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具有围绕栅极结构的字元线的存储器元件及其制备方法
具有围绕栅极结构的字元线的存储器元件及其制备方法
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作者： 章思尧 中国台湾新北市
本公开提供一种具有围绕一栅极结构的一字元线的存储器元件及该存储器元件的制备方法。该存储器元件具有一第一介电质，围绕一电容器设置；一第二介电质，设置在该第一介电质与该电容器上；一字元线，埋设在该第二介电质中；以及一栅极... 详细信息
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凹槽式栅极结构的制备方法
凹槽式栅极结构的制备方法
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作者： 苏国辉 中国台湾新北市
本公开提供一种凹槽式栅极结构的制备方法，包括：形成一凹槽结构；形成一第一功能层，以至少覆盖该凹槽结构该凹槽的一侧壁；形成一第二功能层，以覆盖该第一功能层；执行一快速热处理，以形成沿着该第一功能层与该第二功能层之间的一... 详细信息
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高功率器件的栅极结构及其制造方法
高功率器件的栅极结构及其制造方法
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作者： 刘洋 蒙飞 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
本发明提供一种高功率器件的栅极结构及其制造方法，其中方法包括：提供一其上形成有栅氧化层和栅极的衬底；在栅极的表面上形成保护层；形成氧化硅层和氮化硅层；形成侧墙结构；去除栅极两侧的部分侧墙结构和部分保护层，以及去除栅极... 详细信息
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一种埋入式栅极结构及其制造方法
一种埋入式栅极结构及其制造方法
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作者： 请求不公布姓名 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明提供一种埋入式栅极结构及其制造方法，该方法包括：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成有源区及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；于所述有源区中形成有源沟槽及于所述浅沟槽隔离结构中形成隔离沟槽；所述有源沟槽包括形... 详细信息
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具有将源极线接触耦合到存储器基元的栅极结构的掩埋掺杂区的结构
具有将源极线接触耦合到存储器基元的栅极结构的掩埋掺杂区的结构
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作者： R·里希特 S·丁克尔 V·塞斯 美国纽约州
本公开提供了一种具有用于将源极线接触耦合到存储器基元的栅极结构的掩埋掺杂区的结构。根据本公开的结构包括存储器基元，该存储器基元具有沿着第一横向方向在衬底上方延伸的栅极结构。掩埋掺杂区位于衬底内，并且沿着第二横向方向从... 详细信息
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多重栅极结构及其制造方法
多重栅极结构及其制造方法
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作者： 陈豪育 杨育佳 杨富量 台湾省新竹科学工业园区
本发明是关于一种多重栅极结构及其制造方法，其结构包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一... 详细信息
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半导体装置及栅极结构的形成方法
半导体装置及栅极结构的形成方法
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作者： 叶德夫 杜政杰 陈皓馨 洪若珺 庄英良 叶明熙 黄国彬 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
本揭露关于一种半导体装置及栅极结构的形成方法。此形成方法包含：形成栅极结构的界面层及高k值介电层；形成N型金属层于高k值介电层上；形成硬覆盖层于N型金属层上，同时通过氟钝化强化高k值介电层；图案化在硬覆盖层上的光阻材料，以... 详细信息
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一种基于不同栅极结构的MOS管器件
一种基于不同栅极结构的MOS管器件
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作者： 盛况 任娜 徐弘毅 王珩宇 311200 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
本申请公开了一种基于不同栅极结构的MOS管器件，涉及半导体技术领域，包括：第一掺杂衬底；第一掺杂结构，第一掺杂结构和第一掺杂衬底相连接；第二掺杂结构，第二掺杂结构和第一掺杂结构相连接；沟槽栅结构，沟槽栅结构分别和第一掺... 详细信息
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一种栅极结构形成方法
一种栅极结构形成方法
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作者： 何佳伟 戴秋贇 俞新杰 201807 上海市嘉定区娄陆公路497号
本发明公开了一种栅极结构形成方法，包括在衬底上形成第一栅极，在第一栅极两侧形成侧墙；在衬底上形成前层介质层，将第一栅极和侧墙覆盖；对前层介质层进行平坦化，露出第一栅极和侧墙的顶面；执行第一刻蚀，利用刻蚀工艺气体对前层... 详细信息
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基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法
基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法
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作者： 钱益军 杨雨梦 201210 上海市浦东新区华夏中路393号
本发明公开了一种基于混合栅极结构器件的性能退化补偿方法。所述混合栅极结构器件由下至上包括：一层底部的硅衬底；一层中间带有空腔的埋氧层；位于埋氧层上表面的沟道层；其中，沟道两侧分别为漏极与源极；位于沟道层之上的π‑GAA‑... 详细信息
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