检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：张城龙张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构以及栅极结构侧壁表面的侧墙；在半导体衬底表面形成表面与栅极结构表面齐平的介质层；在所述介质层、栅极结构和侧墙上形成具有开口的掩膜层，... 详细信息

标准号: CN106033742B

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构以及栅极结构侧壁表面的侧墙；在半导体衬底表面形成表面与栅极结构表面齐平的介质层；在所述介质层、栅极结构和侧墙上形成具有开口的掩膜层，开口宽度大于相邻栅极结构之间的介质层宽度，且横跨栅极结构之间的介质层；沿开口刻蚀部分深度的介质层，形成第一凹槽，然后去除图形化掩膜层；刻蚀去除部分高度的栅极结构，形成位于栅极结构顶部的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第一保护层、填充满第二凹槽的第二保护层；刻蚀相邻栅极结构之间的位于第一保护层两侧的介质层至半导体衬底表面，形成接触孔。上述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

关键词：介质层栅极结构刻蚀半导体衬底表面相邻栅极结构半导体结构第一保护层开口衬底去除半导体图形化掩膜层栅极结构表面栅极结构侧壁第二保护层接触孔掩膜层侧墙分立齐平横跨

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存储器结构的形成方法

存储器结构的形成方法

作者：张金霜杨芸李绍彬洪中山 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种存储器结构的形成方法，包括：提供包括器件区和外围区的衬底；在衬底表面形成自器件区延伸至外围区表面的若干栅极结构，栅极结构横跨于若干有源区表面，栅极结构两侧分别具有源区沟槽和漏区沟槽；在衬底表面形成第一介质层；在器... 详细信息

标准号: CN106206445B

一种存储器结构的形成方法，包括：提供包括器件区和外围区的衬底；在衬底表面形成自器件区延伸至外围区表面的若干栅极结构，栅极结构横跨于若干有源区表面，栅极结构两侧分别具有源区沟槽和漏区沟槽；在衬底表面形成第一介质层；在器件区的源区沟槽内形成源区互连线；在源区互连线、第一介质层和栅极结构表面形成第二介质层；在第二介质层内形成若干第一通孔；在第一通孔的侧壁表面形成第三阻挡层；去除外围区的第一通孔底部的第一阻挡层和第一介质层，形成控制栅通孔和漏区通孔；在漏区通孔内形成漏区插塞，在控制栅通孔内形成控制栅插塞。所形成的存储器结构形貌良好、性能稳定、可靠性提高。

关键词：通孔介质层源区漏区栅极结构控制栅器件区外围区存储器结构衬底表面互连线阻挡层插塞栅极结构表面形貌侧壁表面衬底去除横跨延伸

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半导体结构的制备方法及半导体结构

半导体结构的制备方法及半导体结构

作者：刘张李孔蔚然 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；在所述衬底上形成侧墙结构；形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述栅极结构顶面、所述侧墙结构表面以及所述衬底表面；形成第一介电层... 详细信息

标准号: CN110071046A

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；在所述衬底上形成侧墙结构；形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述栅极结构顶面、所述侧墙结构表面以及所述衬底表面；形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述氮化硅层中位于所述衬底表面的部分；去除所述氮化硅层中位于所述侧墙结构表面和所述栅极结构顶面的部分；形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第一介电层表面、所述栅极结构表面和所述侧墙结构顶面；并形成空气隙，所述空气隙贯穿所述第一介电层，其介电常数较一般材质小，从而使栅极‑漏极之间以及栅极‑源极之间寄生电容极小，进一步的使品质因数降低，改善射频开关的特性。

关键词：介电层侧墙结构氮化硅层栅极结构衬底半导体结构衬底表面空气隙顶面覆盖栅极结构表面介电层表面寄生电容介电常数品质因数射频开关漏极去除源极制备贯穿

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作者：沈忆华余云初潘见傅丰华 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

一种半导体器件的形成方法，包括：在栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层表面形成第二掩膜层；在第二掩膜层表面形成第一图形层，相邻第一图形层之间的第一开口图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离... 详细信息

