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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

268 篇 专利

馆藏范围

268 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

66 篇 中芯国际集成电路...
18 篇 上海华力微电子有...
13 篇 湖北大学
10 篇 西安电子科技大学
8 篇 中国科学院半导体...
8 篇 上海华虹宏力半导...
7 篇 深圳市华星光电技...
6 篇 华虹半导体有限公...
6 篇 彩虹集团公司
6 篇 京东方科技集团股...
5 篇 华南理工大学
5 篇 浙江大学
4 篇 上海集成电路研发...
4 篇 成都微光集电科技...
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 天津大学
3 篇 深圳市华星光电半...
3 篇 友达光电股份有限...
3 篇 中山大学
3 篇 台湾积体电路制造...

作者

13 篇 李金华
12 篇 范钦
10 篇 宣荣喜
10 篇 宋建军
10 篇 张鹤鸣
10 篇 胡辉勇
8 篇 王贤保
8 篇 赵猛
8 篇 李珊珊
8 篇 蒋莉
7 篇 张海洋
6 篇 朱普磊
6 篇 何永根
6 篇 黎铭琦
6 篇 黄康
6 篇 李驰
5 篇 张杨
5 篇 王成艳
5 篇 郑春生
5 篇 张彬

语言

268 篇 中文

检索条件"主题词=栅极表面"

共 268 条记录，以下是51-60 订阅

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详细简洁

排序：

半导体器件制备方法

半导体器件制备方法

引用

作者：朱红波张哲高向阳 510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金... 详细信息

标准号: CN116936475B

本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金属前驱物材料层；进行预设时长的热烘，以于有源区和金属前驱物材料层的界面处以及栅极和金属前驱物材料层的界面处形成初始欧姆接触层；去除未反应的金属前驱物材料；进行热退火，以使初始欧姆接触层成为低阻值欧姆接触层。相较于现有技术，本发明不仅流程极大简化，可以显著降低生产成本，而且热处理温度显著降低，有助于减少乃至避免器件损伤及减少金属的横向扩散，从而提高生产良率。

关键词：金属前驱物欧姆接触层材料层基底源区半导体结构界面处半导体器件制备半导体材料基底上表面热处理横向扩散基底表面器件损伤涂布金属预设时长栅极表面前驱物热退火良率去除制备显露金属生产

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一种用于苯丙氨酸快速手性识别传感器的改性环糊精及传感器制备方法

一种用于苯丙氨酸快速手性识别传感器的改性环糊精及传感器制备方...

引用

作者：肖殷王思颖王勇 300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区

本发明公开了一种用于苯丙氨酸快速手性识别传感器的改性环糊精及传感器制备方法；通过使用对甲苯异氰酸酯改性天然环糊精，引入了π‑π堆叠、偶极‑偶极相互作用，加强了对Phe的手性识别能力。同时，也改善了环糊精材料的成膜性，从而... 详细信息

标准号: CN112079943A

本发明公开了一种用于苯丙氨酸快速手性识别传感器的改性环糊精及传感器制备方法；通过使用对甲苯异氰酸酯改性天然环糊精，引入了π‑π堆叠、偶极‑偶极相互作用，加强了对Phe的手性识别能力。同时，也改善了环糊精材料的成膜性，从而可以将其直接旋涂于栅极表面形成敏感单元，简化了平台搭建步骤。采用外延栅极的场效应器件结构，将分子识别单元与信号转换单元分离，保证了器件的可重复利用，手性传感介质制备简单，固载方法省时省力；该手性传感器对苯丙氨酸对映体具有良好识别作用。

关键词：苯丙氨酸偶极甲苯异氰酸酯手性识别能力信号转换单元场效应器件传感器制备改性环糊精环糊精材料手性传感器天然环糊精传感介质分子识别敏感单元平台搭建手性识别栅极表面成膜性对映体可重复传感器堆叠改性固载省时手性旋涂省力制备引入保证

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一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法

一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法

引用

作者：黄明乐鲁怀贤周世刚 230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法，通过在第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构；并将所述第一增强型器件结构的第一源极、第一漏极和所述第二增强型器件结构的第二源极、第二... 详细信息

标准号: CN117613008A

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法，通过在第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构；并将所述第一增强型器件结构的第一源极、第一漏极和所述第二增强型器件结构的第二源极、第二漏极相对设置，所述第二源极、所述第二栅极和所述第一源极电连接，所述第二漏极和所述第一漏极电连接，所述第二沟道结构位于所述第二栅极表面且位于所述第二源极、所述第二漏极之间。使得器件的反向导通能力大幅提升，且降低了反向导通功耗。

关键词：增强型器件漏极源极反向导通电连接半导体器件技术沟道结构结构表面相对设置栅极表面功耗制备

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制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法

制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法

引用

作者：孙方宏张志明沈荷生郭松寿 200240 上海市闵行区东川路800号

一种镀覆技术领域的制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法，在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上，增加一种辅助栅极，辅助栅极在热丝沉积初期，先行沉积一层金刚石薄膜，然后在栅极和热丝之间加上直流偏压，栅极为负，栅极表... 详细信息

标准号: CN1294293C

一种镀覆技术领域的制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法，在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上，增加一种辅助栅极，辅助栅极在热丝沉积初期，先行沉积一层金刚石薄膜，然后在栅极和热丝之间加上直流偏压，栅极为负，栅极表面的金刚石薄膜即发射电子而形成直流放电，其中正离子将轰击栅极，被轰击下来的金刚石原子和原子集团将溅落到衬底上，成为金刚石形核和生长驱动点，溅射对衬底上金刚石的高密度形核和二次形核起了关键作用，衬底表面沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明能达到极高的形核密度，同时在生长过程中有很高的二次形核速率，能生长得到纳米级的金刚石薄膜，沉积后薄膜无须研磨抛光就能达到较高的光洁度，满足使用要求。

