检索结果-内蒙古大学图书馆

电信快报（网络与通信） 2017年第8期 10-14页

作者：杨波中兴通讯股份有限公司上海市201203

基于多模干涉耦合器光波导结构提出一种新型模式耦合器。该模式耦合器在对下行光信号分束的同时,实现对上行光信号的低损合束。文中研究该模式耦合器针对GPON(吉比特无源光网络)、XGPON(10千兆比特无源光网络)、EPON(以太网无源光网络)... 详细信息

基于多模干涉耦合器光波导结构提出一种新型模式耦合器。该模式耦合器在对下行光信号分束的同时,实现对上行光信号的低损合束。文中研究该模式耦合器针对GPON(吉比特无源光网络)、XGPON(10千兆比特无源光网络)、EPON(以太网无源光网络)和10G-EPON等无源光网络应用的光损耗特性。研究结果显示,该模式耦合器能有效降低无源光网络的上行光链路损耗,提高系统光功率预算。在此基础上,文中还提出基于该模式耦合器的PON OLT(光线路终端)光模块实施方案以及基于该模式耦合器的长距大分光比PON的网络架构。

关键词：无源光网络模式耦合器 OLT光模块长距PON

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基于新型模式耦合器的长距PON网络

基于新型模式耦合器的长距PON网络

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上海市通信学会第十六届学术年会

作者：杨波中兴通讯股份有限公司

本文基于多模千涉耦合器光波导结构提出了一种新型模式耦合器,该模式耦合器在对下行光信号分束的同时,实现对上行光信号的低损合束。文中研究了该模式耦合器针对GPON,XG-PON,EPON和10G-EPON等无源光网络应用的光损耗特性。研究结果显示... 详细信息

本文基于多模千涉耦合器光波导结构提出了一种新型模式耦合器,该模式耦合器在对下行光信号分束的同时,实现对上行光信号的低损合束。文中研究了该模式耦合器针对GPON,XG-PON,EPON和10G-EPON等无源光网络应用的光损耗特性。研究结果显示,该模式耦合器能有效的降低无源光网络的上行光链路损耗,提高了系统光功率预算。在此基础上,文中还提出了基于该模式耦合器的PON OLT光模块实施方案以及基于该模式耦合器的长距大分光比PON的网络架构。与现有技术相比,本文研究成果不需要额外的光分路器与WDM器件,器件尺寸和复杂度能够大幅度减小,更具大规模应用潜力。

关键词：无源光网络模式耦合器 OLT光模块长距PON

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一种双波导绝热模式耦合器的设计方法

一种双波导绝热模式耦合器的设计方法

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作者：荣巍巍梁图禄许一娴 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

本发明公开了一种双波导绝热模式耦合器的设计方法，双波导绝热模式耦合器为弯曲波导结构，由沿光束传播方向的若干斜线段连接而成，设计时利用局部模式耦合系数κ12＝0对每一段的长度选择一个合适的倾斜角度，然后将各个斜线段拼接在... 详细信息

标准号: CN114488405B

本发明公开了一种双波导绝热模式耦合器的设计方法，双波导绝热模式耦合器为弯曲波导结构，由沿光束传播方向的若干斜线段连接而成，设计时利用局部模式耦合系数κ₁₂＝0对每一段的长度选择一个合适的倾斜角度，然后将各个斜线段拼接在一起形成完整的器件，相较于直线连接初始端和末端的双波导绝热模式耦合器，缩短了器件的长度，且设计方法简单。这种紧凑的绝热模式耦合器可作为光子集成回路系统的关键组件。

关键词：模式耦合器绝热波导斜线段光子集成回路长度选择关键组件光束传播局部模式弯曲波导直线连接耦合系数初始端拼接紧凑

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一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法

一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法

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作者：梁图禄荣巍巍 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

本发明公开了一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法，属于耦合器技术领域；其技术方案为：超紧凑绝热模式耦合器的设计方法包括以下步骤：步骤1：绝热模式耦合器的分段：耦合器分为C和D两部分，由于结构的对称性，只考虑C部分，将C部分分... 详细信息

标准号: CN114167545B

本发明公开了一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法，属于耦合器技术领域；其技术方案为：超紧凑绝热模式耦合器的设计方法包括以下步骤：步骤1：绝热模式耦合器的分段：耦合器分为C和D两部分，由于结构的对称性，只考虑C部分，将C部分分为15个不同的片段进行仿真；步骤2：确定每个片段的长度；步骤3：使用步骤2中得到的传播长度L构造各自的区域，然后将所有片段拼接在一起形成完整的波导形状；步骤4：扫描总长度，以获得完整绝热模式耦合器的传输曲线；步骤5：根据应用需求，选择要使用的器件长度。本发明的有益效果是：本发明实现一个波导中光束功率部分或完全耦合到另一个波导，其结构简单、尺寸小、带宽大、易加工。

关键词：模式耦合器绝热波导紧凑耦合器技术波导形状传输曲线光束功率片段拼接应用需求易加工耦合到耦合器分段扫描传播

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一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法

