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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

268 篇 专利

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268 篇 电子文献
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机构

66 篇 中芯国际集成电路...
18 篇 上海华力微电子有...
13 篇 湖北大学
10 篇 西安电子科技大学
8 篇 中国科学院半导体...
8 篇 上海华虹宏力半导...
7 篇 深圳市华星光电技...
6 篇 华虹半导体有限公...
6 篇 彩虹集团公司
6 篇 京东方科技集团股...
5 篇 华南理工大学
5 篇 浙江大学
4 篇 上海集成电路研发...
4 篇 成都微光集电科技...
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 天津大学
3 篇 深圳市华星光电半...
3 篇 友达光电股份有限...
3 篇 中山大学
3 篇 台湾积体电路制造...

作者

13 篇 李金华
12 篇 范钦
10 篇 宣荣喜
10 篇 宋建军
10 篇 张鹤鸣
10 篇 胡辉勇
8 篇 王贤保
8 篇 赵猛
8 篇 李珊珊
8 篇 蒋莉
7 篇 张海洋
6 篇 朱普磊
6 篇 何永根
6 篇 黎铭琦
6 篇 黄康
6 篇 李驰
5 篇 张杨
5 篇 王成艳
5 篇 郑春生
5 篇 张彬

语言

268 篇 中文

检索条件"主题词=栅极表面"

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详细简洁

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在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法

在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法

引用

作者：胡韬 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大... 详细信息

标准号: CN105097478A

本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，采用的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单，可以使用薄膜晶体管制作产线中已有的PECVD设备，无需增加成本；包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，避免了与水和氧的接触，解决了传统的TFT制程中含有金属铜的栅极或源漏极易被氧化的问题，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。

关键词：石墨烯源漏极薄膜晶体管制程的等离子体石墨烯薄膜包覆石墨表面生长电性表现高导电性气相沉积图案重叠栅极表面制备温度最大限度被氧化金属铜产线可控膜厚一种生成生长接触制作增强影响解决

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平栅极表面传导场发射阴极结构及其制作方法

平栅极表面传导场发射阴极结构及其制作方法

引用

作者：郭太良张永爱叶芸林金堂胡利勤林志贤 350001 福建省福州市鼓楼区工业路523号

本发明公开一种平栅极表面传导场发射阴极结构，包括设置于玻璃基板表面的数据电极、方块栅极阵列、介质层、行扫描电极、电子发射层，数据电极和方块栅极阵列相互平行设置于玻璃基板同一平面，数据电极由多列相互平行的条状阴极电极组... 详细信息

标准号: CN102262995B

本发明公开一种平栅极表面传导场发射阴极结构，包括设置于玻璃基板表面的数据电极、方块栅极阵列、介质层、行扫描电极、电子发射层，数据电极和方块栅极阵列相互平行设置于玻璃基板同一平面，数据电极由多列相互平行的条状阴极电极组成，方块栅极阵列由多列相互平行的方块栅极子阵列组成，每列方块栅极子阵列由多个等间距纵向分布的方块栅极构成，条状介质层设置于相邻的方块栅极间，并与数据电极相互垂直，行扫描电极由纵向连接电极和设置于条状介质层上的多行相互平行的条状横向电极构成，每个纵向连接电极均导通一个方块栅极，电子发射层设置于未被条状介质层覆盖的阴极电极表面及阴极电极与方块栅极之间的间隙内。该场发射阴极结构不仅可实现栅极低压调控和表面传导，提高电子发射的均匀性和效率，而且具有结构简单、制造工艺容易、成本低廉、制造过程稳定可靠的优点。本发明还公开一种制造平栅极表面传导场发射阴极结构的方法。

关键词：数据电极电极介质层发射阴极结构平行电子发射栅极阵列传导栅极表面行扫描多列玻璃基板表面条状阴极电极阴极电极表面玻璃基板过程稳定横向电极间距纵向阴极电极均匀性连接调控

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平栅极表面传导场发射阴极结构及其制作方法

平栅极表面传导场发射阴极结构及其制作方法

引用

作者：郭太良张永爱叶芸林金堂胡利勤林志贤 350001 福建省福州市鼓楼区工业路523号

标准号: CN102262995A

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在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法

