检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2012年第4期42卷 565-568页

作者：胡浩陈星弼电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)。在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间。PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动电路。新器件在没有带来任何副作用(如snap-back现象和工艺... 详细信息

提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)。在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间。PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动电路。新器件在没有带来任何副作用(如snap-back现象和工艺制造上的困难)的情况下,获得了低的导通压降和快的关断速度。数值仿真结果表明,新器件在不增加导通压降的同时,将关断时间从120ns降到12ns。

关键词：横向绝缘栅双极晶体管横向器件快速关断

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空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管

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微电子学 1999年第4期29卷 292-296页

作者：杨健方健李肇基电子科技大学微电子所四川成都610054

提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ＣＩ ＬＩＧＢＴ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏ｐ＋ｎ＋结击穿电压ＢＶＺ、取样电阻ＲＡ和阳极区结深的优化，提高了 ... 详细信息

提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ＣＩ ＬＩＧＢＴ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏ｐ＋ｎ＋结击穿电压ＢＶＺ、取样电阻ＲＡ和阳极区结深的优化，提高了ＣＩ ＬＩＧＢＴ的抗闭锁能力，降低了其导通压降，并获得了初步实验结果。

关键词：横向绝缘栅双极晶体管智能功率集成电路功率器件

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横向绝缘栅双极晶体管

横向绝缘栅双极晶体管

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作者：户仓规仁高桥茂树芦田洋一中川明夫日本爱知县

一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域... 详细信息

标准号: CN102403341B

一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

关键词：杂质浓度区域集电极电极集电极区域杂质浓度横向绝缘栅双极晶体管漂移半导体衬底发射极电极发射极区域肖特基接触欧姆接触沟道层绝缘膜电极沟道

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横向绝缘栅双极晶体管

横向绝缘栅双极晶体管

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作者：户仓规仁高桥茂树芦田洋一中川明夫日本爱知县

标准号: CN102403341A

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阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法

阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法

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作者：乔明郭银江逸洵郑祖泉刘文良张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供一种高压阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA‑LIGBT)的等效电路模型及仿真方法，包括：核心场效应管；核心三极管；第一漏端电阻，该电阻连接到核心场效应管的漏极且与第二漏端电阻串联；第二漏端电阻，该电阻与第一漏端电阻串... 详细信息

标准号: CN113935268B

本发明提供一种高压阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA‑LIGBT)的等效电路模型及仿真方法，包括：核心场效应管；核心三极管；第一漏端电阻，该电阻连接到核心场效应管的漏极且与第二漏端电阻串联；第二漏端电阻，该电阻与第一漏端电阻串联且该电阻第二端用作高压晶体管的集电极；核心三极管基极电阻，该电阻的一端连接到第一漏端电阻和第二漏端电阻串联的中点并且第二端连接到核心三极管的基极；核心三极管发射极电阻，该电阻的第一端连接到核心三极管的发射极并且第二端作为高压晶体管的集电极；发射极电阻，该电阻的一端连接到核心场效应管的源极且第二端用作高压晶体管的发射极。相比传统模型，本发明提高了SA‑LIGBT模型从MOS状态过渡到IGBT工作状态的精度。

关键词：电阻漏端高压晶体管场效应管电阻串联三极管一端连接发射极集电极横向绝缘栅双极晶体管三极管基极电阻等效电路模型三极管发射极发射极电阻传统模型电阻连接高压阳极状态过渡短路第一端漏极源极

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一种SOI横向绝缘栅双极晶体管

一种SOI横向绝缘栅双极晶体管

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作者：章文通田丰润何佳敏 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一导电类型top层分布在表面，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列，多晶硅电极插入埋氧层中。本发明在器件开态时... 详细信息

标准号: CN115377197A

本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一导电类型top层分布在表面，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列，多晶硅电极插入埋氧层中。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流；器件关态时，表面top区可几乎由纵向浮空场板全耗尽，表面场将被top区钳位，因此第二导电类型漂移区的掺杂浓度在更大范围变化时器件表面场均不发生变化，一定程度上杜绝了器件的表面击穿。另外，插入埋氧层的多晶硅电极将电场线引入到埋氧层内，实现了介质场增强，提高了器件的纵向耐压。

关键词：场板浮空多晶硅电极埋氧层导电类型漂移区横向绝缘栅双极晶体管第一导电类型大范围变化饱和电流表面击穿器件表面纵向耐压表面场场增强电场线积累层氧化层关态开态钳位耗尽掺杂引入

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阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法

阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法

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作者：乔明郭银江逸洵郑祖泉刘文良张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN113935268A

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绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管

绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管

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作者：时龙兴刘斯扬祝靖朱奎英钱钦松孙伟锋陆生礼 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设... 详细信息

标准号: CN201904340U

一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极。

关键词：漂移栅氧化层沟道区外延层绝缘体上硅接触横向绝缘栅双极晶体管阴极阳极场氧化层高能离子多晶硅缓冲层硅片型深左侧延伸

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一种横向绝缘栅双极晶体管

一种横向绝缘栅双极晶体管

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作者：周炳赵承杰王源政 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)

本实用新型公开了一种横向绝缘栅双极晶体管，包括晶体管本体，晶体管本体的外侧设有防护壳体，防护壳体上开设有圆形定位孔，防护壳体的上端开设有条形散热槽，防护壳体的上下两端固定粘接有橡胶防护垫，晶体管本体的两端设有凹槽，凹... 详细信息

标准号: CN213988864U

本实用新型公开了一种横向绝缘栅双极晶体管，包括晶体管本体，晶体管本体的外侧设有防护壳体，防护壳体上开设有圆形定位孔，防护壳体的上端开设有条形散热槽，防护壳体的上下两端固定粘接有橡胶防护垫，晶体管本体的两端设有凹槽，凹槽内设有连接块，该双极晶体管设置有防护壳体，可以对防护壳体进行保护，同时防护壳体上的圆形定位孔可以对其进行定位，配合上下两端的橡胶防护垫可以对双极晶体管进行充分的保护；可以通过上下两端的连接块将双极晶体管进行进一步的固定，并且左右两侧设有四个晶体板，可以多方位的进行数据合格信息的传导，使用效率较高。

关键词：防护壳体晶体管本体双极晶体管上下两端橡胶防护垫圆形定位孔横向绝缘栅双极晶体管本实用新型条形散热槽固定粘接合格信息使用效率左右两侧晶体板上端传导配合

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一种SOI横向绝缘栅双极晶体管

一种SOI横向绝缘栅双极晶体管

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作者：章文通朱旭晗祖健乔明李肇基张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入... 详细信息

标准号: CN111969049B

本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。

关键词：场板浮空导电类型阱阳极电阻纵向场横向绝缘栅双极晶体管多晶硅电极集电极接触集电极区域饱和电流导电类型输出特性积累层漂移区氧化层电极开态平行引入

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