检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：曹震邓世超邵奕霖赵嘉璇于正洋焦李成 710071 陕西省西安市太白南路2号

本申请提出了一种双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及制作方法。该器件的主要特征是基于三倍(Triple)表面电场降低(RESURF)的LDMOS器件在器件基区处通过平面栅工艺和沟槽栅工艺形成双栅结构，以达到双导电通... 详细信息

标准号: CN111477681A

本申请提出了一种双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及制作方法。该器件的主要特征是基于三倍(Triple)表面电场降低(RESURF)的LDMOS器件在器件基区处通过平面栅工艺和沟槽栅工艺形成双栅结构，以达到双导电通道的效果，从而有效降低器件的比导通电阻Specific On Resistance(R_ON,sp)；并且通过采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺在器件漂移区上方形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)结构，能够有效提升器件击穿电压并降低器件的导通电阻。

关键词：降低器件横向双扩散金属氧化物半绝缘多晶硅比导通电阻元素半导体表面电场场效应管导电通道导通电阻低压化学击穿电压均匀电场双栅结构提升器件沟槽栅漂移区平面栅双通道淀积调制制作申请

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双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及制作方法

双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及...

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作者：曹震邵奕霖邓世超赵嘉璇于正洋焦李成 710071 陕西省西安市太白南路2号

本申请提出了一种双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及制作方法。该器件的主要特征是基于三倍(Triple)表面电场降低(RESURF)的LDMOS器件在器件基区处通过平面栅工艺和沟槽栅工艺形成双栅结构，以达到双导电... 详细信息

标准号: CN111477680A

本申请提出了一种双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及制作方法。该器件的主要特征是基于三倍(Triple)表面电场降低(RESURF)的LDMOS器件在器件基区处通过平面栅工艺和沟槽栅工艺形成双栅结构，以达到双导电通道的效果，从而有效降低器件的比导通电阻Specific On Resistance(R_ON,sp)；并且通过采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺在器件漂移区上方形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)结构，能够有效提升器件击穿电压并降低器件的导通电阻。

关键词：降低器件横向双扩散金属氧化物半绝缘多晶硅宽带隙半导体比导通电阻表面电场场效应管导电通道导通电阻低压化学击穿电压均匀电场双栅结构提升器件沟槽栅漂移区平面栅双通道淀积调制制作申请

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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法

具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方...

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作者：段宝兴黄芸佳王彦东杨鑫孙李诚杨银堂 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合，在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层，并采用深漏区结构，漏区的下端深... 详细信息

标准号: CN108511528B

本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合，在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层，并采用深漏区结构，漏区的下端深入碳化硅衬底。由于碳化硅是宽禁带半导体具有较高的临界击穿电场，深漏区结构可将漏区的高电场峰值引入碳化硅中，优化器件的纵向电场分布，最终使击穿发生在漏区硅/碳化硅界面附近，从而提高器件的击穿电压，改善了体硅LDMOS器件中击穿电压与比导通电阻的极限关系。此外，与硅材料相比碳化硅材料具有较高的热导率，以其为衬底有助于器件散热，可用于制作在高温条件下工作的功率器件。

关键词：漏区碳化硅衬底碳化硅材料击穿电压硅材料横向双扩散金属氧化物体硅LDMOS器件宽禁带半导体临界击穿电场异质外延技术比导通电阻复合半导体场效应管高温条件功率器件硅外延层极限关系键合技术优化器件纵向电场高电场热导率散热击穿可用下端制作引入

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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法

具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方...

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作者：段宝兴黄芸佳王彦东杨鑫孙李诚杨银堂 710071 陕西省西安市太白南路2号

标准号: CN108511528A

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集成半导体器件

集成半导体器件

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作者：不公告发明人 518000 广东省深圳市罗湖区莲塘街道罗沙路四季御园8座902

本发明公开了一种集成半导体器件，其包括衬底，形成在衬底上的第一漂移区，依次形成在第一漂移区上的第一阱区、第二漂移区、第二阱区、第三漂移区，形成在第一阱区上的漏极，形成在第二漂移区上的第一绝缘层，形成在第二阱区和第二漂... 详细信息

标准号: CN108962890B

本发明公开了一种集成半导体器件，其包括衬底，形成在衬底上的第一漂移区，依次形成在第一漂移区上的第一阱区、第二漂移区、第二阱区、第三漂移区，形成在第一阱区上的漏极，形成在第二漂移区上的第一绝缘层，形成在第二阱区和第二漂移区上的第一栅源部，形成在第三漂移区上的第二栅源部和第二绝缘层；第一栅源部包括第一栅极和第一源极，第一源极形成在第二阱区上，第一栅极的一端形成在第一绝缘层上，第一栅极的另一端形成在第二阱区上；第二栅源部包括第二栅极和第二源极，第二栅极形成在第二绝缘层上，第二源极形成在第三漂移区上。其能解决集成器件中横向双扩散金属氧化物场效应晶体管及结型场效应晶体管占用体积大的问题。

关键词：漂移区阱区绝缘层源极栅源衬底横向双扩散金属氧化物结型场效应晶体管集成半导体器件场效应晶体管集成器件栅极形成漏极占用

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集成半导体器件

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作者：不公告发明人 518000 广东省深圳市罗湖区莲塘街道罗沙路四季御园8座902

标准号: CN108962890A

关键词：漂移区阱区绝缘层源极栅源衬底横向双扩散金属氧化物结型场效应晶体管集成半导体器件场效应晶体管集成器件栅极形成漏极占用

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VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响

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半导体技术 2007年第5期32卷 436-439页

作者：潘少辉何伦文汪礼康张卫复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室上海200433

功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在... 详细信息

功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。

关键词：横向双扩散金属氧化物贴片工艺有限元分析法热阻

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