在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法

引用

作者：胡韬 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

标准号: CN105097478B

关键词：石墨烯源漏极薄膜晶体管制程等离子体增强气相沉积石墨烯薄膜包覆石墨表面生长电性表现高导电性图案重叠栅极表面传统的金属铜产线可控膜厚易被制备制作生长

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一种碳化硅器件及其制备方法

一种碳化硅器件及其制备方法

引用

作者：曹菲刘云涛费新星包梦恬 116026 辽宁省大连市甘井子区凌水街道凌海路1号

本发明公开了一种碳化硅器件及其制备方法，包括有自下而上的金属漏极，N+衬底，N‑外延层，P型体区，N+源区，金属源极。在两侧的P型体区中间设置有N型电流扩展层，在元胞源极表面设置有P型掺杂区，在两侧栅极以及P型掺杂区中设置有异... 详细信息

标准号: CN115881797A

本发明公开了一种碳化硅器件及其制备方法，包括有自下而上的金属漏极，N+衬底，N‑外延层，P型体区，N+源区，金属源极。在两侧的P型体区中间设置有N型电流扩展层，在元胞源极表面设置有P型掺杂区，在两侧栅极以及P型掺杂区中设置有异质结二极管，栅极表面设置有栅极氧化膜。本发明提出的SiCMOSFET结构相较于传统的MOSFET结构具有更好的静态品质因子和动态品质因子，具体表现为具有更低的导通电阻和更低的反向传输电容，且器件的第三象限导通特性和反向恢复特性得到了改善，双极退化效应与栅氧化物电场过高的问题得到了解决，具有更好的可靠性。

关键词：反向恢复特性异质结二极管碳化硅器件栅极氧化膜电场表面设置导通电阻导通特性动态品质反向传输金属漏极金属源极品质因子退化效应栅极表面栅氧化物中间设置传统的扩展层外延层电容衬底双极象限元胞源极源区制备表现

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一种石墨烯晶体管无标记葡萄糖传感器及其制备方法

一种石墨烯晶体管无标记葡萄糖传感器及其制备方法

引用

作者：李金华范钦王贤保 430063 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

本发明提供了一种石墨烯晶体管葡萄糖传感器，可以对液体中的葡萄糖进行无标记检测，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。本发明将碳点固定在石墨烯晶体管栅... 详细信息

标准号: CN111220668A

本发明提供了一种石墨烯晶体管葡萄糖传感器，可以对液体中的葡萄糖进行无标记检测，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。本发明将碳点固定在石墨烯晶体管栅电极表面，碳点能够与溶液中游离的葡萄糖共价结合，从而通过位阻效应改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性，使石墨烯沟道中的电流发生变化，通过检测沟道中的电流变化，可以检测溶液中的微量葡萄糖；本发明提供的石墨烯晶体管葡萄糖传感器的操作电压低于1V，葡萄糖的最低检测限能够达到10^‑14M，且改变葡萄糖浓度后，传感器的电流即时发生变化，灵敏度非常高。

关键词：石墨烯葡萄糖晶体管沟道葡萄糖传感器衬底漏极源极检测晶体管栅电极微量葡萄糖无标记检测操作电压电流变化共价结合界面特性样本溶液栅极表面灵敏度传感器点固定双电层位阻游离

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一种基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术

一种基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术

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作者：郭雪峰刘文哲赵丽华杨志恒 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本申请提供了一种基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术，通过金硫键或桥连分子在MOSFET器件栅极表面上修饰用于基因聚合和基因解离的单分子酶，将待测基因序列输入生物传感器，并对产生的电信号和驻留时间与合成已知序列核酸模板... 详细信息

标准号: CN116926177A

本申请提供了一种基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术，通过金硫键或桥连分子在MOSFET器件栅极表面上修饰用于基因聚合和基因解离的单分子酶，将待测基因序列输入生物传感器，并对产生的电信号和驻留时间与合成已知序列核酸模板所需的核苷酸分子或剪切已知序列的核酸分子的电信号和驻留时间比对，从而能够检测出核酸分子的核苷酸序列。本申请提供的基于MOSFET器件的集成化单分子基因测序技术不仅无需进行PCR扩增，就实现单碱基分辨的基因测序，而且有利于实现了基因测序的高度集成化，从而能大幅度提高测序通量、降低测序时间以及经济成本。

