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作者

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语言

  • 283 篇 中文
检索条件"主题词=模拟集成电路设计"
283 条 记 录,以下是101-110 订阅
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一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路
一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路
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作者: 谢祖帅 王燕燕 周全才 王子轩 蔡志匡 郭静静 刘璐 郭宇锋 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路,涉及模拟集成电路设计技术领域,包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路,工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工... 详细信息
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一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法
一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法
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作者: 王巍 丁立 樊琦 赵汝法 袁军 霍军 黎淼 张祯 404100 重庆市涪陵区鹤滨路22号
本发明请求保护一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法,属于模拟集成电路设计技术领域。是一种差分电容阵列的开关逻辑的设计方法。本方法可以让电容阵列在每次判决中接入使用最少的电容,从而引入最少的失配等非理想因素。... 详细信息
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一种基于电荷重分配的低功耗欠压保护电路
一种基于电荷重分配的低功耗欠压保护电路
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作者: 李泽宏 李勇 苏明明 陈雨佳 张仁辉 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
本发明属于模拟集成电路设计领域,具体涉及一种基于电荷重分配的低功耗欠压保护电路。包含时钟控制电路、电荷重分配电路、锁存器电路。时钟控制电路产生欠压保护电路需要的时钟信号,电荷重分配电路受到Timer定时器输出信号、EN使能... 详细信息
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一种具有高电源抑制比的偏置电路
一种具有高电源抑制比的偏置电路
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作者: 周泽坤 李颂 孙汉萍 张家豪 石跃 张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
一种具有高电源抑制比的偏置电路,属于模拟集成电路设计领域。利用基准电压减去两个BE结压降产生一个与绝对温度成正比的电压,再通过电阻R1产生与绝对温度成正比的电流,产生的电流受电压影响较小,通过第一PNP型三极管QP1和第三NPN... 详细信息
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模数转换器、读出电路、图像传感器及模数转换方法
模数转换器、读出电路、图像传感器及模数转换方法
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作者: 王冬臣 任冠京 汤黎明 200120 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
本申请适用于模拟集成电路设计领域,提供了一种模数转换器、读出电路、图像传感器及模数转换方法。模数转换器中的第一斜坡发生模块用于提供第一斜坡信号。像素信号量化模块用于根据第一斜坡信号以p分辨率对像素信号进行量化,生成第... 详细信息
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宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器
宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器
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作者: 方华军 赵晓 王敬 梁仁荣 许军 100084 北京市海淀区100084-82信箱
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器。包括由四个PMOS管组成的分流输入级,将输入电压信号转换成四路小信号电流、放大回收电流的中间级由两个低压电流镜组成,实现对回收电流的放大作... 详细信息
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基于MOS器件的低功耗带宽倍增斩波稳定运算放大器
基于MOS器件的低功耗带宽倍增斩波稳定运算放大器
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作者: 方华军 赵晓 梁仁荣 王敬 许军 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种基于MOS器件的低功耗带宽倍增斩波稳定运算放大器。包括两个混频器、分流输入级、放大回收电流的中间级和轨到轨输出级;其中一个混频器置于放大器输入级之前,另一个混频器置于放大器输出... 详细信息
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跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器
跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器
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作者: 方华军 赵晓 梁仁荣 许军 王敬 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器。包括跨导增强的输入级、放大回收电流的中间级和轨到轨输出级;所述跨导增强的输入级由分流的四个PMOS管和两对构成负阻增强跨导的四个PMOS管... 详细信息
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宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器
宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器
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作者: 方华军 赵晓 王敬 梁仁荣 许军 100084 北京市海淀区100084-82信箱
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器。包括由四个PMOS管组成的分流输入级,将输入电压信号转换成四路小信号电流、放大回收电流的中间级由两个低压电流镜组成,实现对回收电流的放大作... 详细信息
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伪电阻电路
伪电阻电路
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作者: 张雷 韩明时 100084 北京市海淀区清华园1号
本公开实施例提供的一种伪电阻电路,属于模拟集成电路设计领域。该伪电阻电路包括:串联连接的晶体管M1和晶体管M2,晶体管M1和晶体管M2均为PMOS管,晶体管M1和晶体管M2的栅极相连并接入晶体管M1与晶体管M2的串联连接点;以及可随温度... 详细信息
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