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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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235 篇 专利
34 篇 期刊文献
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283 篇 电子文献
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学科分类号

31 篇 工学
- 27 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 电气工程
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14 篇 教育学
- 14 篇 教育学
5 篇 经济学
- 5 篇 应用经济学
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- 1 篇 马克思主义理论
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- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

48 篇 模拟集成电路设计
3 篇 运算放大器
3 篇 带隙基准源
3 篇 教学改革
2 篇 电路仿真
2 篇 温度系数
2 篇 电源抑制比
2 篇 模拟电路
2 篇 cmos集成电路
2 篇 设计方法
2 篇 电流反馈运算放大...
2 篇 教学内容
2 篇 微电子
2 篇 案例教学
2 篇 eda
2 篇 课程改革
2 篇 版图设计
2 篇 设计平台
1 篇 能量转化
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43 篇 清华大学
33 篇 电子科技大学
10 篇 复旦大学
8 篇 中国科学院微电子...
6 篇 无锡中科微电子工...
6 篇 厦门理工学院
4 篇 烽火通信科技股份...
4 篇 西安电子科技大学
4 篇 恪纳腾技术公司
3 篇 重庆中易智芯科技...
3 篇 重庆邮电大学
3 篇 杭州电子科技大学
2 篇 华中科技大学
2 篇 上海赛鹰微电子有...
2 篇 河南科技大学
2 篇 上海南芯半导体科...
2 篇 西安交通大学
2 篇 成都铭科思微电子...
2 篇 中芯国际集成电路...

作者

59 篇 高静
58 篇 徐江涛
43 篇 史再峰
36 篇 聂凯明
22 篇 姚素英
18 篇 王敬
18 篇 方华军
18 篇 赵晓
18 篇 许军
18 篇 梁仁荣
14 篇 高志远
12 篇 李靖
11 篇 于奇
11 篇 宁宁
10 篇 王志华
10 篇 朱昆昆
9 篇 张春
9 篇 李泽宏
8 篇 张波
8 篇 石跃

语言

283 篇 中文

检索条件"主题词=模拟集成电路设计"

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一种自适应比较器延时环路的SAR ADC

一种自适应比较器延时环路的SAR ADC

引用

作者：于奇张茂亿孙厅吴克军宁宁李靖 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，具体为一种自适应比较器延时环路的SAR ADC，可应用于超高速SARADC。本发明根据DAC电容阵列里MSB到LSB建立时间的不一致，通过设置环路延时模块的可调延时级的级数N，使得比较器在第一次比较后，将后... 详细信息

标准号: CN115412099A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，具体为一种自适应比较器延时环路的SAR ADC，可应用于超高速SARADC。本发明根据DAC电容阵列里MSB到LSB建立时间的不一致，通过设置环路延时模块的可调延时级的级数N，使得比较器在第一次比较后，将后续每一次比较的复位时间T_{CMP_RST}与DAC电压建立时间匹配，对比较器环路延时进行自适应调节，减少比较器环路延时时间，根据自适应调节模块中延时级数N的不同设计，时间利用率可达100％。本发明在保证DAC电压准确建立的前提下，最大程度地减少比较器环路延时时间。

关键词：延时比较器环路比较器模拟集成电路设计自适应调节模块时间利用率自适应调节最大程度地电容阵列环路延时可调延时时间匹配延时级数一次比较不一致超高速自适应复位应用保证

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全MOS基准电流产生电路

全MOS基准电流产生电路

引用

作者：李振荣段艺明王泽渊刘博宇周永升庄奕琪 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温... 详细信息

标准号: CN109164867B

本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I₁，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I₂，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I₁和第二电流I₂，其中输出为一近似零温度系数的基准电流I_ref＝αI₁+βI₂。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。

关键词：产生器负温度系数电流正温度系数电流电流相加功耗基准电流产生电路模拟集成电路设计带隙基准电流双极型晶体管负温度系数零温度系数运算放大器正温度系数基准电流技术结构传统的可用近似合成输出

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一种基于全动态放大器的比较器失调电压消除电路

一种基于全动态放大器的比较器失调电压消除电路

引用

作者：何懿炜 610213 四川省成都市天府大道南段城南晶座4栋1单元2705号

本发明属于模拟集成电路设计技术领域，是一种基于动态放大器的失调电压消除电路。本发明的具体电路元器件包括MOS管以及电容。由于整体电路是全动态的，因此在自调零过程中也分成给预放大器充电和放大两个过程。这两个过程结束，自调... 详细信息

