检索结果-内蒙古大学图书馆

药学学报 2012年第7期47卷 941-946页

作者：左笑丛袁洪张毕奎 Chee M.NG Jeff S.BARRETT 阳国平黄志军裴奇郭韧周亚男荆宁宁 DI Wu 中南大学湘雅三医院湖南长沙410013 美国费城儿童医院临床药物治疗系应用药动学/药效学研究室 PA19104

合理的采样设计是建立可靠群体药动学模型的重要基础。应用非线性混合效应模型的群体药动学研究,是一种有效利用稀疏血样数据估算群体药动学参数的方法。本研究根据D最优化设计和贝叶斯法设计采样方案。以已报道的氨氯地平群体药动学模... 详细信息

合理的采样设计是建立可靠群体药动学模型的重要基础。应用非线性混合效应模型的群体药动学研究,是一种有效利用稀疏血样数据估算群体药动学参数的方法。本研究根据D最优化设计和贝叶斯法设计采样方案。以已报道的氨氯地平群体药动学模型为基础,根据临床研究的目的、给药方案和随访时间等设计几套采样方案,采用WinPOPT软件计算优化采样方案,用蒙特卡罗法(Monte Carlo)对各优化的采样方案分别建立一套含400个患者的NONMEM数据文件,用NONMEM7.2软件模拟氨氯地平的浓度数据,然后估算其重要药动学参数(CL/F,V/F和Ka),并计算其平均预测误差(MPE)和平均绝对预测误差(MAPE)。在6个采样方案中,以方案6和3对CL/F估算的准确度和精密度较优,MPE分别为0.1%和0.6%,MAPE均为0.7%。对V的估算,各采样方案间无明显差异。因此,选用氨氯地平拟合药动学参数的准确度和精密度较优,且采样点个数较少的方案3为最佳临床研究方案。本研究旨在为开展氨氯地平在肾功能损害合并高血压患者的群体药动学研究提供科学、有效的采样方法,为群体PK/PD研究提供一种优化设计临床研究方案的科学方法。

关键词：氨氯地平群体药动学模型和模拟方案设计

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模型引导的药物研发：发展历程和应用思考

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中国临床药理学杂志 2021年第6期37卷 772-776+787页

作者：周舟刘波湖北英翰医药科技有限公司模拟与仿真武汉工程大学化工与制药学院

使用模型和模拟(M&S)有助于提高药品研发的决策质量和效率,为监管评估提供客观证据,通过应用实例、指南颁布和政策推动。模型引导的药物研发(MIDD)已经受到越来越多制药企业和监管机构的认可和支持。本研究旨在鼓励研究者认识和理解... 详细信息

使用模型和模拟(M&S)有助于提高药品研发的决策质量和效率,为监管评估提供客观证据,通过应用实例、指南颁布和政策推动。模型引导的药物研发(MIDD)已经受到越来越多制药企业和监管机构的认可和支持。本研究旨在鼓励研究者认识和理解MIDD在药物研究和法规中的作用和应用价值。

关键词：模型和模拟学习和验证基于生理的药代动力学模型模型引导的药物研发

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美军化生防御战场管理现状

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军事医学科学院院刊 2005年第6期29卷 587-590页

作者：崔玉军马静田青军事医学科学院微生物流行病研究所病原微生物生物安全国家重点实验室北京100071

化生防御领域战场管理已经成为美军战场指挥管理的重要组成部分,在应对化生恐怖袭击行动的指挥决策中也起到重要作用。本文介绍了美军化生防御领域战场管理的理念、内容和相关的科研项目,并简要分析了其演变和发展趋势。

关键词：化生防御战场管理警报和报告模型和模拟

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美国化学会的一个最新初中理科课程－FACETS

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课程．教材．教法 1994年第7期14卷 62-63页

作者：梁英豪

美国化学会的一个最新初中理科课程－ＦＡＣＥＴＳ１９９３年１２月号的《国际化学教育通讯》刊登了一篇题为《ＦＡＣＥＴＳ：一个使用以问题为基础的方法来教授科学的课程》的文章。所谓ＦＡＣＥＴＳ（ＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｓａｎｄＣ... 详细信息

美国化学会的一个最新初中理科课程－ＦＡＣＥＴＳ１９９３年１２月号的《国际化学教育通讯》刊登了一篇题为《ＦＡＣＥＴＳ：一个使用以问题为基础的方法来教授科学的课程》的文章。所谓ＦＡＣＥＴＳ（ＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｓａｎｄＣｈａｌｌｅｎｇｅｓｔｏＥｎｃｏｕｒ...