标准号: CN106611711B

一种半导体器件的形成方法，包括：在栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层表面形成第二掩膜层；在第二掩膜层表面形成第一图形层，相邻第一图形层之间的第一开口图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；以第一图形层为掩膜，刻蚀第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层表面；形成若干分立的第二图形层，第二图形层暴露出的区域与有源区一致；以第二图形层为掩膜，刻蚀暴露出的第一掩膜层直至暴露出层间介质层顶部表面；以刻蚀后第一掩膜层为掩膜，刻蚀层间介质层直至暴露出源漏区表面，在层间介质层内形成接触通孔；在接触通孔暴露出的源漏区表面形成金属硅化物层。本发明改善形成的半导体器件的电学性能。

关键词：掩膜层图形层源漏区暴露层间介质层表面形成刻蚀掩膜半导体器件接触通孔表面形成金属栅极结构表面电学性能顶部表面硅化物层开口图形隔离区介质层刻蚀层分立源区贯穿

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半导体结构的制备方法及半导体结构

半导体结构的制备方法及半导体结构

作者：刘张李莘海维 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构顶面的第一氮化硅层及氧化层的叠层结构；形成侧墙结构；形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述氧化层和所述... 详细信息

标准号: CN109950301A

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构顶面的第一氮化硅层及氧化层的叠层结构；形成侧墙结构；形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述氧化层和所述衬底表面；去除所述氧化层和部分厚度的所述第一介电层，以使所述第一介电层与所述第一氮化硅层的上表面齐平；去除所述第一氮化硅层和所述侧墙结构；以及形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第一介电层及所述栅极结构表面，并形成空气隙，所述空气隙贯穿所述第一介电层，其介电常数较一般材质小，从而使栅极‑漏极之间以及栅极‑源极之间寄生电容极小，进一步的使品质因数降低，改善射频开关的特性。

关键词：介电层氮化硅层氧化层半导体结构侧墙结构栅极结构空气隙衬底去除覆盖栅极结构表面上表面齐平衬底表面叠层结构寄生电容介电常数品质因数射频开关漏极源极制备贯穿

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作者：虞肖鹏丁士成 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有第一栅极结构和第二栅极结构，衬底表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀第一栅极结构两侧的衬底形成第一凹槽，且第一区域剩余的第一掩膜层形... 详细信息

标准号: CN105448679B

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有第一栅极结构和第二栅极结构，衬底表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀第一栅极结构两侧的衬底形成第一凹槽，且第一区域剩余的第一掩膜层形成第一偏移侧墙；在第一偏移侧墙下方的衬底内形成第一轻掺杂区；形成填充满第一凹槽的第一应力层；形成第二掩膜层；刻蚀第二栅极结构两侧的衬底形成第二凹槽，且第二区域剩余的第二掩膜层和第一掩膜层形成第二偏移侧墙；在第二偏移侧墙下方的衬底内形成第二轻掺杂区；形成填充满所述第二凹槽的第二应力层。本发明在提高半导体器件载流子迁移率的同时，有效的缓解热载流子效应问题，优化半导体器件的电学性能。

关键词：掩膜层衬底栅极结构半导体器件栅极结构表面衬底表面第一偏移偏移侧墙轻掺杂区应力层侧墙刻蚀热载流子效应载流子迁移率第二区域第一区域电学性能缓解优化

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作者：何志斌景旭斌 201203 上海浦东新区张江高科技园区高斯路497号

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除... 详细信息

标准号: CN105575815B

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层的一部分以暴露出所述栅电极层的肩部；形成覆盖所述半导体衬底表面、栅极结构表面和栅电极层肩部的侧墙材料层，所述侧墙材料层与所述肩部接触的部分至少部分地利用所述肩部的材料形成；以及采用干法刻蚀工艺去除位于所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶表面的侧墙材料层，位于所述栅极结构侧壁表面的侧墙材料层形成侧墙。本发明的半导体器件的形成方法可以有效改善栅极锗硅残余缺陷的形成。

