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文献类型

  • 1 篇 期刊文献
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馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 栅电荷模型
  • 1 篇 版图
  • 1 篇 沟道电流模型
  • 1 篇 hemt
  • 1 篇 增强型gan
  • 1 篇 verilog-a语言
  • 1 篇 栅电荷测试电路
  • 1 篇 大信号模型
  • 1 篇 沟槽型功率mosfet

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 西南交通大学
  • 1 篇 杭州电子科技大学

作者

  • 1 篇 lu haiyan
  • 1 篇 han chunlin
  • 1 篇 li wenjun
  • 1 篇 liu jun
  • 1 篇 陆海燕
  • 1 篇 刘军
  • 1 篇 李文钧
  • 1 篇 吴志猛
  • 1 篇 陈秋芬
  • 1 篇 chen qiufen
  • 1 篇 韩春林

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=栅电荷模型"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
收藏 引用
半导体技术 2015年 第12期40卷 904-910页
作者: 陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 南京210016
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息
来源: 评论
沟槽型功率MOSFET设计与电荷研究
沟槽型功率MOSFET设计与栅电荷研究
收藏 引用
作者: 吴志猛 西南交通大学
学位级别:硕士
功率MOSFET是应用最为广泛的功率半导体器件,因为价格低廉,技术成熟,开关速度快,驱动简单等诸多优点使它被广泛的应用在便携的电子设备、汽车电子、工业控制以及照明等领域。随着半导体工艺技术的发展,功率MOSFET晶胞的集成度日益增大,... 详细信息
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