咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 击穿电压退化
  • 1 篇 高压横向扩散金属...
  • 1 篇 栅致漏极漏电

机构

  • 1 篇 上海华虹宏力半导...
  • 1 篇 专用集成电路与系...

作者

  • 1 篇 张卫
  • 1 篇 徐向明
  • 1 篇 王鹏飞
  • 1 篇 王惠惠
  • 1 篇 金锋
  • 1 篇 宁开明
  • 1 篇 邓彤
  • 1 篇 钱文生

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=栅致漏极漏电"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
高压LDMOS击穿电压退化机理研究
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2015年 第4期35卷 371-376页
作者: 金锋 徐向明 宁开明 钱文生 王惠惠 邓彤 王鹏飞 张卫 专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学上海200433 上海华虹宏力半导体制造有限公司 上海201206
以700V超高压LDMOS器件为例,对击穿电压的退化机理进行了物理解析及失效机理的理论分析,发现栅致漏极漏电(Gate induced drain leakage,GIDL)应力会诱导击穿电压退化,提出了多晶硅下场氧鸟嘴处电场强度是影响LDMOS击穿电压可靠性的重... 详细信息
来源: 评论