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具有旁路栅极结构的晶体管
具有旁路栅极结构的晶体管
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作者： D·法雷尔 S·伍德 S·什帕德 D·纳米什亚 美国北卡罗莱纳
本公开涉及具有旁路栅极结构的晶体管。晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之... 详细信息
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包括栅极结构和分隔结构的半导体器件
包括栅极结构和分隔结构的半导体器件
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作者： 全庸淏 姜世求 裵根熙 李东锡 韩国京畿道
提供了一种包括栅极结构和分隔结构的半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，位于第一有源区与第二有源区之间；第一栅极结构，位于第一有源区和绝缘层上，第一栅极结构在绝缘层上具有第一端部；第二栅极结... 详细信息
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包括栅极结构的半导体装置及形成其的方法
包括栅极结构的半导体装置及形成其的方法
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作者： 金成玟 韩国京畿道水原市
公开了一种包括栅极结构的半导体装置及形成其的方法。所述半导体装置包括限定在基底上的有源区。下栅极结构设置在有源区上并且与有源区交叉。上栅极结构设置在下栅极结构上并且具有与下栅极结构的宽度不同的宽度。一对源/漏区设置在... 详细信息
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一种基于栅极结构的Si-PIN探测装置及其制造方法
一种基于栅极结构的Si-PIN探测装置及其制造方法
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作者： 路文超 277200 山东省枣庄市山亭经济开发区青屏路666号
本申请公开了一种基于栅极结构的Si‑PIN探测装置及其制造方法，主要涉及Si‑PIN探测技术领域，用以解决现有的Si‑PIN探测装置受结构限制，能量分辨率的提升受到限制的技术问题。包括：半导体基底、第一PN节区、第二PN节区、绝缘层、栅极... 详细信息
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离子束设备、离子源装置及其栅极结构
离子束设备、离子源装置及其栅极结构
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作者： 闫奎呈 杨振 陈龙保 刘海洋 郭颂 胡冬冬 石小丽 许开东 221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
本发明公开了一种离子束设备、离子源装置及其栅极结构，该栅极结构用于引出离子束流，所述栅极结构包括屏栅和加速栅，两者平行间隔布置；沿垂直于所述离子束流引出方向的方向，所述栅极结构的等效距离呈增大趋势变化或者呈减小趋势变... 详细信息
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用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法
用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法
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作者： 赵向坤 朱瑞苹 张龙 马怡曼 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
本发明提供了用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法，包括：首先主刻蚀工艺阶段利用第一工艺气体，对栅极层刻蚀至第一预定位置；然后第一软着陆工艺阶段利用第二工艺气体，继续对栅极层刻蚀至第二预定位置；其中，第一软着陆工艺... 详细信息
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具有掩埋栅极结构的FET
具有掩埋栅极结构的FET
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作者： 篠原启介 米格尔·乌特亚加 凯西·金 安迪·卡特 美国加利福尼亚
一种具有掩埋栅极结构的FET。该FET的栅极电极包括多个掩埋栅极结构，该结构的顶部在基板的顶表面上方延伸，并且该结构的底部被掩埋到至少等于沟道层的底部的深度或针对HEMT的沟道层内的2DEG平面的深度，使得掩埋栅极结构仅从沟道层侧... 详细信息
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半导体器件的栅极结构及其形成方法
半导体器件的栅极结构及其形成方法
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作者： 李欣怡 张文 徐志安 中国台湾新竹市
本公开涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的鳍。在鳍之上形成虚设栅极。虚设栅极沿着鳍的侧壁和顶表面延伸。去除虚设栅极以形成凹部。在凹部中形成替换栅极。形成替... 详细信息
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基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiC VDMIS器件
基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiC VDMIS器件
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作者： 段宝兴 王雨龙 杨银堂 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
本发明公开了一种基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiC VDMIS器件，主要解决现有器件因其低质量的SiO2/SiC界面导致器件导通电阻增大的问题。其在现有SiC VDMOS器件结构的基础上中采用绝缘SiC复合栅或绝缘SiC介质栅，使得栅介质层中的碳化... 详细信息
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场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构
场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构
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作者： 张焕云 吴健 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供一种场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构，增加了沟道长度，以实现栅极对沟道控制能力的进一步提升。该制作方法包括：提供半导体衬底，至少一部分半导体衬底表面被配置为场效应晶体管的沟道区域，沟道区域上覆... 详细信息
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