关键词：栅电极层侧墙材料层肩部硬掩膜层栅极结构半导体衬底表面半导体器件栅介质层衬底去除半导体干法刻蚀工艺栅极结构表面栅极结构侧壁材料形成残余缺陷侧壁表面顶表面氧化层侧墙刻蚀锗硅暴露覆盖

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作者：沈忆华傅丰华余云初 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体器件的形成方法，包括：提供表面具有栅极结构的衬底，栅极结构两侧分别具有一个互连区，互连区的衬底内分别具有位于栅极结构两侧的源区和漏区，衬底和栅极结构表面具有第一介质层；在第一介质层内形成阻挡开口，阻挡开口的... 详细信息

标准号: CN104979199B

一种半导体器件的形成方法，包括：提供表面具有栅极结构的衬底，栅极结构两侧分别具有一个互连区，互连区的衬底内分别具有位于栅极结构两侧的源区和漏区，衬底和栅极结构表面具有第一介质层；在第一介质层内形成阻挡开口，阻挡开口的图形至少贯穿一个互连区；在阻挡开口内形成阻挡层；在第一介质层和阻挡层表面形成暴露出互连区的第一图形化层；以第一图形化层和阻挡层为掩膜刻蚀第一介质层，直至暴露出互连区的衬底表面为止，形成源漏沟槽；在第一介质层内形成暴露出栅极结构顶部的栅极通孔；在源漏沟槽内形成源漏导电结构，在栅极通孔内形成栅极插塞。所形成的半导体器件形貌良好，性能改善。

关键词：互连区介质层栅极结构衬底源漏半导体器件开口图形化层栅极通孔阻挡层阻挡暴露栅极结构表面形貌阻挡层表面衬底表面导电结构性能改善插塞刻蚀漏区掩膜源区贯穿

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晶体管及其形成方法

晶体管及其形成方法

作者：三重野文健 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有伪栅结构、位于伪栅结构侧壁表面的侧墙及介质层，介质层的表面与伪栅结构表面齐平；去除部分高度的伪栅结构，形成第一凹槽，第一凹槽具有第一... 详细信息

标准号: CN104681488B

一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有伪栅结构、位于伪栅结构侧壁表面的侧墙及介质层，介质层的表面与伪栅结构表面齐平；去除部分高度的伪栅结构，形成第一凹槽，第一凹槽具有第一深度；刻蚀第一凹槽两侧的侧墙，使第一凹槽的顶部开口宽度增加；去除剩余伪栅结构，形成第二凹槽；在半导体衬底表面形成填充满第二凹槽和第一凹槽的栅极材料层，栅极材料层的表面与介质层表面齐平；回刻蚀部分栅极材料层，形成栅极结构和位于栅极结构顶部的第三凹槽，所述第三凹槽具有第二深度，第二深度大于第一深度；在栅极结构表面形成填充满所述第三凹槽的覆盖层，覆盖层的顶部宽度大于栅极结构的宽度。

关键词：伪栅结构栅极材料层栅极结构半导体衬底表面覆盖层介质层晶体管侧墙去除栅极结构表面介质层表面凹槽两侧表面齐平侧壁表面顶部开口宽度增加回刻蚀衬底刻蚀齐平半导体

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半导体结构的形成方法

半导体结构的形成方法

作者：蔡国辉 201203 上海市浦东新区张江路18号

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；进行外延步骤，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；进行刻蚀步骤，去除侧壁和栅... 详细信息

标准号: CN105097520B

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；进行外延步骤，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；进行刻蚀步骤，去除侧壁和栅极结构表面上的半导体外延材料层，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第一半导体外延层；进行选择外延步骤，通入沉积气体和刻蚀气体，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第二半导体外延层，所述第二半导体外延层沿水平方向修复或补偿所述第一半导体外延层；重复依次进行外延步骤、刻蚀步骤和选择外延步骤，直至在栅极结构两侧的半导体衬底上形成抬高源/漏区。防止形成的抬高源/漏区形成尖角。

关键词：栅极结构衬底半导体外延层外延步骤半导体半导体外延材料刻蚀步骤源/漏区侧壁侧墙抬高半导体衬底表面栅极结构表面半导体结构沉积气体刻蚀气体尖角去除修复重复覆盖