关键词：美国化学会初中理科杀虫剂 FACE 美国国家科学基金会化学教育以问题为基础模型和模拟害虫问题建议

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硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究

硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究

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作者：冯健峰西安电子科技大学

学位级别：硕士

本文对硅基肖特基源漏MOSFET（简称SBSD-MOSFET）进行模拟研究。 SBSD-MOSFET用肖特基接触代替了pn结来做MOSFET的源漏区。这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应，能大幅度减小器件 ... 详细信息

本文对硅基肖特基源漏MOSFET（简称SBSD-MOSFET）进行模拟研究。 SBSD-MOSFET用肖特基接触代替了pn结来做MOSFET的源漏区。这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应，能大幅度减小器件尺寸。其制备工艺简单，避免了离子注入工艺和退火步骤。首先，文中分析了SBSD-MOSFET的电流输运机制。根据其结构特点，我们可以将其看作是两个背靠背的肖特基二极管。源漏区肖特基接触界面的特性和常规肖特基二极管相似，电流的输运主要以热电子发射和隧道效应为主。其次，本文通过二维模拟软件DESSIS模拟了体硅SBSD-MOSFET的基本伏安特性，模拟结果显示，体硅SBSD-MOSFET有着较大的反栅压泄漏电流，而反栅压泄漏电流包括两部分：来自源结的热发射泄漏电流与来自漏结的隧穿泄漏电流。最后，我们的模拟发现，普通SOI结构SBSD-MOSFET能有效阻挡来自源结的热电子发射泄漏电流，但仍不能阻挡来自漏结的隧穿泄漏电流。为此本文给出一种侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET，该器件获得了良好的开关特性，漏侧较厚的侧墙保证了小的泄漏电流，同时源侧较薄的侧墙能获得大的驱动电流。栅长和硅材料掺杂浓度对侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET的特性影响很小，该优点表明，侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET的研制能获得较高的成品率。

关键词： SBSD-MOSFET 肖特基接触侧墙模型和模拟

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6H-SiC异质结源漏MOSFET的研究

6H-SiC异质结源漏MOSFET的研究

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作者：张林西安电子科技大学

学位级别：硕士

本文给出了一种新型结构的SiC MOSFET——6H-SiC异质结源漏MOSFET。6H-SiC异质结源漏MOSFET用多晶硅/SiC接触代替了重掺杂的pn结来做MOSFET的源漏区。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退... 详细信息

本文给出了一种新型结构的SiC MOSFET——6H-SiC异质结源漏MOSFET。6H-SiC异质结源漏MOSFET用多晶硅/SiC接触代替了重掺杂的pn结来做MOSFET的源漏区。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大、注入激活率低等问题。论文给出了6H-SiC异质结源漏MOSFET的基本结构及模型,并分析了其电流输运机制。通过器件模拟软件ISE TCAD模拟了6H-SiC异质结源漏MOSFET的基本伏安特性,并和先前的研究成果进行了比较,分析了不同氧化时间、源漏区不同掺杂、栅长、衬底掺杂浓度和其它因素对6H-SiC异质结源漏MOSFET伏安特性的影响。根据研究的成果,我们提出了一种新的SiC欧姆接触工艺——多晶硅/SiC异质结接触形成欧姆接触,研究表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点。对6H-SiC异质结源漏MOSFET和欧姆接触进行了版图和工艺设计,讨论了结构的改进和制备中关键工艺的选择,初步摸索了一套制造6H-SiC异质结源漏MOSFET和欧姆接触的制造工艺过程和工艺条件,并进行了投片。本文对6H-SiC异质结源漏MOSFET的器件特性、模型和模拟以及研制等开拓性工作为这种新结构器件的研究发展奠定了基础。

关键词：碳化硅 MOSFET 欧姆接触异质结模型和模拟

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渲染水面方法及装置、电子设备、存储介质

渲染水面方法及装置、电子设备、存储介质

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作者：钱静 310052 浙江省杭州市滨江区长河街道网商路599号4幢7层

本申请提供了一种渲染水面方法及装置、电子设备、存储介质，该方法包括：获取水面模型和模拟点光源；根据所述模拟点光源的光照强度，生成所述水面模型的水面高光参数；获取所述模拟点光源的角度参数和距离参数；根据所述角度参数和所... 详细信息

标准号: CN112819929A

本申请提供了一种渲染水面方法及装置、电子设备、存储介质，该方法包括：获取水面模型和模拟点光源；根据所述模拟点光源的光照强度，生成所述水面模型的水面高光参数；获取所述模拟点光源的角度参数和距离参数；根据所述角度参数和所述距离参数对所述水面高光参数进行处理，得到水面高光贴图；基于所述水面高光贴图，对所述水面模型进行高光渲染以得到所述水面模型的高光效果。本申请实施例通过模拟点光源的相关参数来渲染水面，不需要使用PBR方向光，计算量小，并且可以实现水面高光效果与发光模型相对应，水面高光呈现效果逼真。

