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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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235 篇 专利
34 篇 期刊文献
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31 篇 工学
- 27 篇 电子科学与技术（可...
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- 1 篇 电气工程
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14 篇 教育学
- 14 篇 教育学
5 篇 经济学
- 5 篇 应用经济学
1 篇 法学
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主题

48 篇 模拟集成电路设计
3 篇 运算放大器
3 篇 带隙基准源
3 篇 教学改革
2 篇 电路仿真
2 篇 温度系数
2 篇 电源抑制比
2 篇 模拟电路
2 篇 cmos集成电路
2 篇 设计方法
2 篇 电流反馈运算放大...
2 篇 教学内容
2 篇 微电子
2 篇 案例教学
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43 篇 清华大学
33 篇 电子科技大学
10 篇 复旦大学
8 篇 中国科学院微电子...
6 篇 无锡中科微电子工...
6 篇 厦门理工学院
4 篇 烽火通信科技股份...
4 篇 西安电子科技大学
4 篇 恪纳腾技术公司
3 篇 重庆中易智芯科技...
3 篇 重庆邮电大学
3 篇 杭州电子科技大学
2 篇 华中科技大学
2 篇 上海赛鹰微电子有...
2 篇 河南科技大学
2 篇 上海南芯半导体科...
2 篇 西安交通大学
2 篇 成都铭科思微电子...
2 篇 中芯国际集成电路...

作者

59 篇 高静
58 篇 徐江涛
43 篇 史再峰
36 篇 聂凯明
22 篇 姚素英
18 篇 王敬
18 篇 方华军
18 篇 赵晓
18 篇 许军
18 篇 梁仁荣
14 篇 高志远
12 篇 李靖
11 篇 于奇
11 篇 宁宁
10 篇 王志华
10 篇 朱昆昆
9 篇 张春
9 篇 李泽宏
8 篇 张波
8 篇 石跃

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283 篇 中文

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一种低温漂的电源电压产生电路

一种低温漂的电源电压产生电路

引用

作者：周泽坤孙汉萍李颂张家豪石跃张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种低温漂的电源电压产生电路，属于模拟集成电路设计领域。本发明将基准电压VREF作为第一三极管Q1的基极输入，在第一三极管Q1的发射极上利用电阻压降和BE结电压之和等效输入的基准电压VREF，通过第一三极管Q1和第一电阻R1与第七三极... 详细信息

标准号: CN107515639A

一种低温漂的电源电压产生电路，属于模拟集成电路设计领域。本发明将基准电压VREF作为第一三极管Q1的基极输入，在第一三极管Q1的发射极上利用电阻压降和BE结电压之和等效输入的基准电压V_REF，通过第一三极管Q1和第一电阻R1与第七三极管Q7和第二电阻R2进行电平位移得到两倍的近似零温漂的基准电压2V_REF作为电源电压输出；通过第二三极管Q2、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第十二三极管Q12、第十三三极管Q13和第十四三极管Q14形成的两级互补共集电路结构增大了电源电压的负载能力，且占用芯片面积小，降低了生产成本。

关键词：三极管基准电压电源电压电阻电源电压产生电路模拟集成电路设计等效输入电平位移电阻压降负载能力共集电路基极输入低温漂发射极两级温漂生产成本近似芯片占用输出

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二极管型红外阵列传感器像素级校准结构

二极管型红外阵列传感器像素级校准结构

引用

作者：赵毅强赵公元胡凯夏显召辛睿山 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路领域，为实现减少探测器非均匀现象制约输出信号动态范围，提高成像系统信噪比。本发明采用的技术方案是，二极管型红外阵列传感器像素级校准结构，包含校准电流源阵列，所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成... 详细信息

标准号: CN106500845A

本发明涉及模拟集成电路领域，为实现减少探测器非均匀现象制约输出信号动态范围，提高成像系统信噪比。本发明采用的技术方案是，二极管型红外阵列传感器像素级校准结构，包含校准电流源阵列，所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成，每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流，并且独立调节电流大小，依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节，从而改变像素单元中二极管偏置点，实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。

关键词：校准电流源二极管电流舵DAC 偏置电流模拟集成电路设计红外阵列传感器模拟集成电路成像系统电流舵型独立调节二极管型工艺偏差输出信号像素单元像素提供校准结构非均匀工作点偏置点像素级信噪比校准探测器像素制约应用制造

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提高图像传感器模拟域累加器累加效果的装置和方法

提高图像传感器模拟域累加器累加效果的装置和方法

引用

作者：姚素英夏雨徐江涛聂凯明史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为大幅度增加高级数模拟域CMOS‑TDI图像传感器的等效累加级数及信噪比提升幅度。为此，本发明采用的技术方案是，提高图像传感器模拟域累加器累加效果的方法，利用n行×m列的像素阵列、两步式模拟... 详细信息