标准号: CN116318134A

本发明属于模拟集成电路设计技术领域，是一种基于动态放大器的失调电压消除电路。本发明的具体电路元器件包括MOS管以及电容。由于整体电路是全动态的，因此在自调零过程中也分成给预放大器充电和放大两个过程。这两个过程结束，自调零过程将在输出端的电容上存入正确的失调电压（offset）乘以预放大器增益（Av）的电压值，下次使用时就能够较为准确的消除失调电压的影响。近些年，随着模拟电路的不断发展，对逐次逼近寄存器型模数转换器（SAR ADC）的各种要求也变得越来越多，降低电源电压是一种有效的降低功耗的方法，但除此之外，业界也开始逐渐的去优化结构，从而减少一些不必要的功耗产生。本发明就是在传统的自调零电路中，优化了其中的结构，从而使得结构不再具有静态功耗，在较为准确的消除失调电压的基础上，实现一个全动态的电路，优化了不必要的功耗。

关键词：失调电压预放大器电容动态的调零功耗模拟集成电路设计逐次逼近寄存器电路元器件动态放大器模数转换器电源电压调零电路过程结束降低功耗静态功耗模拟电路消除电路优化结构整体电路传统的优化充电电路放大输出

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一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC

一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC

引用

作者：李靖肖航张启辉吴浩舟明平文宁宁于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体涉及一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC。本发明在速度方面，低精度的辅助SAR ADC所需电容面积较小，所需建立时间更短，可以达到较快的转换速度，且主ADC高位无需建立，直接加载辅助ADC的码值... 详细信息

标准号: CN113676183A

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体涉及一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC。本发明在速度方面，低精度的辅助SAR ADC所需电容面积较小，所需建立时间更短，可以达到较快的转换速度，且主ADC高位无需建立，直接加载辅助ADC的码值，有效的提高了整体ADC的工作速度，从而提高了采样率。在功耗方面，由于辅助ADC提前于主ADC进行量化，不仅减少了主ADC的电容切换次数；同时把主ADC的比较器电源电压从V_H降低为V_L；此外，主ADC采用V_cm‑based结构，本应使用2^N个单位电容降低为2^M+1个单位电容的数量级，这些优势大大降低了整体的功耗。使得本发明ADC架构的优值高于其他高精度SAR ADC。

关键词：单位电容功耗模拟集成电路设计电容切换电源电压比较器采样率低功耗两步式电容加载架构量化转换

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一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器

一种应用于RFID系统的新型低功耗放大器

引用

作者：赵思棋刘明 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路666号、银冬路122号5幢8层02单元

本发明公开了一种应用于RFID(无线射频识别)系统的新型低功耗放大器，涉及模拟集成电路设计领域，包括输入级、中间级和输出级；其中，所述输入级由第一MOS管、第二MOS管和第一恒流源构成差分放大电路；所述中间级包括共模反馈模块、放... 详细信息

标准号: CN109861655B

本发明公开了一种应用于RFID(无线射频识别)系统的新型低功耗放大器，涉及模拟集成电路设计领域，包括输入级、中间级和输出级；其中，所述输入级由第一MOS管、第二MOS管和第一恒流源构成差分放大电路；所述中间级包括共模反馈模块、放大管模块和恒流源负载模块；所述输出级包括第一电容、第二电容和一个负载电阻；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极分别与所述放大管模块电连接；所述输出级的第一电容的第一端与所述共模反馈模块电连接，所述输出级的第二电容的第一端与所述恒流源负载模块电连接；所述放大器电路的工作电流为纳安级。本发明可在极低功耗下实现稳定可靠的信号放大，并具有很高的接收灵敏度和抗干扰能力。

关键词：电容输出级共模反馈模块恒流源负载模块电连接第一端放大管输入级中间级漏极模拟集成电路设计差分放大电路低功耗放大器无线射频识别放大器电路接收灵敏度抗干扰能力负载电阻工作电流低功耗电连接恒流源应用

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图像传感器列延时导致图像失真恢复方法

图像传感器列延时导致图像失真恢复方法

引用

作者：徐江涛史晓琳聂凯明高静高志远史再峰 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使线阵型图像传感器能够更好的实现高速高分辨率图像采集的功能，提高线阵型图像传感器的行频，扩大线阵型图像传感器的应用范围，本发明采用的技术方案是，图像传感器列延时导致图像失真恢复方法，... 详细信息

