检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：徐江涛徐文静姚素英高静史再峰聂凯明高岑 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种结构简单、转换周期短的ADC结构，达到提高传感器动态范围的目的，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器中列级ADC的实现装置，包括：单斜模数转换器、逐次逼近模数转换器、两个斜坡信号... 详细信息

标准号: CN102611854A

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种结构简单、转换周期短的ADC结构，达到提高传感器动态范围的目的，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器中列级ADC的实现装置，包括：单斜模数转换器、逐次逼近模数转换器、两个斜坡信号发生器；单斜模数转换器、逐次逼近模数转换器和一组6个开关组成一个单元，传感器像素阵列中每列设置有一个前述单元；两个斜坡信号发生器为传感器像素阵列每列共用。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。

关键词：模数转换器斜坡信号发生器像素阵列传感器模拟集成电路设计传感器动态图像传感器设计制造转换周期半导体

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高行频CMOS-TDI图像传感器

高行频CMOS-TDI图像传感器

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作者：聂凯明姚素英徐江涛高志远史再峰高静 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS-TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS-TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放... 详细信息

标准号: CN104219468A

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS-TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS-TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放大器、容值相同积分电容C1和C2、失调电压消除电容C3、开关S1～S10组成；光电二极管的阳极连接到0伏特地线上，光电二极管的阴极连接到开关S9的一端，开关S9的另一端连接到参考电压Vref上；前述像素级联，最后像素N的输出端通过Read读出开关连接到列并行ADC上。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

关键词：光电二极管像素模拟集成电路设计连接图像传感器行频阴极运算放大器阳极参考电压积分电容并行ADC 电容输出端地线级联失调电压

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基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源

基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源

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作者：高静丁英光徐江涛史再峰聂凯明 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为消除由于辐射引起的器件失配与运放输入端失调电压的影响，提高基准电压源的精度。本发明，基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源，由3个PMOS管P1，P2，P3，三个电阻R1，R2，R3，一个斩波调制开关以... 详细信息

标准号: CN107861553A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为消除由于辐射引起的器件失配与运放输入端失调电压的影响，提高基准电压源的精度。本发明，基于斩波调制技术的抗辐射基准电压源，由3个PMOS管P1，P2，P3，三个电阻R1，R2，R3，一个斩波调制开关以及一个斩波运算放大器组成；P1，P2管的栅源与地相接，P1的漏端接斩波调制开关的in1端，斩波调制开关的out1端接A点，A点接斩波运算放大器的正端，电阻R2接A点和基准电压输出Vref之间；P2管的漏端接斩波调制开关的in2端，斩波调制开关的out2端接B点，而且B点接斩波运算放大器的负端。本发明主要应用于模拟集成电路设计场合。

关键词：斩波调制斩波运算放大器模拟集成电路设计基准电压源电阻漏端基准电压失调电压抗辐射输入端负端失配运放栅源正端辐射输出应用

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带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC

带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC

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作者：徐江涛徐爽韩立镪高静史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器... 详细信息

标准号: CN106921838B

本发明涉及微电子学的模拟集成电路设计领域，为提出一种采用H‑CDS的两步单斜ADC的实现方式，满足CMOS图像传感器对读出电路的高速度，低噪声的要求。本发明采用的技术方案是，带有混合CDS的CMOS图像传感器列级ADC，包括比较器，锁存器，计数器，电容C1、C2、C3和开关SADC1、SADC2、S1、S2和SF，像素输出通过开关s1连接到电容C1、电容C3的上极板，电容C3的下极板接地，电容C1的下极板连接到比较器的同相输入端；并且，比较器的同相输入端通过开关s2与比较器的输出端相连接，比较器的反相输入端通过开关SF连接到斜坡信号。本发明主要应用于微电子学的模拟集成电路设计场合。

关键词：电容比较器模拟集成电路设计微电子学同相输入端下极板反相输入端计数器读出电路像素输出斜坡信号接地低噪声上极板锁存器单斜输出应用

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一种超高频输入信号缓冲器

一种超高频输入信号缓冲器

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作者：孙厅胡远冰罗建陈炳华靳泽熙夏华松李靖于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种超高频输入信号缓冲器，属于模拟集成电路设计领域。本发明提供了强大的输入信号驱动并提供了高质量的输入信号，包括主缓冲电路、副缓冲电路、运算放大器电路、电容耦合电路和阻抗匹配电路，副缓冲电路是主缓冲电路按比例复制缩小... 详细信息

标准号: CN108233926A

一种超高频输入信号缓冲器，属于模拟集成电路设计领域。本发明提供了强大的输入信号驱动并提供了高质量的输入信号，包括主缓冲电路、副缓冲电路、运算放大器电路、电容耦合电路和阻抗匹配电路，副缓冲电路是主缓冲电路按比例复制缩小生成，优选最小比例。本发明采用源随器和电容，将输入信号耦合到源随器的漏端，避免了短沟道器件的沟道调制效应，提高输出信号线性度；主缓冲器采用开环源随器，具有单位增益和输出阻抗低等特点，达到高带宽目的；源随器的输出共模随工艺角和温度的变化而变化，采用Replica共模反馈的方式为主缓冲器提供共模，实现缓冲器输出共模的稳定。本发明可应用于超高速时间交织ADC的输入信号缓冲器。

关键词：源随器共模缓冲器输入信号缓冲器主缓冲电路缓冲电路模拟集成电路设计超高频输出信号线性度运算放大器电路电容耦合电路沟道调制效应阻抗匹配电路时间交织ADC 短沟道器件比例复制单位增益共模反馈输出阻抗信号驱动信号耦合主缓冲器输出超高速高带宽工艺角电容开环漏端优选应用