标准号: CN104219469B

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为大幅度增加高级数模拟域CMOS‑TDI图像传感器的等效累加级数及信噪比提升幅度。为此，本发明采用的技术方案是，提高图像传感器模拟域累加器累加效果的方法，利用n行×m列的像素阵列、两步式模拟域累加器、列并行ADC、水平移位寄存器实现，采用欠采样率为(n‑1)/n的逆序滚筒式曝光，具体实现为在一个渡越时间内从第n行像素到第2行像素逐次开始曝光，在下一个渡越时间开始时，第1行像素接着曝光，然后，再从第n行像素开始曝光，这样在一个渡越时间内n行像素会输出(n‑1)个数据。本发明主要应用于模拟集成电路设计、图像传感器设计。

关键词：行像素模拟域模拟集成电路设计曝光图像传感器累加累加器水平移位寄存器像素阵列并行ADC 滚筒式两步式欠采样信噪比逆序输出应用

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一种具有高增益特性的推挽放大器

一种具有高增益特性的推挽放大器

引用

作者：周泽坤张家豪曹建文汪尧石跃王卓张波 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级... 详细信息

标准号: CN107196612A

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体的说是涉及一种具有高增益特性的推挽放大器。本发明的电路将第一级出来的信号拆分开来，下拉电流由共源级NMOS管替代PMOS follower，上拉电流由共源级NMOS输出接NPN管的follower提供，形成输出级。同时，加入RZ和CC分离主极点和输出极点，通过将输出极点推向高频来实现高带宽。第一级通过折叠式Cascode提供高输出阻抗以形成主极点。本发明的有益效果是：本发明的放大器实现了高增益，高带宽，高SR，解决了传统功率放大电路无法兼顾电流增益和电压增益的问题。

关键词：输出极点第一级高带宽高增益共源级主极点模拟集成电路设计放大器实现高输出阻抗推挽放大器传统功率电流增益电压增益放大电路下拉电流输出级折叠式上拉电路输出替代

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测量脉搏和血氧饱和度的电路系统

测量脉搏和血氧饱和度的电路系统

引用

作者：陈力颖任洪宇王焱胡雄伟 300387 天津市西青区宾水西道399号

本发明公开了一种测量脉搏和血氧饱和度的电路系统，涉及模拟集成电路设计领域，该电路系统包括：前置差分放大电路、抑制基漂电路、低通滤波电路、高通滤波电路、二级交流放大电路及电源管理模块。本发明采用反射式血氧传感器探头进行... 详细信息

标准号: CN106343971A

本发明公开了一种测量脉搏和血氧饱和度的电路系统，涉及模拟集成电路设计领域，该电路系统包括：前置差分放大电路、抑制基漂电路、低通滤波电路、高通滤波电路、二级交流放大电路及电源管理模块。本发明采用反射式血氧传感器探头进行脉搏血氧信号的采集，把采集到的生理信号送入研究的电路系统进行处理。利用UMC‑18‑CMOS 1P6M的工艺设计运放，然后搭建放大、滤波电路，以实现对所采集到的脉搏血氧信号的放大滤波，最后得到脉搏波的直流量和交流量。同时减少了信号损失、占用空间，增加了可靠性和稳定性。

关键词：电路系统脉搏血氧信号采集模拟集成电路设计差分放大电路低通滤波电路电源管理模块高通滤波电路交流放大电路血氧饱和度血氧传感器测量脉搏放大滤波工艺设计滤波电路生理信号信号损失占用空间反射式交流量脉搏波抑制基直流量探头前置运放送入电路放大研究

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一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源

一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源

引用

作者：彭晓宏曲杨耿淑琴王岢代田慧王宇辰 100124 北京市朝阳区平乐园100号

一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源，涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题，提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路；独立电流源电路用于产生与... 详细信息

标准号: CN106125811B

一种超低温漂高电源抑制比带隙基准电压源，涉及模拟集成电路设计领域。本发明主要针对现有基准源温漂和电源抑制比问题，提出了综合解决办法。其包括独立电流源电路、偏置电路、带隙核心电路和PSRR增强支路；独立电流源电路用于产生与电源电压基本无关的电流供电，偏置电路产生用于带隙核心电路中运放的偏置电压，带隙核心电路利用温度补偿得到基准电压，电源抑制比增强支路提供带隙核心电路的栅极偏置电压提高电源抑制比。本发明得到的有益效果是：大大降低了带隙基准的温度系数，提高了电源抑制比。适用于射频识别电源管理模块。