标准号: CN106027881A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使线阵型图像传感器能够更好的实现高速高分辨率图像采集的功能，提高线阵型图像传感器的行频，扩大线阵型图像传感器的应用范围，本发明采用的技术方案是，图像传感器列延时导致图像失真恢复方法，包括如下步骤：1)计算沿跨轨方向的最大失真距离L：2)计算被拍摄图像形变失真角度α：形变失真角度α通过阵型图像传感器的线阵长度为W与沿跨轨方向的最大失真距离为L计算出来：

<math><mrow><mi>t</mi><mi>a</mi><mi>n</mi><mi>&alpha;</mi><mo>=</mo><mfrac><mi>L</mi><mrow><mi>W</mi><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></mfrac></mrow></math>

3)根据形变失真角度α对拍摄图像进行恢复。本发明主要应用于图像处理。

关键词：图像传感器线阵型形变失真拍摄图像失真距离跨轨模拟集成电路设计高分辨率图像图像处理图像失真线阵长度行频延时应用恢复采集

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一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC

一种基于两步式的高精度低功耗SAR ADC

引用

作者：李靖肖航张启辉吴浩舟明平文宁宁于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN113676183B

关键词：单位电容功耗模拟集成电路设计电容切换电源电压比较器采样率低功耗两步式电容加载架构量化转换

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一种栅压自举开关电路

一种栅压自举开关电路

引用

作者：李靖徐成阳吴辉贵王明辉宁宁于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种栅压自举开关电路，属于模拟集成电路设计领域。包括主开关管Ms，栅压提升电路，开关电路，输入信号Vin，输出信号Vout；所述栅压提升电路包括偏置模块、负载模块和两个以射随器方式连接的三极管，用于改变主开关管的栅端电压以实... 详细信息

标准号: CN106505979B

一种栅压自举开关电路，属于模拟集成电路设计领域。包括主开关管M_s，栅压提升电路，开关电路，输入信号V_in，输出信号V_out；所述栅压提升电路包括偏置模块、负载模块和两个以射随器方式连接的三极管，用于改变主开关管的栅端电压以实现其栅源电压为恒定值；所述开关电路为一个晶体管，用于控制栅压提升电路的开启和关闭；所述输入信号V_in通过栅压提升电路中两个以射随器方式连接的三极管连接至主开关管M_s的栅端，主开关管M_s的源端连接输出信号V_out。本发明提供了一种无自举电容的栅压自举开关电路，不仅消除了由寄生电容带来的电荷共享的问题，也有效降低了电路面积。

关键词：开关电路提升电路主开关管栅压输出信号栅压自举三极管射随器模拟集成电路设计恒定电荷共享负载模块寄生电容偏置模块栅端电压栅源电压自举电容控制栅晶体管源端栅端电路

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全MOS基准电流产生电路

全MOS基准电流产生电路

引用

作者：李振荣段艺明王泽渊刘博宇周永升庄奕琪 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

标准号: CN109164867A

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交叉耦合电荷泵电路

交叉耦合电荷泵电路

引用

作者：高静赵健哲高志远聂凯明徐江涛 300072 天津市南开区卫津路92号

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为提出一种交叉耦合电荷泵电路结构，实现省略时钟升压电路，且每个晶体管各端电压差不超过电源电压，解决时钟升压带来的延迟问题和高电压造成的晶体管老化；同时在整个结构中不使用二极管连接的MOS... 详细信息

标准号: CN115425842A

本发明涉及模拟集成电路设计领域，为提出一种交叉耦合电荷泵电路结构，实现省略时钟升压电路，且每个晶体管各端电压差不超过电源电压，解决时钟升压带来的延迟问题和高电压造成的晶体管老化；同时在整个结构中不使用二极管连接的MOS管，避免阈值损失。为此，本发明采取的技术方案是，交叉耦合电荷泵电路，包括M1‑M12十二个晶体管、C1～C5五个电容，以及四个作为输入时钟缓冲器的反相器，晶体管M1、M2源极连接电源正极，漏极分别连接对方的栅极同时分别连接C1、C2两个电容正极板，形成交叉耦合结构。本发明主要应用于模拟集成电路电荷泵的设计制造场合。

关键词：晶体管电荷泵电路交叉耦合缓冲器模拟集成电路设计交叉耦合结构模拟集成电路电容正极板二极管连接端电压升压电源电压电源正极升压电路输入时钟源极连接整个结构阈值损失电荷泵反相器高电压电容省略漏极延迟老化应用制造

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