检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：康凯张双敏赵晨曦刘辉华余益明吴韵秋 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明属于射频电路技术领域，具体提供一种全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器，在传统数控步进式衰减器(DSA)结构基础上，针对桥T/T/π型衰减单元中串联支路上的电阻、利用压控NMOS晶体管的导通电阻代替，针对桥T/T/... 详细信息

标准号: CN113437948B

本发明属于射频电路技术领域，具体提供一种全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器，在传统数控步进式衰减器(DSA)结构基础上，针对桥T/T/π型衰减单元中串联支路上的电阻、利用压控NMOS晶体管的导通电阻代替，针对桥T/T/π型衰减单元中并联支路上的电阻与电容、利用压控NMOS晶体管的导通电阻与固有源漏寄生电容代替代替，进而实现全NMOS晶体管结构的桥T/T/π型衰减单元设计，有效避免了传统结构中电阻与电容引入的诸多问题，且大大的简化了电路结构、节省了芯片面积；同时，压控NMOS晶体管对工艺偏差容忍度较高，且能够通过尺寸(宽长比)及栅极电压实现高精度控制。

关键词：衰减单元电阻步进式衰减器导通电阻电容源漏寄生电容高精度控制传统结构电路结构工艺偏差结构基础射频电路栅极电压开关式宽长比容忍度并联数控相移串联芯片引入

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一种步进式衰减器

一种步进式衰减器

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作者：张汪洋叶剑锋 215234 江苏省苏州市吴江区七都镇七都大道5号

本实用新型公开了一种步进式衰减器，包括：壳体；PCB板，所述PCB板设置于所述壳体内，在所述PCB板上环绕所述PCB板的中心分布有多个电阻单元，所述电阻单元的延伸方向的两端均设置有信号连接端，两个所述信号连接端位于以所述PCB板的... 详细信息

标准号: CN212908011U

本实用新型公开了一种步进式衰减器，包括：壳体；PCB板，所述PCB板设置于所述壳体内，在所述PCB板上环绕所述PCB板的中心分布有多个电阻单元，所述电阻单元的延伸方向的两端均设置有信号连接端，两个所述信号连接端位于以所述PCB板的中心为圆心的不同直径的圆上；旋转轴，所述旋转轴的一端插入所述壳体内并与所述PCB板固定连接；多个弹簧顶针，多个所述弹簧顶针设于所述壳体与所述PCB板间，所述弹簧顶针的一端与所述壳体上的输出件固定连接，所述弹簧顶针的另一端与其中一所述电阻单元的所述信号连接端抵接。该步进式衰减器结构简单，安装方便，减少了信号串扰，提高产品的性能指标。

关键词：弹簧顶针信号连接端电阻单元壳体步进式衰减器旋转轴体内本实用新型安装方便信号串扰圆心输出件抵接环绕延伸

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全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器

全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器

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作者：康凯张双敏赵晨曦刘辉华余益明吴韵秋 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

标准号: CN113437948A

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一种5～20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器

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西安电子科技大学学报 2015年第2期42卷 89-94,145页

作者：张岩龙庄奕琪李振荣任小娇齐增卫杜永乾李红云西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.... 详细信息

设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm.

关键词：衰减器步进式衰减器 CMOS开关低插入损耗低相位误差

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一种数字步进衰减器

一种数字步进衰减器

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作者：章策珉邓正伟 611730 四川省成都市高新区百川路9号1号楼4层

本发明的多个实施例涉及低温度变化的衰减器。通过协调电阻器的一阶电阻温度(FORT)系数，衰减器或衰减器单元的实施例能够降低衰减器衰减量受温度变化的影响。而这种衰减量随温度变化影响的减少可以在不依赖于具有负FORT系数的电阻器的... 详细信息

标准号: CN111464145B

本发明的多个实施例涉及低温度变化的衰减器。通过协调电阻器的一阶电阻温度(FORT)系数，衰减器或衰减器单元的实施例能够降低衰减器衰减量受温度变化的影响。而这种衰减量随温度变化影响的减少可以在不依赖于具有负FORT系数的电阻器的情况下取得。衰减器单元可以配置为T型衰减器单元、π型衰减器单元、桥T型衰减器单元或者并联衰减器，这些衰减器单元中的电阻器具有多种FORT系数组合方式。此外，各种衰减器单元可以串联在一起形成数字步进式衰减器，这些单元的温度变化相互补偿或抵消以降低整体衰减量受温度变化的影响。

关键词：衰减器单元电阻器衰减器步进式衰减器衰减器衰减量温度变化影响衰减量随组合方式衰减量并联电阻一阶串联抵消配置协调

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一种数字步进衰减器

一种数字步进衰减器

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作者：章策珉邓正伟 611730 四川省成都市高新区百川路9号1号楼4层

标准号: CN111464145A

关键词：衰减器单元电阻器衰减器步进式衰减器衰减器衰减量温度变化影响衰减量随组合方式衰减量并联电阻一阶串联抵消配置协调

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