关键词：带隙核心电路电源抑制比独立电流源支路偏置电路电路模拟集成电路设计带隙基准电压源电源管理模块栅极偏置电压超低温漂带隙基准电源电压基准电压偏置电压射频识别温度补偿温度系数高电源基准源抑制比温漂运放供电

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一种宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路

一种宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路

引用

作者：许育森吴边 518000 广东省深圳市南山区南海大道花园城数码大厦B座402

本发明涉及模拟集成电路设计领域，具体是指一种具有宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路，该自偏置结构在高电源电压下，可有效减小偏置点Vx和Vy的电压差异，提高匹配精度，进而提高输出基准电压的精度。同时，本发明自偏... 详细信息

标准号: CN105116954B

本发明涉及模拟集成电路设计领域，具体是指一种具有宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路，该自偏置结构在高电源电压下，可有效减小偏置点Vx和Vy的电压差异，提高匹配精度，进而提高输出基准电压的精度。同时，本发明自偏置电路结构并没有采用运放，结构简单，降低了功耗，解决了在薄栅氧高压器件的应用，消除了运放输出电压特别的钳压控制，以防止在薄栅氧高压下对高压MOS管栅极的击穿，并且由于本发明输入电压Vdd的最小值为MOS管的阈值电压之和，Vdd的最大值与MOS管的Vds耐压值有关，这个可以是很高的数值，因此本发明可以在很宽的输入电压范围内工作。

关键词：输入电压薄栅氧自偏置运放模拟集成电路设计带隙基准电路输出基准电压高电源电压宽输入电压自偏置电路高压MOS管电压差异高压器件输出电压阈值电压偏置点功耗击穿减小耐压钳压匹配输出应用

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电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器

电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器

引用

作者：姚素英于长伟聂凯明徐江涛高静 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为降低电荷域累加方案中对电荷传输效率和满阱容量的要求，也降低模拟域累加方案对速度的要求，同时优于单独使用模拟累加方案。本发明采用的技术方案是，电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器，由... 详细信息

标准号: CN107046627A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为降低电荷域累加方案中对电荷传输效率和满阱容量的要求，也降低模拟域累加方案对速度的要求，同时优于单独使用模拟累加方案。本发明采用的技术方案是，电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器，由像素阵列、电荷域累加器、模拟域累加器阵列、ADC阵列、移位寄存器、时序控制模块构成，像素阵列大小为L列N行，电荷域累加器共有M级，模拟域累加器阵列为K级，其中N＝M×K；电荷域累加器是使用CMOS工艺完成CCD功能，即让电荷在相邻势阱中转移，模拟域累加器阵列为电容累加方式；先电荷域累加后将信号送到模拟累加器中进行第二次累加后形成最终输出。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：电荷域累加器累加模拟域模拟集成电路设计像素阵列电荷传输效率时序控制模块累加器阵列移位寄存器单独使用累加方式电荷电容势阱输出应用子像素阵列累加像素读出存储采样电容像素阵列电容累加器捕捉曝光图像传感器参考电压存储电容复位信号两端电压像素信号采样复位运放电荷输出积分电路曝光结果信号使能移动物体闭合电荷域关断使能寄存器阵列电荷信号读出存储读出电路累加结果输出信号像素存储像素组成信号读取信号累加次像素混合域模拟域电路量化送入拍摄

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带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC

带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC

引用

作者：徐江涛徐爽韩立镪高静史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器... 详细信息

标准号: CN106921838A

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器，计数器，电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF，像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板，电容C3的下极板接地，电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端；并且，比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接，比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。

关键词：电容比较器反相输入端锁存器下极板计数器输出端连接同相输入端斜坡信号上极板输入端参考电压像素输出接地输出电容比较器模拟集成电路设计微电子学同相输入端下极板反相输入端计数器读出电路像素输出斜坡信号接地低噪声上极板锁存器单斜输出应用

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高行频CMOS‑TDI图像传感器

高行频CMOS‑TDI图像传感器

引用

作者：聂凯明姚素英徐江涛高志远史再峰高静 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS‑TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS‑TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放... 详细信息

标准号: CN104219468B

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS‑TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS‑TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放大器、容值相同积分电容C1和C2、失调电压消除电容C3、开关S1～S10组成；光电二极管的阳极连接到0伏特地线上，光电二极管的阴极连接到开关S9的一端，开关S9的另一端连接到参考电压Vref上；前述像素级联，最后像素N的输出端通过Read读出开关连接到列并行ADC上。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：光电二极管模拟集成电路设计像素行频阴极运算放大器参考电压积分电容开关连接失调电压阳极连接一端连接并行ADC 电容输出端像素级地线读出应用

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