咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电气工程

主题

  • 1 篇 槽栅mosfet
  • 1 篇 埋氧化物
  • 1 篇 槽栅双极模式jfet
  • 1 篇 栅漏电容
  • 1 篇 功耗

机构

  • 1 篇 北京工业大学

作者

  • 1 篇 吴郁
  • 1 篇 黄淮
  • 1 篇 田波
  • 1 篇 亢宝位
  • 1 篇 胡冬青

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=槽栅双极模式JFET"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
面向低压高频开关应用的功率jfet的功耗
收藏 引用
电工技术学报 2009年 第8期24卷 106-110页
作者: 田波 吴郁 黄淮 胡冬青 亢宝位 北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室 北京100124
提出了一种埋氧化物双极模式功率jfet(BTB-jfet),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-jfet、常规的槽栅双极模式jfet(TB-jfet)和MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴... 详细信息
来源: 评论