内形成第一通孔；在第一通孔内形成第二介质层；之后去除第一介质层，在栅极结构两侧分别形成第二通孔和源线沟槽；在第二通孔内形成漏极导电结构，在源线沟槽内形成源线导电结构。所形成的半导体结构的形貌良好、性能稳定。

关键词：介质层通孔源区隔离结构栅极结构源线去除半导体结构导电结构衬底栅极结构表面形貌相邻有源区侧壁表面衬底表面保护层漏极漏区

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半导体器件的形成方法

半导体器件的形成方法

引用

作者：李淑慧朱轶铮陆连 201315 上海市浦东新区良腾路6号

本发明提供一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件例如是CMOS器件。所述形成方法在半导体基底和其上的栅极结构表面形成了保形的第二硬掩模层，第二硬掩模层包括在半导体基底上依次叠加覆盖的氧化层、氮化层和保护层，然后通过三次... 详细信息

标准号: CN110620084A

本发明提供一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件例如是CMOS器件。所述形成方法在半导体基底和其上的栅极结构表面形成了保形的第二硬掩模层，第二硬掩模层包括在半导体基底上依次叠加覆盖的氧化层、氮化层和保护层，然后通过三次侧墙工艺分别刻蚀保护层、氮化层以及氧化层，以在栅极结构两侧分别形成第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙，露出栅极结构两侧的半导体基底表面，然后在栅极结构两侧的半导体基底中形成沟槽。上述过程中，利用保护层对下方的氮化层的保护作用，可以降低氮化层在侧墙工艺和形成沟槽的过程中的损耗，增强第二侧墙对栅极结构的保护效果，避免后续工艺中栅极顶角露出而产生损伤，有助于避免栅极锗化。

关键词：栅极结构氮化层侧墙半导体基底半导体器件硬掩模层保护层氧化层半导体基底表面栅极结构表面刻蚀保护层侧墙工艺后续工艺依次叠加保形次侧顶角锗化损伤覆盖

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