检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

-

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

1 篇 学位论文

馆藏范围

1 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 模拟前端校准方案
1 篇 低噪声比较器
1 篇 分段电容阵列
1 篇 逐次逼近型模数转...
1 篇 冗余

机构

1 篇 电子科技大学

作者

1 篇 雷鹏

语言

1 篇 中文

检索条件"主题词=模拟前端校准方案"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

高精度逐次逼近型模数转换器关键性技术研究与设计

高精度逐次逼近型模数转换器关键性技术研究与设计

引用

作者：雷鹏电子科技大学

学位级别：硕士

随着近年来国内外电子集成电路的高速发展,数据采集系统朝着更快速、更精确的方向靠拢。逐次逼近型模数转换器（Successive-Approximation-Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC）具有结构简单等优势成为ADC领域研究热门之一... 详细信息

随着近年来国内外电子集成电路的高速发展,数据采集系统朝着更快速、更精确的方向靠拢。逐次逼近型模数转换器（Successive-Approximation-Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC）具有结构简单等优势成为ADC领域研究热门之一。本论文设计出一款16位、1MSPS（Samples per Second）的SAR ADC,论文主要贡献如下:一.本论文基于电容的电荷守恒概念,总结出适用于高精度分段电容阵列的电荷守恒式分析方法,较于传统串并联分析方法可以对三段电容阵列进行快速设计;采用整数桥接电容将电容阵列划分为三段子电容阵列,在满足电容阵列之间的二次性之外降低电容阵列的面积并且更有利于桥接电容与单位电容之间的匹配;接着,电容阵列加入冗余电容以及末位重复单位电容增强SAR ADC的容错能力并且降低噪声的影响。二.本论文分析MSB（Most Significant Bit）电容阵列电容失配对SAR ADC的影响,基于统计学提出排序重构方案降低MSB电容阵列电容失配的影响。利用MATLAB工具对本次设计的SAR ADC进行建模并对提出的排序重构方案进行验证,在单位电容失配标准差σ=0.2%条件下的1000次蒙特卡洛仿真结果显示排序重构方案校准前无杂散动态范围（Spurious Free Dynamic Range,SFDR）平均值为83.8d B且信噪失真比（Signal to Noise and Distortion Ratio,SNDR）平均值为77.8d B,排序重构方案校准后SFDR平均值为104.2d B且SNDR平均值为74.0d B,因此采用排序重构方案使得SFDR提升20.4d B且SNDR提升16.4d B,DNL（Differential Non-linearity）提升0.94LSB（Least Significant Bit）且INL（Integral Non-linearity）提升21.07LSB,通过Matlab的仿真结果展示排序重构校准方案的可行性。三.本论文分析桥接电容附近寄生电容以及低段位电容阵列寄生电容对SAR ADC线性度的影响,提出通过添加校准电容阵列使得低电容阵列的实际等效权重逼近其理想权重的浮空节点校准方案降低寄生电容的影响。利用MATLAB对浮空节点校准方案进行验证,在单位电容失配标准差σ=0.2%条件下的1000次蒙特卡洛仿真结果显示浮空节点校准方案校准前SFDR均值为87.9d B,SNDR均值为71.21d B且浮空节点校准方案校准后SFDR均值为112.8d B,SNDR均值为96.2d B,因此采用浮空节点校准方案使得SFDR均值提升24.9d B且SNDR均值提升25.0d B,DNL提升0.11LSB且INL提升7.74LSB;综上所述,1000次蒙特卡洛仿真结果显示同时采用排序重构方案以及浮空节点重构方案校准前SFDR均值为83.6d B,SNDR均值为73.9d B且未采用两种校准方案后SFDR均值为104.5d B,SNDR均值为89.3d B,因此采用这两种校准方案使得SFDR均值提升20.9d B且SNDR均值提升19.0d B,DNL提升1.21LSB且INL提升24.79LSB,通过Matlab的仿真结果表示两种校准方案的可行性。接着在Cadence平台对电路进行电路搭建、仿真与验证。考虑到SAR ADC噪声、精度、速度等因素,本设计采用四级前置放大电路加动态锁存电路设计出一款高精度低噪声比较器,其失调电压标准差为1.87mV且等效输入噪声电压为28mV。接着,在180nm的工艺下对设计的SAR ADC进行PVT（Process,Voltage,Temperature）前仿真,根据PVT前仿真结果可得该SAR ADC的SNDR均在95d B以上且SFDR均在103d B以上,通过仿真求得1000个转换周期内的平均电流为8.1m A,DC综合出的数字电路功耗1.6m W可得前仿真总体功耗为42.1m W。最后,版图面积为4200×2300mm2,提取寄生参数并进行后仿真,采用浮空节点校准方案在1MS/s的采样频率下,其后仿SNDR结果为92.83d B且后仿SFDR达到109.64d B。较于未采用浮空节点校准方案的后仿真结果,其SNDR提升14.77d B且SFDR提升14.33d B。对采用浮空节点校准之后的SAR ADC进行PVT后仿真验证,其SFDR均在104d B以上且SNDR均在92d B以上。对于采用浮空节点校准方案的SAR ADC加入瞬态噪声并进行PVT后仿真,其仿真结果表示其SFDR均在104d B以上且SNDR均在92d B以上。整体SAR ADC后仿真功耗为43.2m W,数字电路D

关键词：逐次逼近型模数转换器分段电容阵列冗余低噪声比较器模拟前端校准方案

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

共1页 << < 1 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：