关键词：水面高光点光源高光效果角度参数距离参数渲染贴图模型和模拟存储介质电子设备发光模型相关参数计算量申请光照

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基于离线强化学习的风险管理方法、系统及可读存储介质

基于离线强化学习的风险管理方法、系统及可读存储介质

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作者：张伯雷徐行严军荣陈宏吴杰张丽君 310000 浙江省杭州市西湖区教工路23号百脑汇科技大厦1215室

本发明公开了基于离线强化学习的风险管理方法、系统及可读存储介质，其方法包括步骤：收集离线数据集并初始化网络参数；根据收集到的离线数据集训练监督学习模型；根据监督学习模型和模拟环境生成序列数据；根据监督学习模型重构风险... 详细信息

标准号: CN117593131A

本发明公开了基于离线强化学习的风险管理方法、系统及可读存储介质，其方法包括步骤：收集离线数据集并初始化网络参数；根据收集到的离线数据集训练监督学习模型；根据监督学习模型和模拟环境生成序列数据；根据监督学习模型重构风险函数；根据重构的风险函数计算得到最小化风险值；根据最小化风险值训练得到策略函数。本发明解决了相关技术中策略试错成本高、与真实环境的交互效率低和策略优化效率低的问题。

关键词：风险函数离线数据最小化可读存储介质模型和模拟策略函数策略优化风险管理环境生成交互效率模型重构强化学习网络参数序列数据真实环境初始化重构的监督离线学习

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炼化装置的全流程模拟方法和装置

炼化装置的全流程模拟方法和装置

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作者：吕锡贤高国栋波多野贵男 100012 北京市朝阳区北苑路170号3号楼12层1单元1501

本发明提供一种炼化装置的全流程模拟方法和装置，炼化装置的全流程模拟方法包括以下步骤：物料表征步骤，对炼化装置的全流程的上下游所有装置进行真实组分和虚拟组分的组合表征；统一计算步骤，对物料表征步骤中表征的物理性质和热力... 详细信息

标准号: CN115798614A

本发明提供一种炼化装置的全流程模拟方法和装置，炼化装置的全流程模拟方法包括以下步骤：物料表征步骤，对炼化装置的全流程的上下游所有装置进行真实组分和虚拟组分的组合表征；统一计算步骤，对物料表征步骤中表征的物理性质和热力学性质进行热力学和动力学计算；反应器计算步骤，参照统一计算步骤中获得的计算结果，根据不同反应器装置的反应机理，使用各反应关联方程进行反应器计算。根据本发明，有效解决无法模拟反应器模型和模拟结果不准确的问题，实现质量稳定、模拟准确、节约成本。

关键词：炼化装置全流程反应器计算表征步骤计算步骤动力学计算反应器装置方法和装置模拟反应器模型和模拟热力学性质反应机理关联方程物理性质有效解决质量稳定组合表征热力学虚拟统一节约

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用于NLP任务的语言模型构建方法、装置、设备及介质

用于NLP任务的语言模型构建方法、装置、设备及介质

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作者：于凤英王健宗 518000 广东省深圳市福田区福田街道福安社区益田路5033号平安金融中心23楼

本申请涉及人工智能技术领域，揭示了一种用于NLP任务的语言模型构建方法、装置、设备及介质，其中方法包括：获取目标领域的目标词向量生成模型的第一词典，目标词向量生成模型是基于Word2vec训练得到的模型；获取初始语言模型的第二... 详细信息

标准号: CN113204961B

本申请涉及人工智能技术领域，揭示了一种用于NLP任务的语言模型构建方法、装置、设备及介质，其中方法包括：获取目标领域的目标词向量生成模型的第一词典，目标词向量生成模型是基于Word2vec训练得到的模型；获取初始语言模型的第二词典，初始语言模型为采用不限领域的样本数据训练得到的Bert模型；根据第一词典和第二词典进行交集获取得到目标词典交集数据；采用最小二乘法对目标词典交集数据进行拟合无约束线性变换得到模拟矩阵向量；根据初始语言模型、目标词向量生成模型和模拟矩阵向量进行语言模型构建得到目标领域对应的目标语言模型。实现进行结构更改之后可以处理目标领域的NLP任务，减少了硬件代价，减少了需要花费的时间。

关键词：初始语言模型交集向量生成目标词语言模型构建目标语言模型人工智能技术模型和模拟最小二乘法处理目标获取目标结构更改矩阵向量模拟矩阵目标领域线性变换样本数据硬件代价无约束拟合向量申请

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