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电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器

电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器

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作者：高静黄蕊聂凯明徐江涛 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为实现充分发挥电荷域无噪声累加，数字域累加芯片面积小、无累加上限的优点，同时又不对电荷域累加时的传输效率和满阱容量以及数字域累加时ADC的速度提出过高要求，本发明采用的技术方案是，电荷与... 详细信息

标准号: CN106454164A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为实现充分发挥电荷域无噪声累加，数字域累加芯片面积小、无累加上限的优点，同时又不对电荷域累加时的传输效率和满阱容量以及数字域累加时ADC的速度提出过高要求，本发明采用的技术方案是，电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器，由像素阵列、列并行ADC阵列、列并行数字域累加阵列、移位寄存器、时序控制模块构成，像素阵列大小为L列N行，像素阵列中N行像素分成K个子像素阵列，每个子像素阵列由M行像素和一个读出电路组成；每个子像素阵列各级之间采用电荷累加方式，K个子阵列之间采用数字累加方式，其中N＝M×K。本发明主要应用于集成电路设计。

关键词：累加像素阵列子像素阵列累加方式电荷电荷域数字域行像素模拟集成电路设计集成电路设计时序控制模块移位寄存器并行数字传输效率读出电路并行ADC 无噪声芯片应用

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低速采样保持电路低温度敏感性低漏电模拟开关

低速采样保持电路低温度敏感性低漏电模拟开关

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作者：徐江涛史晓琳聂凯明高静高志远 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关中由MOS管中PN结反偏漏电流，进而扩大S/H电路的应用范围。本发明采用的技术方案是，低速采样保持电路低温度敏感性低漏... 详细信息

标准号: CN106027009A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使S/H电路能够更好的实现采样与保持功能，提高其采样精确程度，减少模拟开关中由MOS管中PN结反偏漏电流，进而扩大S/H电路的应用范围。本发明采用的技术方案是，低速采样保持电路低温度敏感性低漏电模拟开关，由NMOS管N1～N2，PMOS管P1～P3,自举开关和运算放大器组成，NMOS管N1的漏极与输入端Vin相连，衬底连接到地线上，栅极连接到时钟clk+上；PMOS管P1的源极与NMOS管N1的漏极连接，衬底连接到电源VDD上，栅极连接到时钟clk‑上，漏极与NMOS管N1的源极连接,并设此端点为电势为Vx。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造。

关键词：漏极模拟集成电路设计模拟开关栅极连接采样衬底放大器采样保持电路温度敏感性低漏电源极连接和运算漏电流输入端地线电势反偏源极自举应用电源制造

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低功耗上电复位掉电复位电路

低功耗上电复位掉电复位电路

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作者：孙厅叶思远胡宇峰李成泽宁宁李靖于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

低功耗上电复位掉电复位电路，属于模拟集成电路设计领域。在电源电压上升过程中开关管导通，偏置电路输出端电压低，充电管电流大，快速对充电电容充电，系统快速恢复正常工作；在系统电源电压掉电后，掉电放电管导通放电，当电源掉电... 详细信息

标准号: CN107835006A

低功耗上电复位掉电复位电路，属于模拟集成电路设计领域。在电源电压上升过程中开关管导通，偏置电路输出端电压低，充电管电流大，快速对充电电容充电，系统快速恢复正常工作；在系统电源电压掉电后，掉电放电管导通放电，当电源掉电后再上升过程中，本发明的输出由低电平向高电平翻转，开关管即第二PMOS管M7导通，偏置电路输出端电压低，充电管电流大，快速对充电电容充电，产生对系统复位信号；在系统正常工作后，本发明的输出为低电平，第二PMOS管M7关断，偏置电路电阻大，偏置电路输出端电压高，偏置电路电流小，降低电路功耗，最终实现低功耗上电复位掉电复位电路。本发明工艺简单，在保持系统正常工作的同时降低了功耗。

关键词：偏置电路输出端电压掉电复位电路充电电容上电复位上升过程充电管低电平低功耗导通掉电充电模拟集成电路设计系统电源电压系统复位信号开关管导通输出电路功耗电源电压电源掉电快速恢复放电管高电平开关管翻转放电电阻功耗关断

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沛亨半导体志在成为世界级半导体供应商

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电子设计技术 2000年第9期 24-24页

沛亨半导体(Analog Integrations Corp.)在1992年成立于台湾新竹科学园区,是台湾,也是东南亚地区第一家从事模拟集成电路设计的专业公司。该公司总经理李明儒和市务总监蔡贤辉最近在香港向本刊介绍了沛亨半导体的发展蓝图。李明儒介绍说... 详细信息

沛亨半导体(Analog Integrations Corp.)在1992年成立于台湾新竹科学园区,是台湾,也是东南亚地区第一家从事模拟集成电路设计的专业公司。该公司总经理李明儒和市务总监蔡贤辉最近在香港向本刊介绍了沛亨半导体的发展蓝图。李明儒介绍说,沛亨擅长设计模拟集成电路,包括DC/DC转换器、基准电压源及稳压器、充电泵、电池充电器及电池保护、A/D及D/A转换器、发送接

关键词：李明世界级模拟集成电路设计

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安森美积极培养国内模拟技术人才

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电子设计技术 2002年第10期 36-36页

安森美半导体亚太区总裁梁广恒日前透露,安森美已着手资助教授计划以及模拟学位课程,派国内的优秀教师去国外一流的模拟工程学院学习,例如到美国的乔治亚科

关键词：安森美模拟集成电路设计模拟技术

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