检索结果-内蒙古大学图书馆

中国集成电路 2005年第12期14卷 49-53,72页

作者：纪志罡靳磊许铭真谭映王国林马进元北京大学微电子研究院北信通微电子系统公司

1.引言随着大规模集成芯片上的器件尺寸的微型化,为了解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,半导体器件参数比例差值谱系统运用了一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的... 详细信息

1.引言随着大规模集成芯片上的器件尺寸的微型化,为了解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,半导体器件参数比例差值谱系统运用了一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性--比例差分特性.

关键词：比例差值算符器件参数半导体系统大规模集成芯片一代本征特性理论与实践综合检测直接提取

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半导体器件参数的比例差值谱分析系统

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中国集成电路 2004年第1期13卷 67-70,83页

作者：杨斌谭映王国林马进元许铭真北京大学微电子研究院北信通微电子系统公司

1.引言随着大规模集成芯片上的器件尺寸的微型化,为解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,半导体器件参数比例差值谱分析系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的... 详细信息

1.引言随着大规模集成芯片上的器件尺寸的微型化,为解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,半导体器件参数比例差值谱分析系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性——比例差值特性。经过严格的理论与实验证明,只要代表元器件性能的函数满足比例差值谱函数定理[1,2]。

关键词：半导体器件系统结构比例差值算符谱分析特征参数

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半导体器件参数比例差值谱分析系统

半导体器件参数比例差值谱分析系统

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：谭长华许铭真杨斌马金源北京大学微电子研究院

该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、... 详细信息

该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(CAD),新元件的评价,材料评估,电路设计的元件选择,半导体生产的过程控制、质量控制及品质保证.

关键词：半导体器件比例差值算符薄膜材料质量控制材料评估

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0.13μm MOSFET 器件的可靠性分析技术

引用

中国集成电路 2004年第4期13卷 15-18页

作者：杨斌谭映王国林马进元许铭真北京大学微电子研究院北信通微电子系统公司

随着大规模集成化芯片上的器件尺寸微型化，MOSFET器件的按比例缩小的一个突出的影响是饱和区趋向消失，给器件特征参数(饱和电流，饱和电压，阈值电压，载流子迁移率)的确定和可靠性评估带来困难。为解决微小尺度的各种功能器件关键参... 详细信息

随着大规模集成化芯片上的器件尺寸微型化，MOSFET器件的按比例缩小的一个突出的影响是饱和区趋向消失，给器件特征参数(饱和电流，饱和电压，阈值电压，载流子迁移率)的确定和可靠性评估带来困难。为解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与可靠性分析技术，本文运用一种新的数据处理运算概念，即比例差值算符，揭示了元器件的另一种本征特性——比例差值特性。经过严格的理论与实验证明，只要代表元器件性能的函数满足比例差值谱函数定理，那么元器件的比例差值特性具有谱峰，其谱峰的位置，谱峰的高度决定了元器件的基本性质，使得元器件特征参数的确定可以在最佳状态(准理想状态)下实现，为微尺度器件的在线质量检测与可靠性判定提供了新的依据。

关键词： MOSFET 比例差值算符谱峰可靠性分析在线质量检测

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用于集成电路芯片检测与分析的比例差值算符及其应用技术

用于集成电路芯片检测与分析的比例差值算符及其应用技术

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作者：许名镇谭长华北京大学

该项目为硅基集成电路芯片,属微电子科学技术领域,该项研究运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性一比例差值特性,基于wIn95\NT操作系统下的最新图形操作界面,所有测试与分析结果均可用图形方式显... 详细信息

标准号: hg06036241

该项目为硅基集成电路芯片,属微电子科学技术领域,该项研究运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性一比例差值特性,基于wIn95\NT操作系统下的最新图形操作界面,所有测试与分析结果均可用图形方式显示;实现了自己发展和完善的比例差值算符技术的全功能;提供的统一用户接口便于用户将自用的仪器控制程序做成动态库,实现监测和快速数据采集,分析一体化。该项成果已用于与美国摩托罗拉公司的合作研究中,取得了双方均满意的结果。

关键词：比例差值算符集成电路芯片检测集成电路芯片分析谱函数函数定理谱分析方法

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ULSI MOS器件的比例差值特性及其退化效应的研究

ULSI MOS器件的比例差值特性及其退化效应的研究

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作者：王金延北京大学

学位级别：博士

器件表征技术一直是深入理解和分析器件特性的必要工具.随着深亚微米器件的出现,原有的表征技术存在许多困难,这为表征技术的发展和新的表征技术的创建提供了客观需求.该文在比例差值算符理论基础上,发展了一系列MOS器件的比例差值特性... 详细信息

器件表征技术一直是深入理解和分析器件特性的必要工具.随着深亚微米器件的出现,原有的表征技术存在许多困难,这为表征技术的发展和新的表征技术的创建提供了客观需求.该文在比例差值算符理论基础上,发展了一系列MOS器件的比例差值特性表征方法.第一,首先提出了大尺寸MOS器件的输出特性比例差值方法,并且证明了比例差值方法在饱和输出特性中具有峰值的特性,并给出了器件特征参数的完整表达式,同时,为方便实际的应用,该文推出了该方法的简化公式,并满足了足够的精度要求.这为小尺寸MOS器件V<,DSAT>的确定提供了可靠的手段.第二,针对高场应力下超薄栅MOS器件的载流子迁移率退化现象,该文建立了MOS器件转移特性比例差值谱技术.第三,由于深亚微米器件出现了各种小尺寸效应,该文建立了小尺寸MOS器件的比例差值方法.第四,由于目前的迁移率模型大多为经验或半经验模型,并依赖于测量数据的准确性,而目前的测量方法中又存在着许多不足,针对这一困难,该文提出了改进的分离CV方法,解决了有效迁移率与有效电场曲线在低场区随测量条件（不同漏偏压）出现的偏差.第五,在理论分析和对实验现象观察的基础上,该文给出了退化MOS器件的比例差值特性.第六,为满足MOS器件退化特性表征工作的要求,采用了包括器件缺陷影响的物理模型,并分析了器件主要的退化机理（界面陷阱、氧化层陷阱）的影响规律,初步建立了描述MOS器件线性区退化特性的简化模型.

关键词：比例差值算符 MOS器件特性退化模型尺寸效应退化特性

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