关键词：金刚石薄膜沉积辅助栅极金刚石衬底二次光洁度沉积金刚石薄膜化学气相沉积法纳米金刚石薄膜金刚石形核衬底表面镀覆技术发射电子关键作用生长过程研磨抛光原子集团栅极表面直流放电直流偏压制备纳米生长高密度纳米级正离子极高溅射薄膜

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半导体器件制备方法

半导体器件制备方法

引用

作者：朱红波张哲高向阳 510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

标准号: CN116936475A

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：籍亚男赵影 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋410室

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层；凹槽，位于外延层内，将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于凹槽表面以及外延层上表面；晶体管结构，包括栅极... 详细信息

标准号: CN117174715A

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层；凹槽，位于外延层内，将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于凹槽表面以及外延层上表面；晶体管结构，包括栅极层、栅介质层以及有源层，且栅极层包括多个间隔设置的栅极，栅极与发光单元一一对应设置，且栅极由隔离介质层侧壁向位于侧壁两侧的隔离介质层表面延伸；栅介质层位于栅极表面，有源层位于栅介质层表面。将由栅极层、栅介质层以及有源层构成的晶体管结构内嵌于发光单元之间，使得晶体管结构与发光单元进行了结合。同时，隔离介质层将晶体管结构同发光单元有效隔离，从而使得器件性能稳定。

关键词：发光单元外延层隔离介质层晶体管结构栅介质层栅极层源层侧壁一一对应设置半导体结构凹槽表面表面延伸层叠设置间隔设置器件性能有效隔离栅极表面发光层上表面内嵌制备申请

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一种薄膜晶体管及其制备方法和应用

一种薄膜晶体管及其制备方法和应用

引用

作者：宁洪龙胡诗犇彭俊彪姚日晖卢宽宽陶瑞强蔡炜刘贤哲陈建秋徐苗 511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝... 详细信息

标准号: CN107799608A

本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。

关键词：源层源漏电极钝化层绝缘层薄膜晶体管衬底载流子半导体材料领域制备方法和应用绝缘层上表面衬底上表面加速载流子栅极表面包覆的传统的低阻抗电阻率迁移率最外层沉积延迟传输覆盖

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半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备

半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备

引用

作者：彭晗吴晨光欧阳爵张礼杰周建军 215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备。其中，半导体结构的制备方法包括：在衬底上依次外延生长沟道层与势垒层。并在势垒层上形成栅极。在势垒层背向沟道层的一侧沉积包覆栅极的绝缘层，再对绝缘层进行开孔并沉... 详细信息

标准号: CN118099091B

本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备。其中，半导体结构的制备方法包括：在衬底上依次外延生长沟道层与势垒层。并在势垒层上形成栅极。在势垒层背向沟道层的一侧沉积包覆栅极的绝缘层，再对绝缘层进行开孔并沉积形成至少两个接触电极。接触电极沿背向势垒层的方向延伸出绝缘层。对绝缘层进行刻蚀形成预制孔。预制孔暴露至少部分栅极背向势垒层的表面。在绝缘层背向势垒层的一侧沉积形成填充层。填充层包覆绝缘层。接触电极延伸进填充层内。填充层与绝缘层的材料不同。对填充层进行刻蚀形成多个预接触孔。多个预接触孔分别暴露至少部分栅极与接触电极背向势垒层的表面。暴露栅极表面的预接触孔经过预制孔延伸至栅极。

关键词：势垒层绝缘层填充层接触电极半导体结构预接触预制孔沉积沟道层刻蚀制备暴露包覆绝缘层绝缘层背向电子设备方向延伸外延生长栅极表面延伸包覆衬底开孔申请

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半导体器件的制备方法

半导体器件的制备方法

引用

作者：蒋莉黎铭琦朱普磊 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

本发明公开了一种半导体器件的制备方法，其中，通过化学机械平坦化处理去除多余的铝并形成铝栅极之后，使用H2O2溶液对暴露出来的铝栅极表面进行氧化处理，从而形成氧化铝薄膜，最后再对半导体器件进行清洗处理。经过本发明的这种处理... 详细信息

标准号: CN102820216A

本发明公开了一种半导体器件的制备方法，其中，通过化学机械平坦化处理去除多余的铝并形成铝栅极之后，使用H₂O₂溶液对暴露出来的铝栅极表面进行氧化处理，从而形成氧化铝薄膜，最后再对半导体器件进行清洗处理。经过本发明的这种处理，能够使经过化学机械平坦化处理的铝栅极表面得到保护，避免形成侵蚀和凹坑。

关键词：化学机械平坦化半导体器件栅极表面氧化铝薄膜氧化处理制备方法凹坑侵蚀

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GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法

GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法

引用

作者：王成艳张杨关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+... 详细信息

标准号: CN104880493B

本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg²⁺)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg²⁺时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg²⁺的浓度，从而达到定量检测重金属Hg²⁺的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。

关键词：吸附重金属离子沟道载流子规律性变化器件灵敏度生物传感器电荷分布定量检测固定生物快速诊断临床诊断敏感元件浓度变化食品安全实时检测随身携带源漏电流栅极表面栅极电荷变化量测试源汞离子漏电流重金属标定基底诊断响应检测伤害预防

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