关键词：单分子基因测序技术核酸分子基因测序已知序列驻留集成化测序单碱基分辨核苷酸分子核苷酸序列生物传感器待测基因高度集成核酸模板经济成本时间比对序列输入栅极表面剪切基因金硫键解离桥连通量修饰申请聚合合成检测

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SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法

SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法

引用

作者：蔡丽莹宋建军黄云霞胡辉勇宣荣喜张鹤鸣 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学微电子学院

本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；在第一温度下生长第一Ge层；在第二温度下生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀栅介质层和栅极层形... 详细信息

标准号: CN107546176B

本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；在第一温度下生长第一Ge层；在第二温度下生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀栅介质层和栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀第二Ge层在PMOS和NMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在第二Ge层表面生长Si_0.24Ge_0.73C_0.03层；去除栅极保护层，利用离子注入工艺形成源漏极，最终形成CMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为CMOS器件的沟道可以显著提升CMOS器件沟道载流子迁移率，提升电流驱动能力，使CMOS器件具有工作速度高、频率特性好的优点。同时，本发明所提出的直接带隙Ge CMOS还具有单片光电集成的优势。

关键词：直接带隙栅极保护层栅极层沟道制备生长单片光电集成电流驱动能力离子注入工艺沟道载流子选择性刻蚀表面生长频率特性外延工艺应力引入栅极表面栅介质层介质层刻蚀栅迁移率位置处源漏极衬底单晶刻蚀去除

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一种栅极退火及侧墙形成方法

一种栅极退火及侧墙形成方法

引用

作者：施剑华易九鹏 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

本发明公开了一种栅极退火及侧墙形成方法，通过对预先进行刻蚀形成了栅极的栅极器件，在升温处理阶段进行第一氧化处理，在栅极器件的栅极表面生成第一厚度的栅极侧墙；其次，在升温至预设的退火温度时，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅... 详细信息

标准号: CN112447517B

本发明公开了一种栅极退火及侧墙形成方法，通过对预先进行刻蚀形成了栅极的栅极器件，在升温处理阶段进行第一氧化处理，在栅极器件的栅极表面生成第一厚度的栅极侧墙；其次，在升温至预设的退火温度时，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件同时进行第二氧化处理和第一热退火处理，以使栅极侧墙由第一厚度增加至第二厚度；最后，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理。通过该方法可以实现同时进行栅极侧墙的氧化和退火，可减少工艺流程，降低工艺风险，提高生产效率，还可以有效避免多晶硅表面生成氮化物，致使光刻曝光时自对准偏差及刻蚀不净的问题。

关键词：栅极侧墙栅极器件退火氧化处理热退火刻蚀多晶硅表面处理阶段光刻曝光厚度增加生产效率栅极表面工艺流程氮化物自对准侧墙预设

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一种基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器及其制备方法和在溶菌酶检测中的应用

一种基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器及其制备方法和在溶...

引用

作者：李金华李珊珊黄康范钦王贤保 430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

本发明提供了一种基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器及其制备方法和在溶菌酶检测中的应用。本发明提供的基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器包括电子级玻璃和设置于所述电子级玻璃上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间... 详细信息

标准号: CN108872346A

本发明提供了一种基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器及其制备方法和在溶菌酶检测中的应用。本发明提供的基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器包括电子级玻璃和设置于所述电子级玻璃上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有双链DNA，所述双链DNA的自由端修饰有氨基。本发明提供的基于液栅结构石墨烯晶体管的溶菌酶传感器中双链DNA直接固定在栅极表面，无需在石墨烯上固定DNA；其三电极结构和石墨烯沟道，使其对电压的变化感应非常强，很小的电压变化就会引起相应的电流变化；利用输入栅极的电压来控制石墨烯沟道电流，降低了操作电压；同时应用石墨烯为沟道材料，增大传感器的灵敏度。

关键词：石墨烯传感器溶菌酶栅结构晶体管栅极表面双链DNA 电子级沟道漏极源极氨基溶菌酶检测玻璃操作电压电极结构电流变化电压变化沟道材料沟道电流输入栅极应用石墨直接固定固定DNA 灵敏度中双链自由端修饰制备应用

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