一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法

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作者：梁图禄荣巍巍 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

标准号: CN114167545A

关键词：模式耦合器绝热波导紧凑耦合器技术波导形状传输曲线光束功率片段拼接应用需求易加工耦合到耦合器分段扫描传播

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一种双波导绝热模式耦合器的设计方法

一种双波导绝热模式耦合器的设计方法

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作者：荣巍巍梁图禄许一娴 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

标准号: CN114488405A

关键词：模式耦合器绝热波导斜线段光子集成回路长度选择关键组件光束传播局部模式弯曲波导直线连接耦合系数初始端拼接紧凑

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一种绝热模式耦合器的数值设计方法

一种绝热模式耦合器的数值设计方法

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作者：梁图禄荣巍巍吴钢雄 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

本发明公开了一种绝热模式耦合器的数值设计方法，包括对绝热模式耦合器沿光束模式传播方向进行非均匀分段，在模式变化较为敏感的区域做细致分段，而对于距离细微结构较远的区域，由于模式的变化较为平缓，无需采用过度细密的分段，这... 详细信息

标准号: CN114114681B

本发明公开了一种绝热模式耦合器的数值设计方法，包括对绝热模式耦合器沿光束模式传播方向进行非均匀分段，在模式变化较为敏感的区域做细致分段，而对于距离细微结构较远的区域，由于模式的变化较为平缓，无需采用过度细密的分段，这样既达到了细致描述局部细微结构的目的，又使计算量保持在适当的范围内，不仅节省了计算内存，也加快了仿真设计的速度。并且，对每一片段都选择一个相同的损耗约束值，以数值化的方式实现小尺寸、易加工、大带宽、结构简单的绝热模式耦合器。

关键词：模式耦合器绝热分段细微结构传播方向仿真设计光束模式模式变化数值设计大带宽非均匀计算量数值化易加工内存敏感

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一种特定光纤模式耦合器的制作方法

一种特定光纤模式耦合器的制作方法

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作者：周勇王安廷顾春许立新明海 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

本发明公开了一种特定光纤模式耦合器的制作方法，该方法采用的装置结构包括：单波长光源(101)、单模光纤(102)、少模光纤(103)、光纤夹持拉伸系统(104)、氢氧焰(105)、光纤准直器(106)、电荷耦合照相机(107)和功率计(108)。本发明可以... 详细信息

标准号: CN105068187A

本发明公开了一种特定光纤模式耦合器的制作方法，该方法采用的装置结构包括：单波长光源(101)、单模光纤(102)、少模光纤(103)、光纤夹持拉伸系统(104)、氢氧焰(105)、光纤准直器(106)、电荷耦合照相机(107)和功率计(108)。本发明可以制作的耦合器可以实现光从基模到一阶模式的高纯度耦合，利用制作的耦合器在轴对称矢量光束产生、模分复用方面具有很强的应用性。该发明耦合模式纯净，耦合损耗小，装置结构简单，调节方便。

关键词：装置结构耦合耦合器单波长光源光纤准直器模式耦合器单模光纤电荷耦合光纤夹持拉伸系统少模光纤矢量光束特定光纤耦合损耗高纯度功率计氢氧焰轴对称复用基模一阶一种制作照相机纯净应用公开产生

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一种3dB绝热模式耦合器

一种3dB绝热模式耦合器

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作者：梁图禄荣巍巍肖子晔张钊李楠 226000 江苏省南通市崇川区永福路79号1幢南通大学技术转移研究院

本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种3dB绝热模式耦合器。本发明包括包层、第一硅芯及第二硅芯；第一硅芯、第二硅芯四周均设置包层；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的第一输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导... 详细信息

标准号: CN117555072A

本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种3dB绝热模式耦合器。本发明包括包层、第一硅芯及第二硅芯；第一硅芯、第二硅芯四周均设置包层；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的第一输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导及第一输出端；第二硅芯包括依次连接的第二输入端、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导、第十一绝热锥形波导、第十二绝热锥形波导、第十三绝热锥形波导、第十四绝热锥形波导、第十五绝热锥形波导、第十六绝热锥形波导及第二输出端。本发明实现光子集成芯片中更高集成度的设计目标。

关键词：绝热锥形波导硅芯依次连接输出端输入端包层光电子技术领域光子集成芯片模式耦合器高集成度光束传播设计目标

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一种绝热模式耦合器

一种绝热模式耦合器

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作者：荣巍巍梁图禄廖上桂李明娜 226000 江苏省南通市崇川区永福路79号1幢南通大学技术转移研究院

本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层，硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基；平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基；包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层... 详细信息

标准号: CN116794768A

本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层，硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基；平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基；包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层；硅衬底连接二氧化硅下包层；二氧化硅下包层连接平板硅；平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题，本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。

关键词：二氧化硅下包层模式耦合器绝热硅基硅衬底上包层包层硅芯光电子技术领域传输效率连接平板支撑作用集成度上端易加工

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