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作者：姚成刘刚屈路钱海汪鹏王铠胡上茂廖民传胡泰山刘浩梅琪高德民魏琨选陈龙 510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

本申请提供了一种模型电容器及其加工方法、介质损耗角正切的测试方法，该模型电容器基于模型电容元件制造而成，每个模型电容元件中由第二金属层进行发热，再利用面积较大的第一金属层进行导热，由于第二金属层是由相互短接的第一金属... 详细信息

标准号: CN117352301A

本申请提供了一种模型电容器及其加工方法、介质损耗角正切的测试方法，该模型电容器基于模型电容元件制造而成，每个模型电容元件中由第二金属层进行发热，再利用面积较大的第一金属层进行导热，由于第二金属层是由相互短接的第一金属箔和第二金属箔组成的，其呈现阻性，利用第二金属层的热效应模拟待测电容器的介质损耗产生的热量，再结合模拟电容器和待测电容器具有相同的电容元件数量、相同的封装方式，使得可以根据模型电容器的功率来精准确定待测电容器的介质损耗大小。该模型电容器可用在基于热等效原理进行介质损耗角正切的试验中，可以避免电桥测试时试验回路对检测结果的影响，提高了检测精确度。

关键词：模型电容器待测电容器第二金属层电容元件介质损耗角正切介质损耗金属箔热效应导热第一金属层模拟电容器测试等效原理封装方式检测结果试验回路再利用电桥短接可用阻性发热检测试验申请加工制造

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测试电桥的校准方法、装置、计算机设备和存储介质

测试电桥的校准方法、装置、计算机设备和存储介质

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作者：姚成刘刚胡上茂喇元罗炜汪鹏王铠廖民传屈路胡泰山刘浩陈龙梅琪高德民魏琨选 510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

本申请提供了一种测试电桥的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。该校准方法包括：选取至少两个电容不同的实际电容器作为待测电容器；对于任意一个待测电容器，利用待测电容器对应的模型电容器对待测电容器进行测试，得到第一介质... 详细信息

标准号: CN117347938A

本申请提供了一种测试电桥的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。该校准方法包括：选取至少两个电容不同的实际电容器作为待测电容器；对于任意一个待测电容器，利用待测电容器对应的模型电容器对待测电容器进行测试，得到第一介质损耗角正切；模型电容器为电阻性，且在表面平均温度相同时，模型电容器的功率与对应的待测电容器的介质损耗相匹配；利用测试电桥对待测电容器进行测试，得到第二介质损耗角正切；根据各待测电容器对应的第一介质损耗角正切和第二介质损耗角正切进行线性拟合，并根据线性拟合的结果，得到补偿值。通过该补偿值，可以不改变测试电桥的电路结构并对测试电桥的测试结果进行校准，消除测试电桥中回路电阻的影响。